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公开(公告)号:DE102021101625A1
公开(公告)日:2021-07-29
申请号:DE102021101625
申请日:2021-01-26
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: CALO PAUL ARMAND ASENTISTA , GAN TEK KEONG , KEH SER YEE , LEM TIEN HENG , LIM FONG , STADLER MICHAEL , TAY MEI QI
IPC: H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: Eine elektrische Verbindungsstruktur umfasst ein Bondpad mit einer im Wesentlichen ebenen Bondoberfläche und eine Lötverstärkungsstruktur, die auf der Bondoberfläche angeordnet ist und eine Vielzahl von erhöhten Speichen umfasst, die jeweils von der Bondoberfläche aus angehoben sind. Jede der erhöhten Speichen hat eine geringere Benetzbarkeit relativ zu einem verflüssigten Lotmaterial als die Bondoberfläche. Jede der erhöhten Speichen erstreckt sich radial nach außen von einem Zentrum der Lötverstärkungsstruktur.
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公开(公告)号:DE102019104334A1
公开(公告)日:2020-08-20
申请号:DE102019104334
申请日:2019-02-20
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: STADLER MICHAEL
IPC: H01L23/492 , H01L21/3213 , H01L21/58 , H01L21/60
Abstract: Eine Halbleiteranordnung umfasst einen unteren Halbleiterchip, einen oberen Halbleiterchip, der über einer oberen Hauptseite des unteren Halbleiterchips angeordnet ist, eine Metallisierungsschicht, die an der oberen Hauptseite des unteren Halbleiterchips angeordnet ist und ein Haftungsmaterial, das den oberen Halbleiterchip an dem unteren Halbleiterchip befestigt, wobei die Metallisierungsschicht eine Struktur mit erhöhter Rauheit im Vergleich zur restlichen Metallisierungsschicht aufweist, wobei die Struktur entlang eines Umrisses des oberen Halbleiterchips angeordnet ist.
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公开(公告)号:DE102018126328A1
公开(公告)日:2019-05-23
申请号:DE102018126328
申请日:2018-10-23
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG , PMDTECHNOLOGIES AG
Inventor: DIELACHER MARKUS , FLATSCHER MARTIN , GIGL THOMAS , LOBNIK ROBERT , STADLER MICHAEL
Abstract: Eine Vorrichtung umfassend eine Überwachungsvorrichtung für gesendete Leistung/Energie des Lichts, die ausgebildet ist, um gesendete Leistung/Energie von Licht zu überwachen, das durch eine Lichtquelle übertragen wird, und eine Steuerung, die ausgebildet ist, um eine maximale Lichtsendezeit basierend der gesendeten Leistung/Energie von Licht und einer Schwelle für die gesendete Leistung/Energie des Lichts basierend auf einer Zeit zu bestimmen.
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公开(公告)号:DE102018130147A1
公开(公告)日:2020-05-28
申请号:DE102018130147
申请日:2018-11-28
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: BEMMERL THOMAS , STADLER MICHAEL , MYERS EDWARD , CHONG CHOOI MEI
IPC: H01L21/60 , H01L23/495
Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen Träger, der ein Chippad und einen Kontakt umfasst, einen Halbleiterchip, der eine erste Hauptseite und eine gegenüberliegende zweite Hauptseite umfasst, wobei der Halbleiterchip durch eine erste Lötstelle derart an dem Chippad befestigt ist, dass die zweite Hauptseite dem Chippad zugewandt ist, und einen Kontaktclip mit einem ersten Kontaktbereich und einem zweiten Kontaktbereich, wobei der erste Kontaktbereich durch eine zweite Lötstelle an der ersten Hauptseite des Halbleiterchips befestigt ist und der zweite Kontaktbereich durch eine dritte Lötstelle am Kontakt befestigt ist, wobei der erste Kontaktbereich eine konvexe Form aufweist, die der ersten Hauptseite des Halbleiterchips derart zugewandt ist, dass ein Abstand zwischen der ersten Hauptseite und dem ersten Kontaktbereich von einer Basis des konvexen Bereichs aus zu einem Rand des ersten Kontaktbereichs hin zunimmt, und wobei die Basis entlang einer Linie verläuft, die im Wesentlichen senkrecht zu einer Längsachse des Kontaktclips verläuft.
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公开(公告)号:DE102018119522A1
公开(公告)日:2020-02-13
申请号:DE102018119522
申请日:2018-08-10
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: BEMMERL THOMAS , STADLER MICHAEL
IPC: H01L23/13 , H01L21/48 , H01L21/58 , H01L21/60 , H01L23/488
Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen Die-Träger, der eine X-förmige Aussparung auf einer ersten Oberfläche des Die-Trägers umfasst, ein Halbleiter-Die, das über der ersten Oberfläche des Die-Trägers angeordnet ist und die X-förmige Aussparung zumindest teilweise bedeckt, und einen Haftvermittler, der das Halbleiter-Die an dem Die-Träger befestigt, wobei der Haftvermittler zumindest teilweise in der X-förmigen Aussparung angeordnet ist, wobei jeder der vier Arme der X-förmigen Aussparung zu einer Ecke des Halbleiter-Die zeigt und sich über einen Umriss des Halbleiter-Die erstreckt in einer orthogonalen Projektion auf die erste Oberfläche des Die-Trägers.
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公开(公告)号:DE102024120935A1
公开(公告)日:2025-02-13
申请号:DE102024120935
申请日:2024-07-23
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: TABAJONDA ROWEL VIGARE , STADLER MICHAEL , JUNESCH JULIANE , TAY MEI QI , BARING VILLAMOR AIRA LOURDES , GOH MEI YIH , TAN CHEE VOON
IPC: H01L23/495 , H01L21/60 , H01L23/492 , H01L23/50
Abstract: Eine Komponente (102) für ein Package (100), wobei die Komponente (102) einen funktionellen Körper (108) und eine Benetzbarkeitsschicht (110) aufweist, welche auf einer Hauptoberfläche des funktionellen Körpers (108) angeordnet ist und zum Fördern des Benetzens eines Verbindungsmediums (112) konfiguriert ist, welches auf die Benetzbarkeitsschicht (110) aufzubringen ist, zum Verbinden der Komponente (102) mit einer weiteren Komponente (104) des Packages (100), wobei die Benetzbarkeitsschicht (110) einen seitlichen Umfang hat, von dem zumindest ein Teil einen konkaven Rand (114) hat.
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公开(公告)号:DE102018130936B4
公开(公告)日:2022-08-11
申请号:DE102018130936
申请日:2018-12-05
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: STOEK THOMAS , STADLER MICHAEL
IPC: H01L23/04 , H01L21/52 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L23/06 , H01L23/367 , H01L23/495
Abstract: Halbleitergehäuse (100), umfassend:einen Halbleiterchip (102),einen Einkapselungskörper (104), der den Halbleiterchip (102) einkapselt, undein Metallblech (106) mit einer ersten Blechoberfläche (106_1) und einer gegenüberliegenden zweiten Blechoberfläche (106_2), wobei die erste Blechoberfläche (106_1) an dem Einkapselungskörper (104) freiliegt und wobei der Halbleiterchip (102) an der zweiten Blechoberfläche (106_2) angeordnet ist,wobei die erste Blechoberfläche (106_1) ein Muster mit ersten Parzellen (108) mit einer ersten mittleren Rauheit und zweiten Parzellen (110) mit einer zweiten mittleren Rauheit aufweist, wobei die erste mittlere Rauheit größer als die zweite mittlere Rauheit ist, undwobei das Muster ein Schachbrettmuster, oder ein Muster von in einer Matrix angeordneten Dreiecken, Kreisen, Sechsecken oder Vierecken umfasst.
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公开(公告)号:DE102021006338A1
公开(公告)日:2022-07-28
申请号:DE102021006338
申请日:2021-12-23
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: STADLER MICHAEL , STOEK THOMAS , ZULKIFLI MOHD HASRUL
IPC: H01L21/60 , H01L23/495
Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst ein auf einem Substrat befestigtes Halbleiter-Die und einen an einer vom Substrat abgewandten Seite des Halbleiter-Dies mittels einer Lötstelle befestigten Metallclip. Der Metallclip weist mehrere Schlitze auf, die dahingehend bemessen sind, wenigstens 10 % einer zum Ausbilden der Lötstelle aufgeschmolzenen Lotpaste aufzunehmen. Es werden auch entsprechende Fertigungsverfahren beschrieben.
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公开(公告)号:DE102020122323A1
公开(公告)日:2022-03-03
申请号:DE102020122323
申请日:2020-08-26
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: STADLER MICHAEL , CALO PAUL ARMAND ASENTISTA
IPC: H01L21/60 , H01L23/485
Abstract: Ein Halbleiterchip enthält ein Chip-Pad, das an einer Oberfläche des Halbleiterchips angeordnet ist. Eine dielektrische Schicht ist an der Oberfläche des Halbleiterchips angeordnet. Die dielektrische Schicht hat eine Öffnung, innerhalb derer ein Kontaktabschnitt des Chip-Pads freiliegt, wobei die Öffnung mindestens eine gerade Seite hat. Die dielektrische Schicht umfasst einen Lotflussmittel-Ausgasungsgraben, der getrennt von und in der Nähe der mindestens einen geraden Seite der Öffnung angeordnet ist und sich seitlich über die an die gerade Seite angrenzenden Seiten der Öffnung erstreckt.
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公开(公告)号:DE102024126241A1
公开(公告)日:2025-03-20
申请号:DE102024126241
申请日:2024-09-12
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: GOH MEI YIH , TAN CHEE VOON , YEONG SUNG HOE , STADLER MICHAEL
IPC: H01L23/495 , H01L21/60 , H10D80/20
Abstract: Ein elektrischer Verbindungsclip umfasst einen Chip-Schnittstellenabschnitt, der für das Zusammenfügen zwischen zwei vertikal gestapelten Halbleiterchips angepasst ist, und einen Trägerverbindungsabschnitt, der so konfiguriert ist, dass er die zwei vertikal gestapelten Halbleiterchips mit einem Träger elektrisch verbindet,wobei der Abschnitt der Chip-Schnittstelle eine untere Passfläche, eine obere Passfläche gegenüber der unteren Passfläche und ein Lötmittelrückhalteelement umfasst, das durch eine oder mehrere Nuten in der oberen Passfläche gebildet wird, die von den äußeren Randseiten des elektrischen Verbindungsclips beabstandet sind und einen Die-Befestigungsbereich der oberen Passfläche umgeben.
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