公开(公告)号：DE102019122614B4

公开(公告)日：2025-05-15

申请号：DE102019122614

申请日：2019-08-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RIESKE RALF ,  BINTER ALEXANDER ,  DIEWALD WOLFGANG ,  GOLLER BERNHARD ,  GRAF HEIMO ,  LACKNER GERALD ,  RICHTER JAN ,  RUPP ROLAND ,  SCHAGERL GÜNTER ,  SWOBODA MARKO

IPC: H01L21/304

Abstract: Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, wobei das Verfahren aufweist:Bereitstellen eines Ausgangssubstrats (100), das ein zentrales Gebiet (110) und ein Randgebiet (180) aufweist, wobei das Randgebiet (180) das zentrale Gebiet (110) umgibt;Ausbilden einer Ablöseschicht (150) im zentralen Gebiet (110), wobei sich die Ablöseschicht (150) parallel zu zwei horizontalen Hauptoberflächen (101, 102) des Ausgangssubstrats (100) erstreckt und wobei die Ablöseschicht (150) modifiziertes Substratmaterial aufweist; undAusbilden einer Vertiefung (190) im Randgebiet (180), wobei die Vertiefung (190) das zentrale Gebiet (110) lateral umschließt, wobei die Vertiefung (190) schräg zur Ablöseschicht (150) verläuft,wobei ein Ausbilden der Vertiefung (190) einen laserunterstützten Materialabtrag aufweist, wobei der laserunterstützte Materialabtrag ein Richten eines Laserstrahls (800) ganz oder teilweise auf eine laterale äußere Oberfläche (103) des Ausgangssubstrats (100) aufweist, wobei die laterale äußere Oberfläche (103) die beiden Hauptoberflächen (101, 102) verbindet und wobei ein Winkel zwischen einer Ausbreitungsrichtung des Laserstrahls (800) und einer horizontalen Ebene zumindest 30 Grad beträgt.

公开(公告)号：DE102019122614A1

公开(公告)日：2021-02-25

申请号：DE102019122614

申请日：2019-08-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RIESKE RALF ,  BINTER ALEXANDER ,  DIEWALD WOLFGANG ,  GOLLER BERNHARD ,  GRAF HEIMO ,  LACKNER GERALD ,  RICHTER JAN ,  RUPP ROLAND ,  SCHAGERL GÜNTER ,  SWOBODA MARKO

IPC: H01L21/304

Abstract: Bereitgestellt wird ein Ausgangssubstrat (100), das ein zentrales Gebiet (110) und ein Randgebiet (180) umfasst. Das Randgebiet (180) umgibt das zentrale Gebiet (110). Im zentralen Gebiet (110) ist eine Ablöseschicht (150) ausgebildet. Die Ablöseschicht (150) erstreckt sich parallel zu einer Hauptoberfläche (101, 102) des Ausgangssubstrats (100). Die Ablöseschicht (150) enthält modifiziertes Substratmaterial. Eine Vertiefung (190) ist im Randgebiet (180) ausgebildet. Die Vertiefung (190) umschließt lateral das zentrale Gebiet (110). Die Vertiefung (190) verläuft vertikal und/oder geneigt zur Ablöseschicht (150).