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    RESISTIVE MEMORY
    1.
    发明申请
    RESISTIVE MEMORY 审中-公开
    电阻式工作记忆

    公开(公告)号：WO2006013160A3

    公开(公告)日：2006-10-05

    申请号：PCT/EP2005053546

    申请日：2005-07-21

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  WALTER ANDREAS ,  SEZI RECAI ,  ENGL REIMUND ,  MALTENBERGER ANNA ,  SCHUMANN JOERG ,  WEITZ THOMAS

    Inventor： WALTER ANDREAS ,  SEZI RECAI ,  ENGL REIMUND ,  MALTENBERGER ANNA ,  SCHUMANN JOERG ,  WEITZ THOMAS

    IPC: H01L51/30 ,  H01L27/28

    CPC classification number: H01L51/0052 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0014 ,  H01B1/121 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/285 ,  H01L51/0036 ,  H01L51/0051

    Abstract: The invention relates to novel memory cells, comprising two electrodes and a layer arranged between the same, made from an active material, comprising (a) a compound of the structure given in general formula (I), where R 1 to R 2 independently = -H, -(CH 2 ) m CH 3 , -phenyl, -O-(CH 2 ) m CH 3 , -O-phenyl, -S(CH 2 ) m CH 3 , -S-aryl, -NR 3 R 4 , -SR or a halide, where R 1 and R 2 can together form a ring and where R 3 and R 4 independently = -H, preferably 1-10 C alkyl, -aryl, -heteroaryl, m = 0 or a whole number from 1-10 and n = a whole number from 2 to 1000 and (b) a compound of general formula (II): where R 5 to R 12 independently = -H, -(CH 2 ) m CH 3 , -phenyl, -0-(CH 2 ) m CH 3 , -O-phenyl, -CO(CH 2 ) m CH 3 , -halogen, -CN and/or -NO 2 , where R 5 and R 6 , or R 6 and R 7 , R 7 and R 8 , R 9 and R 10 , R 10 and R 11 and/or R 11 and R 12 can together form a ring, m having the meaning already given. The invention further relates to a method for production of said cells and the novel application of a composition which may be used as active material for the memory cells.

    Abstract translation: 有提供具有两个电极新存储单元和活性物质的包含（a）通式（I）的化合物所示结构的插层：（I）其中R 1 至R 2 彼此独立地可以具有下列含义：-H， - （CH 2 ）米 CH 3 ， - 苯基，-O-（CH 2 ）米 CH 3 ，-O-苯基，-S（CH 2 ）米 CH 3 ，-S-芳基，-NR 3 - [R 4 ，-SR或 卤素原子，其中R 1 和R 2 可一起形成环，和其中R 3 和R 4 独立地 -H，烷基，优选表示具有1-10个碳原子，芳基，杂芳基，m为0或在1-10范围内的整数，n = a是整数2至1000 ; 和（b）通式（II）化合物：其中R 5 至R 12 彼此独立地可以具有下列含义：-H， - （CH 2 ）米 CH 3 ，苯基，-O-（CH 2 ）米 CH < SUB> 3 ，-O-苯基， - CO（CH 2 ）米 CH 3 ， - 卤素，-CN，和 /或-NO 2 其中R 5 和R 6 或R 6 和R 7 < / SUB>，R 7 和R 8 ，R 9 和R 10 ，R 10 < / SUB>和R 11 和/或R 11 和R 12 可以一起形成一个环，其中m具有上面给出的含义，其包括 ， 此外，提供了用于制备本发明的细胞的方法和新的使用，其可被用作用于存储单元中的活性物质的组合物。

    CHIPGEHÄUSE UND VERFAHREN ZUM BILDEN EINES CHIPGEHÄUSES
    3.
    发明专利
    CHIPGEHÄUSE UND VERFAHREN ZUM BILDEN EINES CHIPGEHÄUSES 未知

    公开(公告)号：DE102016109352B4

    公开(公告)日：2022-03-24

    申请号：DE102016109352

    申请日：2016-05-20

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： KOERNER HEINRICH ,  ENGL REIMUND ,  MAHLER JOACHIM ,  HUETTINGER MICHAEL ,  BAUER MICHAEL ,  KANERT WERNER ,  RUEHLE BRIGITTE

    IPC: H01L23/18 ,  H01L21/56 ,  H01L23/26 ,  H01L23/29

    Abstract: Ein Chipgehäuse, das Folgendes umfasst:einen Chip (106), der eine Chipmetalloberfläche (106m) umfasst,eine Metallkontaktstruktur (110), die die Chipmetalloberfläche (106m) elektrisch kontaktiert,Packagingmaterial (224), das den Chip (106) und die Metallkontaktstruktur (110) mindestens teilweise kapselt, undeine chemische Zusammensetzung (332), die das Packagingmaterial (224) und die Chipmetalloberfläche (106m) und/oder die Metallkontaktstruktur (110) physisch kontaktiert,wobei die chemische Zusammensetzung (332) konfiguriert ist, um eine Haftung zwischen der Metallkontaktstruktur (110) und dem Packagingmaterial (224) und/oder zwischen der Chipmetalloberfläche (106m) und dem Packagingmaterial (224) im Vergleich zu einer Haftung in einer Anordnung ohne die chemische Zusammensetzung (332) zu erhöhen,wobei die chemische Zusammensetzung (332) im Wesentlichen frei von funktionalen Gruppen, die Schwefel, Selen oder Tellur enthalten, ist; undwobei die chemische Zusammensetzung (332) eine bi-funktionale substituierte sterische gehinderte Zusammensetzung umfasst, die Dicyclopentadien, Adamantan, Urotropin, Cyclodextrin und/oder Kryptanden aufweist.

    CHIPGEHÄUSE UND VERFAHREN ZUM BILDEN EINES CHIPGEHÄUSES
    4.
    发明专利
    CHIPGEHÄUSE UND VERFAHREN ZUM BILDEN EINES CHIPGEHÄUSES 未知

    公开(公告)号：DE102016109352A1

    公开(公告)日：2017-11-23

    申请号：DE102016109352

    申请日：2016-05-20

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： KOERNER HEINRICH ,  ENGL REIMUND ,  MAHLER JOACHIM ,  HUETTINGER MICHAEL ,  BAUER MICHAEL ,  KANERT WERNER ,  RUEHLE BRIGITTE

    IPC: H01L23/18 ,  H01L21/56 ,  H01L23/26 ,  H01L23/29

    Abstract: Bei diversen Ausführungsformen wird ein Chipgehäuse bereitgestellt. Das Chipgehäuse kann einen Chip aufweisen, der eine Chipmetalloberfläche umfasst, eine Metallkontaktstruktur, die die Chipmetalloberfläche elektrisch kontaktiert, ein Packagingmaterial, das den Chip und die Metallkontaktstruktur mindestens teilweise kapselt, und eine chemische Zusammensetzung aufweisen, die das Packagingmaterial und die Chipmetalloberfläche und/oder die Metallkontaktstruktur physisch kontaktiert, wobei die chemische Zusammensetzung ausgelegt sein kann, um eine Haftung zwischen der Metallkontaktstruktur und dem Packagingmaterial und/oder zwischen der Chipmetalloberfläche und dem Packagingmaterial im Vergleich zu einer Haftung in einer Anordnung ohne chemische Zusammensetzung zu verbessern, wobei die chemische Zusammensetzung im Wesentlichen von funktionalen Gruppen, die Schwefel, Selenium oder Tellur umfassen, frei ist.

    Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
    7.
    发明专利
    Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements 未知

    公开(公告)号：DE102008045338B4

    公开(公告)日：2014-05-15

    申请号：DE102008045338

    申请日：2008-09-01

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： EWE HENRIK ,  MAHLER JOACHIM ,  MENGEL MANFRED ,  ENGL REIMUND ,  HÖGLAUER JOSEF ,  DANGELMAIER JOCHEN

    IPC: H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28

    Abstract: Halbleiterbauelement (300), umfassend: einen TSLP-Träger (10), der mehrere Kontaktpads (202, 203, 204) aufweist; einen an einem Kontaktpad (203) des TSLP-Trägers (10) angebrachten Halbleiterchip (12) mit einem ersten Chipkontakt (14) und einem zweiten Chipkontakt (15); eine erste Leitung (16) mit einer ersten Dicke, die über dem Halbleiterchip (12) und dem Träger (10) sowie auf einer isolierenden Stützschicht (20) abgeschieden ist und elektrisch an den ersten Chipkontakt (14) sowie an ein Kontaktpad (201) oder einen weiteren Halbleiterchip (12-2) gekoppelt ist; eine zweite Leitung (17) mit einer zweiten Dicke, die über dem Halbleiterchip (12) und dem TSLP-Träger (10) sowie auf der isolierenden Stützschicht (20) abgeschieden ist und elektrisch an den zweiten Chipkontakt (15) sowie an ein Kontaktpad (202) des Trägers (10) gekoppelt ist, wobei die zweite Leitung (17) aus einem Basisteil (17a), der im gleichen Fabrikationsprozess wie die erste Leitung (16) abgeschieden ist, und einem zweiten Teil (17b), der die zweite Leitung (17) verstärkt, um die zweite Dicke zu erhalten, besteht, wobei die erste Dicke kleiner ist als die zweite Dicke; eine isolierende Barrierenschicht (18) aus Polymermaterial, die die erste Leitung (16) bedeckt und die zweite Leitung (17) bei der Abscheidung des zweiten Teils (17b) unbedeckt läßt, wobei die isolierende Barrierenschicht (18) auf der ersten Leitung (16) abgeschieden ist; und ein Vergussmaterial (206), das den Halbleiterchip (12) und die erste (16) und die zweite (17) Leitung kapselt und die erste (16) und die zweite (17) Leitung nach außen abdeckt.

    10.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102004037150A1

    公开(公告)日：2006-03-02

    申请号：DE102004037150

    申请日：2004-07-30

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： WALTER ANDREAS ,  WEITZ THOMAS ,  ENGL REIMUND ,  SEZI RECAI ,  MALTENBERGER ANNA ,  SCHUMANN JOERG

    IPC: C07C255/10 ,  C07C255/34 ,  C07C255/35 ,  C07C325/02 ,  G11C13/00 ,  H01L51/05

    Abstract: An integrated circuit having resistive memory is disclosed. In one embodiment, the memory includes novel memory cells which have two electrodes and a layer arranged in between and including an active material which contains [1,2]dithiolo[4,3-[c]-1,2-dithiol-3,6-dithione, (2,4,7-trinitro-9-fluorenylidene)malonodinitrile and a polymer are disclosed. In one embodiment, a process for the production of the cells according to the invention is provided, as well as the novel use of a composition which can be used as active material for the memory cells.

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