公开(公告)号：DE102019121859B3

公开(公告)日：2020-11-26

申请号：DE102019121859

申请日：2019-08-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LEENDERTZ CASPAR ,  ZIPPELIUS BERND ,  BASLER THOMAS ,  PETERS DETHARD ,  NIU SHIQIN ,  HELL MICHAEL ,  ELLINGHAUS PAUL ,  SCHRAML KONRAD ,  KONRATH JENS PETER ,  ELPELT RUDOLF

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/161 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

Abstract: Eine Siliziumcarbid-Vorrichtung (500) enthält eine streifenförmige Graben-Gatestruktur (150), die sich von einer ersten Oberfläche (101) in einen Siliziumcarbid-Körper (100) erstreckt. Die Gatestruktur (150) weist eine Gatelänge (L0) entlang einer lateralen ersten Richtung (291) auf. Eine Bodenfläche (158) und eine aktive erste Gate-Seitenwand (151) der Gatestruktur (150) sind über eine erste Bodenkante (156) der Gatestruktur (150) verbunden. Die Siliziumcarbid-Vorrichtung (500) enthält ferner zumindest ein Sourcegebiet (110) eines ersten Leitfähigkeitstyps. Ein Abschirmgebiet (160) eines zweiten Leitfähigkeitstyps ist über zumindest 20 % der Gatelänge mit der ersten Bodenkante (156) der Gatestruktur (150) in Kontakt.

公开(公告)号：DE102019109368A1

公开(公告)日：2019-11-21

申请号：DE102019109368

申请日：2019-04-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SIEMIENIEC RALF ,  AICHINGER THOMAS ,  JOSHI RAVI KESHAV ,  ESTEVE ROMAIN ,  NIU SHIQIN

IPC: H01L29/49 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung enthält eine Gateelektrode (400) und ein Gatedielektrikum (490). Die Gateelektrode (400) erstreckt sich von einer ersten Oberfläche (101) eines Siliziumcarbidkörpers (100) in den Siliziumcarbidkörper (100). Das Gatedielektrikum (490) ist zwischen der Gateelektrode (400) und dem Siliziumcarbidkörper (100) ausgebildet. Die Gateelektrode (400) umfasst eine Metallstruktur (450) und eine Halbleiterschicht (420) zwischen der Metallstruktur (450) und dem Gatedielektrikum (490).