公开(公告)号：DE102015118315A1

公开(公告)日：2017-04-27

申请号：DE102015118315

申请日：2015-10-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WÜBBEN THOMAS ,  IRSIGLER PETER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/22 ,  H01L21/336 ,  H01L29/36 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Verfahren (2) zur Verarbeitung einer Halbleitervorrichtung (1), umfassend: Bereitstellen (20) eines Halbleiterkörpers (10), welcher Dotierstoffe eines ersten Leitfähigkeitstyps aufweist; Ausbilden (21) zumindest eines Grabens (11a), der sich entlang einer vertikalen Richtung (Z) in den Halbleiterkörper (10) erstreckt, wobei der Graben (11a) seitlich von zwei Graben-Seitenwänden (113a) begrenzt wird und vertikal von einem Grabenboden (114a) begrenzt wird; Auftragen (26) einer Substanz (31) auf zumindest einen Abschnitt (111a) einer Grabenoberfläche, welche von einer aus den Graben-Seitenwänden (113a) und/oder dem Grabenboden (114a) des zumindest einen Grabens (11a) ausgebildet wird, wobei das Auftragen (26) der Substanz (31) umfasst, zu verhindern, dass die Substanz auf die andere der Graben-Seitenwände (113a) aufgetragen wird; sowie Diffundieren (28) der aufgetragenen Substanz (31) von dem Abschnitt (111a) in den Halbleiterkörper (10), wodurch im Halbleiterkörper (10) eine Halbleiterregion (12a) erzeugt wird, welche Dotierstoffe eines zweiten Leitfähigkeitstyps aufweist und an den Abschnitt (111a) angrenzend angeordnet ist.

公开(公告)号：DE102016112139B3

公开(公告)日：2018-01-04

申请号：DE102016112139

申请日：2016-07-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  IRSIGLER PETER ,  WÜBBEN THOMAS

IPC: H01L21/263 ,  H01L21/304 ,  H01L21/324 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Beschrieben wird ein Verfahren. Das Verfahren umfasst das Wegstoßen von Verunreinigungsatomen von substitutionellen Plätzen eines Kristallgitters eines Halbleiterkörpers durch Implantieren von Partikeln über eine erste Oberfläche in den Halbleiterkörper, das Reduzieren einer Dicke des Halbleiterkörpers durch Entfernen von Halbleitermaterial des Halbleiterkörpers; und das Ausheilen des Halbleiterkörpers in einem ersten Ausheilprozess bei einer Temperatur zwischen 300 °C und 450 °C, um Verunreinigungsatome aus dem Halbleiterkörper auszudiffundieren.

公开(公告)号：DE102018129467A1

公开(公告)日：2020-05-28

申请号：DE102018129467

申请日：2018-11-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  MAUDER ANTON ,  JELINEK MORIZ ,  WÜBBEN THOMAS

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/328 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Die Offenbarung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements. Das Verfahren umfasst ein Einbringen zumindest eines ersten Dotierstoffs in einen Halbleiterkörper (102) durch eine erste Oberfläche (104) des Halbleiterkörpers (102). Danach erfolgt ein Ausführen einer oder mehrerer Protonenimplantationen. Das Verfahren umfasst zudem ein Einbringen eines zweiten Dotierstoffs in den Halbleiterkörper (102) durch eine der ersten Oberfläche gegenüberliegende zweite Oberfläche (106) mit einem Plasma-basierten Ionenimplantationsverfahren, wobei das Plasma-basierte Ionenimplantationsverfahren mit einem Komplex aus dem zweiten Dotierstoff und Wasserstoff als Prozessgas ausgeführt wird.

公开(公告)号：DE102017118975A1

公开(公告)日：2019-02-21

申请号：DE102017118975

申请日：2017-08-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SUSITI ALEXANDER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  OEFNER HELMUT ,  WÜBBEN THOMAS

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/331 ,  H01L29/32 ,  H01L29/739

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung umfasst ein Reduzieren einer Sauerstoffkonzentration in einem ersten Teil eines CZ-Halbleiterkörpers durch eine thermische Behandlung. Der erste Teil grenzt an eine erste Oberfläche des Halbleiterkörpers. Der Halbleiterkörper wird an der ersten Oberfläche bearbeitet. Eine Dicke des Halbleiterkörpers wird durch Abdünnen des Halbleiterkörpers an einer der ersten Oberfläche gegenüberliegenden zweiten Oberfläche reduziert. Danach wird in dem Halbleiterkörper eine Feldstoppzone durch Protonenimplantationen durch die zweite Oberfläche und Ausheilen des Halbleiterkörpers gebildet. Die Feldstoppzone erstreckt sich in den ersten Teil des CZ-Halbleiterkörpers.

公开(公告)号：DE102016112049B3

公开(公告)日：2017-08-24

申请号：DE102016112049

申请日：2016-06-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： WÜBBEN THOMAS ,  FREUND JOHANNES ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  ÖFNER HELMUT

IPC: H01L21/66 ,  B28D5/00 ,  C30B15/02 ,  H01L21/331

Abstract: Gemäß einem Verfahren zum Herstellen von CZ-Siliziumwafern wird ein CZ-Silizium-Ingot oder ein CZ-Silizium-Ingotabschnitt in CZ-Siliziumwafer geschnitten (S100). Ein Parameter von zumindest zwei der CZ-Siliziumwafer wird gemessen (S110). Eine Gruppe der CZ-Siliziumwafer, die innerhalb einer Toleranz einer Zielspezifikation liegen, wird bestimmt (S120). Die Gruppe der CZ-Siliziumwafer wird unter Berücksichtigung des gemessenen Parameters in Untergruppen unterteilt. Ein Durchschnittswert des Parameters der CZ-Siliziumwafer jeder Untergruppe unterscheidet sich unter den Untergruppen, und eine Toleranz des Parameters der CZ-Siliziumwafer jeder Untergruppe ist geringer als eine Toleranz des Parameters der Zielspezifikation. Eine Kennzeichnung, die dafür eingerichtet ist, zwischen den CZ-Siliziumwafern verschiedener Untergruppen zu unterscheiden, wird präpariert (S130). Die CZ-Siliziumwafer, die innerhalb der Toleranz der Zielspezifikation liegen, werden verpackt (S140).