公开(公告)号：DE102017125105A1

公开(公告)日：2019-05-02

申请号：DE102017125105

申请日：2017-10-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ENZMANN ROLAND HEINRICH ,  ZINI LORENZO ,  EICHINGER VANESSA ,  BARTHEL STEFAN

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) angegeben umfassend- einen Halbleiterkörper (2),- ein erstes und zweites Kontaktelement (4, 5), die zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers (2) vorgesehen sind,- einen Chipträger (3), auf dem der Halbleiterkörper (2) und das erste und zweite Kontaktelement (4, 5) nebeneinander angeordnet sind, wobei das erste und zweite Kontaktelement (4, 5) auf einer ersten Seite (I) des Halbleiterkörpers (2) angeordnet sind,- eine elektrisch leitende Kontaktschicht (6),- eine elektrisch leitende Zuleitungsschicht (7),- eine Isolationsschicht (8), die zwischen der Kontaktschicht (6) und der Zuleitungsschicht (7) angeordnet ist, und- zumindest ein elektrisch leitendes Durchführungselement (9), das in die Isolationsschicht (8) eingebettet ist und die Zuleitungsschicht (7) mit der Kontaktschicht (6) elektrisch verbindet, wobei eine Anzahl und/oder Größe (a1, a2) der Durchführungselemente (9) auf einer der ersten Seite (I) gegenüberliegenden zweiten Seite (II) des Halbleiterkörpers (2) größer ist als auf der ersten Seite (I).

公开(公告)号：DE102017107918A1

公开(公告)日：2018-10-18

申请号：DE102017107918

申请日：2017-04-12

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： WANG XUE ,  BRÖLL MARKUS ,  BARTHEL STEFAN

IPC: H01L33/04 ,  H01L29/205 ,  H01L31/0352

Abstract: Es wird ein Halbleiterchip (20) beschrieben, umfassend eine Halbleiterschichtenfolge (10), die auf einem Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial oder Arsenid-Verbindungshalbleitermaterial basiert, wobei die Halbleiterschichtenfolge (10) einen p-Typ Halbleiterbereich (4) und einen n-Typ Halbleiterbereich (2) enthält. Der n-Typ Halbleiterbereich (2) umfasst eine Übergitterstruktur (20) zur Verbesserung der Stromaufweitung, wobei die Übergitterstruktur (20) eine periodische Anordnung von Halbleiterschichten (21, 22, 23, 24) aufweist. Eine Periode der Übergitterstruktur (20) weist mindestens eine undotierte erste Halbleiterschicht (21) und eine dotierte zweite Halbleiterschicht (22) auf, wobei eine elektronische Bandlücke Eder dotierten zweiten Halbleiterschicht (22) größer ist als eine elektronische Bandlücke Eder undotierten ersten Halbleiterschicht (21).

公开(公告)号：DE112020002474A5

公开(公告)日：2022-02-17

申请号：DE112020002474

申请日：2020-05-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BARTHEL STEFAN ,  NIRSCHL ANNA

IPC: H01L33/38 ,  H01L27/15 ,  H01L33/62

公开(公告)号：DE102021109960A1

公开(公告)日：2022-10-20

申请号：DE102021109960

申请日：2021-04-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MAHDAVI ALI ,  PIETZONKA INES ,  BARTHEL STEFAN ,  GOMEZ-IGLESIAS ALVARO

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/24 ,  H01L33/30

Abstract: Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip angegeben mit- einem ersten dotierten Bereich (2),- einem aktiven Bereich (3), der zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist und der an den ersten dotierten Bereich grenzt, und- einem zweiten dotierten Bereich (4), der an der dem ersten dotierten Bereich (2) abgewandten Seite des aktiven Bereichs (3) angeordnet ist, wobei- der erste dotierte Bereich (2) strukturiert ist, und- der aktive Bereich (3) den ersten dotierten Bereich (2) an einer Seitenfläche (2a) und einer Deckfläche (2b) bedeckt.

公开(公告)号：DE102018111198A1

公开(公告)日：2019-11-14

申请号：DE102018111198

申请日：2018-05-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ENZMANN ROLAND ,  MÜLLER CHRISTIAN ,  ZINI LORENZO ,  EICHINGER VANESSA ,  BARTHEL STEFAN ,  NENSTIEL MARC CHRISTIAN

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/08 ,  H01L33/38 ,  H01L33/64

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (10) umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip (11), der geeignet ist, elektromagnetische Strahlung (15) zu emittieren. Der optoelektronische Halbleiterchip (11) umfasst eine erste Halbleiterschicht (140) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine zweite Halbleiterschicht (150) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, eine erste und eine zweite Stromverteilungsschicht (180, 160), sowie eine Vielzahl elektrischer Kontaktelemente (20, 21, 22). Die erste Halbleiterschicht (140) ist über der zweiten Halbleiterschicht (150) angeordnet. Von dem optoelektronischen Halbleiterchip (11) emittierte elektromagnetische Strahlung (15) wird über eine erste Hauptoberfläche (110) der ersten Halbleiterschicht (140) ausgegeben. Die erste Stromverteilungsschicht (180) ist auf einer von der ersten Halbleiterschicht (140) abgewandten Seite der zweiten Halbleiterschicht (150) angeordnet. Die Vielzahl elektrischer Kontaktelemente (20, 21, 22) ist geeignet, die erste Halbleiterschicht (140) mit der ersten Stromverteilungsschicht (180) elektrisch zu verbinden. Die zweite Stromverteilungsschicht (160) ist mit der zweiten Halbleiterschicht (150) elektrisch verbunden. Die elektrischen Kontaktelemente (20, 21, 22) umfassen ein erstes elektrisches Kontaktelement (20) und ein zweites elektrisches Kontaktelement (21), wobei sich das erste von dem zweiten elektrischen Kontaktelement unterscheidet.

公开(公告)号：DE102017129997B3

公开(公告)日：2019-06-13

申请号：DE102017129997

申请日：2017-12-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： DIMMELMEIER HARALD ,  BARTHEL STEFAN ,  JEREBIC SIMON ,  BEER BENEDIKT ,  LAUX HARALD

IPC: B01F25/64

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst die Vorrichtung (100) zum Aufschlämmen einer Suspension einen Mischbehälter (1) mit einer Einlassöffnung (10), über die die Suspension in den Mischbehälter eingebracht werden kann. Die Vorrichtung umfasst ferner ein Verteilerelement (2) mit einem Auffangbehälter (20) und einem an dem Auffangbehälter befestigten Auslassarm (21) sowie eine Welle (3) mit einer Längsachse. Die Welle und das Verteilerelement sind im Inneren des Mischbehälters angeordnet. Das Verteilerelement ist frei rotierbar um die Welle gelagert. Der Auffangbehälter umfasst eine Auffangöffnung (22), über die die Suspension von der Einlassöffnung in das Verteilerelement gelangen kann. Der Auslassarm umfasst eine Ausströmöffnung (23), über die die Suspension das Verteilerelement verlassen kann. Der Auslassarm ist so ausgebildet, dass die Suspension ausgehend vom Auffangbehälter über den Auslassarm und die Ausströmöffnung aus dem Verteilerelement ausströmen kann und ein solcher Strom der Suspension auf das Verteilerelement ein eine Rotation um die Welle unterstützendes Drehmoment bewirkt.