公开(公告)号：DE102009029644A1

公开(公告)日：2010-07-01

申请号：DE102009029644

申请日：2009-09-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GIETLER HERBERT ,  STRASSER MARC

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/761 ,  H01L23/58

Abstract: Beschrieben wird eine Halbleiterbauelementanordnung, die aufweist: einen Halbleiterkörper (100) mit einer ersten und einer zweiten Halbleiterschicht (110, 120); in der zweiten Halbleiterschicht (120): eine erste Bauelementzone (11), eine zweite Bauelementzone (13) und eine Sammelzone (12) eines zu dem ersten Leitungstyp komplementären zweiten Leitungstyps; eine erste Kontaktzone (21), die zwischen der ersten Bauelementzone (11) und der Sammelzone (12) angeordnet ist, die an einen Anschluss für ein definiertes Vorspannungspotential angeschlossen ist und die bis in die erste Halbleiterschicht (110) reicht; eine zweite Kontaktzone (22), die zwischen der ersten Bauelementzone (11) und der zweiten Bauelementzone (13) angeordnet ist, die elektrisch leitend an die Sammelzone (12) angeschlossen ist und die bis in die erste Halbleiterschicht (110) reicht; wenigstens eine dritte Kontaktzone (31), die elektrisch leitend an die Sammelzone (12) angeschlossen ist, die weiter zu der ersten Bauelementzone (11) beabstandet ist als die zweite Kontaktzone (22) und die bis in die erste Halbleiterschicht (110) reicht.

公开(公告)号：DE102004030043B4

公开(公告)日：2006-05-04

申请号：DE102004030043

申请日：2004-06-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAUTERBACH CHRISTL ,  STRASSER MARC

IPC: H01L35/34 ,  H01L35/32

Abstract: Production of a thermal element comprises forming several layer sequence elements by applying an electrically insulating layer on a substrate, forming a thermocouple on the electrically insulating layer, removing the substrate, applying layer sequence elements on each other and electrically connecting together to form the thermal element. The thermocouple consists of a first thermocouple material and a second thermocouple material having different Seebeck coefficients.

公开(公告)号：DE10206919A1

公开(公告)日：2003-08-28

申请号：DE10206919

申请日：2002-02-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MECKES ANDREAS ,  AIGNER ROBERT ,  OPPERMANN KLAUS GUENTER ,  FRANOSCH MARTIN ,  STRASSER MARC

IPC: B81B7/00 ,  H03H9/10 ,  B81C3/00 ,  H01L21/52

Abstract: Production of a cover for a region of a substrate (10) comprises forming a frame structure (18) in the region of the substrate, and applying a lid structure (20) on the frame structure so that the region between the lid structure and the substrate is covered. An Independent claim is also included for a process for the production of a housed component comprising preparing a substrate with a component, forming a cover as above for a region of the substrate, and completing the housed component by applying a material which does not penetrate the region between the lid structure and the substrate.

公开(公告)号：DE10004390A1

公开(公告)日：2001-08-16

申请号：DE10004390

申请日：2000-02-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STRASSER MARC ,  FUELDNER MARC ,  AIGNER ROBERT

IPC: H01L35/32 ,  H01L35/34

Abstract: The thermoelectric generator has a doped semiconductor layer between thermally conductive materials in alignment with a layer plane. The semiconductor layer is structured in regions (1) with p- and n-type sections (11,12) having components (14,15) that lie outside the layer plane. An electrically insulating spacer region (21) is provided between an external component of a p-type section of one region (1) and an external component of an n-type section of an adjacent region (1). The spacer region is arranged vertically w.r.t. the layer plane. Each spacer region is bridged by a metal contact (5) that electrically connects the components separated by the spacer region.

公开(公告)号：DE102004043902B4

公开(公告)日：2007-04-05

申请号：DE102004043902

申请日：2004-09-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： VOIGT PETER ,  STRASSER MARC ,  FISCHER BJOERN ,  GRUENING ULRIKE VON SCHWERIN ,  SCHLOESSER TILL ,  WEIS ROLF

IPC: H01L27/108 ,  G11C11/404

公开(公告)号：DE102005047058A1

公开(公告)日：2007-04-12

申请号：DE102005047058

申请日：2005-09-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHLOESSER TILL ,  WEIS ROLF ,  MOLL HANS-PETER ,  POPP MARTIN ,  STRASSER MARC ,  LUYKEN HANNES

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: In a method for producing a trench transistor, a substrate of a first conduction type is provided and a trench in the substrate and a gate dielectric in the trench are formed. A first conductive filling in the trench as a gate electrode on the gate dielectric and first source and drain regions are formed. An etched-back first conductive filling is produced by etching back the first conductive filling down to a depth below the first source and drain regions and second source and drain regions are formed. The second source and drain regions adjoin the first source and drain regions and extend to a depth at least as far as the etched-back first conductive filling. An insulation spacer above the etched-back first conductive filling is formed in the trench and a second conductive filling is provided in the trench as an upper part of the gate electrode.

公开(公告)号：DE102004047665B3

公开(公告)日：2006-02-16

申请号：DE102004047665

申请日：2004-09-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STRASSER MARC ,  STOEMMER RALPH ,  FISCHER BJOERN

IPC: H01L27/108

Abstract: An electronic component storage cell (8) comprises a capacitor (20) with electrodes (24, 26), a semiconductor switch, a bit conductor, and a metallic connection region. The semiconductor switch has a canal region (32) whose electrical conductivity can be controlled. The canal region and the metallic connection region (28) form a Schottky contact. A tunnel barrier layer is located between the metallic connection region and the canal region.

公开(公告)号：DE102004030043A1

公开(公告)日：2006-01-12

申请号：DE102004030043

申请日：2004-06-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： LAUTERBACH CHRISTL ,  STRASSER MARC

IPC: H01L35/32 ,  H01L35/34

Abstract: Production of a thermal element comprises forming several layer sequence elements by applying an electrically insulating layer on a substrate, forming a thermocouple on the electrically insulating layer, removing the substrate, applying layer sequence elements on each other and electrically connecting together to form the thermal element. The thermocouple consists of a first thermocouple material and a second thermocouple material having different Seebeck coefficients.

公开(公告)号：DE10004390C2

公开(公告)日：2002-05-02

申请号：DE10004390

申请日：2000-02-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： STRASSER MARC ,  FUELDNER MARC ,  AIGNER ROBERT

IPC: H01L35/32 ,  H01L35/34 ,  H01L35/14

公开(公告)号：DE102009029644B4

公开(公告)日：2013-12-24

申请号：DE102009029644

申请日：2009-09-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GIETLER HERBERT ,  STRASSER MARC

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/761 ,  H01L23/58

Abstract: Beschrieben wird eine Halbleiterbauelementanordnung, die aufweist: einen Halbleiterkorper (100) mit einer ersten und einer zweiten Halbleiterschicht (110, 120); in der zweiten Halbleiterschicht (120): eine erste Bauelementzone (11), eine zweite Bauelementzone (13) und eine Sammelzone (12) eines zu dem ersten Leitungstyp komplementären zweiten Leitungstyps; eine erste Kontaktzone (21), die zwischen der ersten Bauelementzone (11) und der Sammelzone (12) angeordnet ist, die an einen Anschluss fur ein definiertes Vorspannungspotential angeschlossen ist und die bis in die erste Halbleiterschicht (110) reicht; eine zweite Kontaktzone (22), die zwischen der ersten Bauelementzone (11) und der zweiten Bauelementzone (13) angeordnet ist, die elektrisch leitend an die Sammelzone (12) angeschlossen ist und die bis in die erste Halbleiterschicht (110) reicht; wenigstens eine dritte Kontaktzone (31), die elektrisch leitend an die Sammelzone (12) angeschlossen ist, die weiter zu der ersten Bauelementzone (11) beabstandet ist als die zweite Kontaktzone (22) und die bis in die erste Halbleiterschicht (110) reicht.