公开(公告)号：DE102018010379A1

公开(公告)日：2020-04-09

申请号：DE102018010379

申请日：2018-09-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FELSL HANS-PETER ,  JELINEK MORIZ ,  KOMARNITSKYY VOLODYMYR ,  SCHRAML KONRAD ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Leistungshalbleitertransistor (1) umfasst Folgendes: einen Halbleiterkörper (10), der eine Vorderseite (10-1) und eine Rückseite (10-2) mit einer Rückseitenoberfläche (10-20) aufweist, wobei der Halbleiterkörper (10) ein Driftgebiet (100) eines ersten Leitfähigkeitstyps und ein Feldstoppgebiet (105) des ersten Leitfähigkeitstyps beinhaltet, das Feldstoppgebiet (105) zwischen dem Driftgebiet (100) und der Rückseite (10-2) angeordnet ist und in einem Querschnitt entlang einer vertikalen Richtung (Z), die von der Rückseite (10-2) zu der Vorderseite (10-1) zeigt, ein Konzentrationsprofil von Donatoren des ersten Leitfähigkeitstyps umfasst, das Folgendes aufweist: ein erstes lokales Maximum (1051) bei einem ersten Abstand (d1) von der Rückseitenoberfläche (10-20), eine vordere Breite bei halbem Maximum (B), die mit dem ersten lokalen Maximum (1051) assoziiert ist, und eine hintere Breite bei halbem Maximum (A), die mit dem ersten lokalen Maximum (1051) assoziiert ist, wobei die vordere Breite bei halbem Maximum (B) kleiner als die hintere Breite bei halbem Maximum (A) ist und wenigstens 8 % des ersten Abstands (d1) beträgt.

公开(公告)号：DE102019111786A1

公开(公告)日：2020-11-12

申请号：DE102019111786

申请日：2019-05-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAUER JOSEF-GEORG ,  PFAFFENLEHNER MANFRED ,  PFIRSCH FRANK ,  SCHEIPER THILO ,  SCHRAML KONRAD

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Leistungshalbleitervorrichtung (1) umfasst ein aktives Gebiet (1-2) mit wenigstens einer Leistungszelle (1-1), wobei das aktive Gebiet (1-2) ein Gesamtvolumen aufweist, wobei das Gesamtvolumen Folgendes aufweist: ein zentrales Volumen (1-21), das wenigstens 20 % des Gesamtvolumens bildet; ein Peripherievolumen (1-22), das wenigstens 20 % des Gesamtvolumens bildet und das zentrale Volumen (1-21) umgibt; und ein äußerstes Peripherievolumen (1-23), das wenigstens 5 % des Gesamtvolumens bildet und das Peripherievolumen (1-22) umgibt. Die Leistungshalbleitervorrichtung (1) umfasst ferner Folgendes: ein Randabschlussgebiet (1-3), das das äußerste Peripherievolumen (1-23) des aktiven Gebiets (1-2) umgibt, wobei das Peripherievolumen (1-22) eine konstante laterale Entfernung von dem Randabschlussgebiet (1-3) hat; einen Halbleiterkörper (10) mit einer Vorderseite (110) und einer Rückseite (120), wobei der Halbleiterkörper (10) sowohl einen Teil des aktiven Gebiets (1-2) als auch einen Teil des Randabschlussgebiets (1-3) bildet; einen ersten Lastanschluss (11) auf der Halbleiterkörpervorderseite (110) und einen zweiten Lastanschluss (12) auf der Halbleiterkörperrückseite (120); ein erstes dotiertes Halbleitergebiet (101), das in dem Halbleiterkörper (10) gebildet ist und elektrisch mit dem ersten Lastanschluss (11) verbunden ist; ein zweites dotiertes Halbleitergebiet (102), das in dem Halbleiterkörper (10) gebildet ist und elektrisch mit dem zweiten Lastanschluss (12) verbunden ist. Das erste dotierte Halbleitergebiet (101) und/oder das zweite dotierte Halbleitergebiet (102) weisen einen zentralen Teil (101-21; 102-21) auf, der sich in das zentrale Volumen (1-21) des aktiven Gebiets (1-2) erstreckt und eine zentrale Durchschnittsdotierungsstoffdosis aufweist; einen Peripherieteil (101-22; 102-22), der sich in das Peripherievolumen (1-22) des aktiven Gebiets (1-2) hinein erstreckt und eine Peripheriedurchschnittsdotierungsstoffdosis aufweist, wobei die zentrale Durchschnittsdotierungsstoffdosis um wenigstens 5 % oder um wenigstens 10 % niedriger als die Peripheriedurchschnittsdotierungsstoffdosis ist.

公开(公告)号：DE102019121859B3

公开(公告)日：2020-11-26

申请号：DE102019121859

申请日：2019-08-14

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LEENDERTZ CASPAR ,  ZIPPELIUS BERND ,  BASLER THOMAS ,  PETERS DETHARD ,  NIU SHIQIN ,  HELL MICHAEL ,  ELLINGHAUS PAUL ,  SCHRAML KONRAD ,  KONRATH JENS PETER ,  ELPELT RUDOLF

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/161 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49

Abstract: Eine Siliziumcarbid-Vorrichtung (500) enthält eine streifenförmige Graben-Gatestruktur (150), die sich von einer ersten Oberfläche (101) in einen Siliziumcarbid-Körper (100) erstreckt. Die Gatestruktur (150) weist eine Gatelänge (L0) entlang einer lateralen ersten Richtung (291) auf. Eine Bodenfläche (158) und eine aktive erste Gate-Seitenwand (151) der Gatestruktur (150) sind über eine erste Bodenkante (156) der Gatestruktur (150) verbunden. Die Siliziumcarbid-Vorrichtung (500) enthält ferner zumindest ein Sourcegebiet (110) eines ersten Leitfähigkeitstyps. Ein Abschirmgebiet (160) eines zweiten Leitfähigkeitstyps ist über zumindest 20 % der Gatelänge mit der ersten Bodenkante (156) der Gatestruktur (150) in Kontakt.

公开(公告)号：DE102018123439B4

公开(公告)日：2020-04-23

申请号：DE102018123439

申请日：2018-09-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FELSL HANS-PETER ,  JELINEK MORIZ ,  KOMARNITSKYY VOLODYMYR ,  SCHRAML KONRAD ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Leistungshalbleitertransistor (1) umfasst Folgendes: einen Halbleiterkörper (10), der eine Vorderseite (10-1) und eine Rückseite (10-2) mit einer Rückseitenoberfläche (10-20) aufweist, wobei der Halbleiterkörper (10) ein Driftgebiet (100) eines ersten Leitfähigkeitstyps und ein Feldstoppgebiet (105) des ersten Leitfähigkeitstyps beinhaltet, das Feldstoppgebiet (105) zwischen dem Driftgebiet (100) und der Rückseite (10-2) angeordnet ist und in einem Querschnitt entlang einer vertikalen Richtung (Z), die von der Rückseite (10-2) zu der Vorderseite (10-1) zeigt, ein Konzentrationsprofil von Donatoren des ersten Leitfähigkeitstyps umfasst, das Folgendes aufweist: ein erstes lokales Maximum (1051) bei einem ersten Abstand (d1) von der Rückseitenoberfläche (10-20), eine vordere Breite bei halbem Maximum (B), die mit dem ersten lokalen Maximum (1051) assoziiert ist, und eine hintere Breite bei halbem Maximum (A), die mit dem ersten lokalen Maximum (1051) assoziiert ist, wobei die vordere Breite bei halbem Maximum (B) kleiner als Hälfte der hinteren Breite bei halbem Maximum (A) ist und wenigstens 8 % des ersten Abstands (d1) beträgt. Dabei beträgt ein Integral des Donatorkonzentrationsprofils in dem Feldstoppgebiet (105) wenigstens 20% einer Durchbruchsladung, die spezifisch für das Material des Halbleiterkörpers (10) ist.

公开(公告)号：DE102018123439A1

公开(公告)日：2020-03-26

申请号：DE102018123439

申请日：2018-09-24

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FELSL HANS-PETER ,  JELINEK MORIZ ,  KOMARNITSKYY VOLODYMYR ,  SCHRAML KONRAD ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Leistungshalbleitertransistor (1) umfasst Folgendes: einen Halbleiterkörper (10), der eine Vorderseite (10-1) und eine Rückseite (10-2) mit einer Rückseitenoberfläche (10-20) aufweist, wobei der Halbleiterkörper (10) ein Driftgebiet (100) eines ersten Leitfähigkeitstyps und ein Feldstoppgebiet (105) des ersten Leitfähigkeitstyps beinhaltet, das Feldstoppgebiet (105) zwischen dem Driftgebiet (100) und der Rückseite (10-2) angeordnet ist und in einem Querschnitt entlang einer vertikalen Richtung (Z), die von der Rückseite (10-2) zu der Vorderseite (10-1) zeigt, ein Konzentrationsprofil von Donatoren des ersten Leitfähigkeitstyps umfasst, das Folgendes aufweist: ein erstes lokales Maximum (1051) bei einem ersten Abstand (d1) von der Rückseitenoberfläche (10-20), eine vordere Breite bei halbem Maximum (B), die mit dem ersten lokalen Maximum (1051) assoziiert ist, und eine hintere Breite bei halbem Maximum (A), die mit dem ersten lokalen Maximum (1051) assoziiert ist, wobei die vordere Breite bei halbem Maximum (B) kleiner als die hintere Breite bei halbem Maximum (A) ist und wenigstens 8 % des ersten Abstands (d1) beträgt.

公开(公告)号：DE102018115637A1

公开(公告)日：2020-01-02

申请号：DE102018115637

申请日：2018-06-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BRANDT PHILIP ,  FEHR MATTHIAS ,  LERCHER ERWIN ,  MAECKEL HELMUT ,  SCHRAML KONRAD

IPC: H01L29/06 ,  H01L25/07 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Leistungshalbleiterbauelement (1) umfasst einen Halbleiterkörper (10) mit einem aktiven Gebiet (106), das zum Leiten eines Laststroms zwischen einer vorderseitigen ersten Lastanschlussstruktur (11) und einer rückseitigen zweiten Lastanschlussstruktur (12) konfiguriert ist, einem Drift-Gebiet (100) von einem ersten Leitfähigkeitstyp (100) und einem Chiprand (109), der den Halbleiterkörper (10) lateral abschließt. Das Leistungshalbleiterbauelement (1) umfasst eine Randabschlussstruktur (108), die lateral zwischen dem Chiprand (109) und dem aktiven Gebiet (106) angeordnet ist. Die Randabschlussstruktur (108) ist zumindest teilweise in dem Halbleiterkörper (10) enthalten und umfasst ein Halbleiterrandabschlussgebiet (107) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, wobei das Halbleiterrandabschlussgebiet (107) auf der Vorderseite (10-1) angeordnet ist, und eine Abschirmschicht (15), die ein Halbleitermaterial umfasst und durch eine erste Isolierschicht (161) von dem Halbleiterrandabschlussgebiet (107) isoliert ist. Die Abschirmschicht (15) umfasst ein erstes Abschirmgebiet (151) von dem ersten Leitfähigkeitstyp und ein zweites Abschirmgebiet (152) von dem zweiten Leitfähigkeitstyp. Ein lateraler Übergang zwischen dem ersten Abschirmgebiet (151) und dem zweiten Abschirmgebiet (152) bildet einen ersten pn-Übergang (153). Das zweite Abschirmgebiet (152) und das Halbleiterrandabschlussgebiet (107) haben einen gemeinsamen lateralen Erstreckungsbereich (X1).