公开(公告)号：DE112019006631A5

公开(公告)日：2021-09-30

申请号：DE112019006631

申请日：2019-12-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KREINER LAURA ,  BEHRINGER MARTIN RUDOLF

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/22

公开(公告)号：DE102019100624A1

公开(公告)日：2020-07-16

申请号：DE102019100624

申请日：2019-01-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KREINER LAURA ,  BEHRINGER MARTIN

IPC: H01L33/44

Abstract: Ein optoelektronisches Halbleiterbauelement (10) umfasst einen Halbleiterkörper (109) mit einer ersten Hauptoberfläche (111), eine erste dielektrische Schicht (125) über der ersten Hauptoberfläche (111), und eine zweite dielektrische Schicht (130) auf der von der ersten Hauptoberfläche (111) abgewandten Seite der ersten dielektrischen Schicht (125). Die zweite dielektrische Schicht (130) ist zu einer geordneten photonischen Struktur strukturiert. Der Halbleiterkörper (109) ist geeignet, elektromagnetische Strahlung (20) über die erste Hauptoberfläche (111) zu emittieren oder aufzunehmen. Die erste Hauptoberfläche (111) ist aufgeraut, und die erste dielektrische Schicht (125) ist geeignet, eine Aufrauung (112) der ersten Hauptoberfläche (111) einzuebnen.

公开(公告)号：DE102021118463A1

公开(公告)日：2023-01-19

申请号：DE102021118463

申请日：2021-07-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KREINER LAURA ,  HALBRITTER HUBERT

IPC: H01S5/20 ,  H01S5/18 ,  H01S5/323 ,  H01S5/343

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl oberflächenemittierender Halbleiterlaserdioden mit den folgenden Schritten angegeben:- Bereitstellen eines Wachstumssubstrats (1),- Aufbringen einer Maskenschicht (2) mit einer Vielzahl von Öffnungen (21) auf das Wachstumssubstrat (1), so dass Bereiche des Wachstumssubstrats (1) durch die Öffnungen (21) freiliegen,- Aufbringen einer ersten Zwischenschicht (3) zumindest auf die freiliegenden Bereiche des Wachstumssubstrats (1), wobei die erste Zwischenschicht (3) ein quasi-zweidimensionales Material aufweist, und- epitaktisches Aufwachsen einer epitaktischen Halbleiterschichtenfolge (42) auf der ersten Zwischenschicht (3), wobei die epitaktische Halbleiterschichtenfolge eine aktive Schicht (5) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung aufweist.

公开(公告)号：DE112020000567A5

公开(公告)日：2021-12-02

申请号：DE112020000567

申请日：2020-01-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BAUMHEINRICH THORSTEN ,  BEHRINGER MARTIN ,  BIEBERSDORF ANDREAS ,  BOSS RUTH ,  BRANDL MICHAEL ,  BRICK PETER ,  DROLET JEAN-JAQUES ,  HALBRITTER HUBERT ,  KREINER LAURA ,  LANG ERWIN ,  LEBER ANDREAS ,  MEYER TOBIAS ,  PFEUFFER ALEXANDER ,  PHILIPPENS MARC ,  RICHTER JENS ,  SCHWARZ THOMAS ,  TA PAUL ,  VARGHESE TANSEN ,  WANG XUE ,  WITTMANN SEBASTIAN ,  STOLZ JULIA ,  DIEKMANN KARSTEN ,  ENGL KARL ,  HERRMANN SIEGFRIED ,  HAHN BERTHOLD ,  ILLEK STEFAN ,  JENTZSCH BRUNO ,  PERZLMAIER KORBINIAN ,  PIETZONKA INES ,  RAUSCH ANDREAS ,  REGAU KILIAN ,  RUEGHEIMER TILMAN ,  SCHWALENBERG SIMON ,  SOELL CHRISTOPHER ,  STAUSS PETER ,  SUNDGREN PETRUS ,  VU HOA ,  WIESMANN CHRISTOPHER ,  BOGNER GEORG ,  HÖRNER PATRICK ,  KLEMP CHRISTOPH ,  MÜLLER JENS ,  NEVELING KERSTIN ,  PARK JONG ,  RAFAEL CHRISTINE ,  SINGER FRANK ,  CHAND KANISHK ,  FEIX FELIX ,  MÜLLER CHRISTIAN ,  RUMMEL EVA-MARIA ,  HEITZER NICOLE ,  ASSMANN MARIE ,  BERGER CHRISTIAN ,  KANEVCE ANA

IPC: H01L33/62 ,  G09F9/33 ,  H01L25/075 ,  H01L33/60

公开(公告)号：DE102021207298A1

公开(公告)日：2023-01-12

申请号：DE102021207298

申请日：2021-07-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KREINER LAURA ,  RISTIC JELENA

IPC: H01L33/20 ,  H01L25/075

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips (1) angegeben, umfassend:- Bereitstellen eines Substrats (2),- Aufbringen einer Zwischenschicht (3) auf das Substrat (2),- Aufbringen einer halbleitenden Schichtenfolge (4) auf die Zwischenschicht (3),- Aufbringen einer Ätzstoppschicht (7) auf die halbleitende Schichtenfolge (4),- epitaktisches Aufbringen eines Halbleiterkörpers (8) mit einer schrägen Seitenfläche (9) auf der Ätzstoppschicht (7), und- Entfernen des Substrats (2), der Zwischenschicht (3) und der halbleitenden Schichtenfolge (4) bis zur Ätzstoppschicht (7) .Des Weiteren wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip (1) angegeben.

公开(公告)号：DE102021102277A1

公开(公告)日：2022-08-04

申请号：DE102021102277

申请日：2021-02-01

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HALBRITTER HUBERT ,  KREINER LAURA

IPC: H01S5/18 ,  F21K9/90 ,  G02B6/10 ,  G02B6/42 ,  G02B27/10 ,  H01S5/026 ,  H01S5/10 ,  H01S5/20 ,  H01S5/42

Abstract: Ein oberflächenemittierender Halbleiterlaser (10) umfasst eine erste Halbleiterschicht (110) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, eine aktive Zone (115), die geeignet ist, elektromagnetische Strahlung (20) zu erzeugen, eine geordnete photonische Struktur (132) und eine zweite Halbleiterschicht (120) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp. Die aktive Zone (115) ist zwischen der ersten und der zweiten Halbleiterschicht (110, 120) angeordnet. Die geordnete photonische Struktur (132) ist in der ersten Halbleiterschicht (110) ausgebildet, und ein Teil der ersten Halbleiterschicht (110) grenzt an beide Seiten der geordneten photonischen Struktur (132) an. Alternativ ist die geordnete photonische Struktur (132) in einer zusätzlichen Halbleiterschicht (130) zwischen der aktiven Zone (115) und der zweiten Halbleiterschicht (120) angeordnet. Ein Teil der zusätzlichen Halbleiterschicht (130) ist zwischen der geordneten photonischen Struktur (132) und der zweiten Halbleiterschicht (120) angeordnet.

公开(公告)号：DE102019134756A1

公开(公告)日：2021-06-17

申请号：DE102019134756

申请日：2019-12-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： KREINER LAURA ,  MÜLLER JENS

IPC: H01L25/075 ,  H01L21/302 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78 ,  H01L27/15

Abstract: Das Verfahren zur Herstellung einer Beleuchtungsvorrichtung umfasst einen Verfahrensschritt A), in dem ein Waferverbund mit einer auf einem Trägersubstrat angeordneten Halbleiterschichtenfolge bereitgestellt wird. Weiter umfasst das Verfahren einen Verfahrensschritt B), in dem der Waferverbund in eine Vielzahl erster optoelektronischer Halbleiterchips mit jeweils einem Abschnitt der Halbleiterschichtenfolge und des Trägersubstrats durchtrennt wird. In einem weiteren Verfahrensschritt C) werden zumindest einige der ersten optoelektronischen Halbleiterchips auf einen ersten Hilfsträger übertragen. Des Weiteren umfasst das Verfahren einen Verfahrensschritt D), in dem die ersten optoelektronischen Halbleiterchips auf dem ersten Hilfsträger zur Anpassung an eine vorgegebene Form zugeschnitten werden. In einem weiteren Verfahrensschritt E) werden die ersten optoelektronischen Halbleiterchips von dem ersten Hilfsträger auf einen Träger übertragen.