公开(公告)号：DE102011003684A1

公开(公告)日：2012-08-09

申请号：DE102011003684

申请日：2011-02-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EIBL JOHANN ,  ENGL KARL ,  LAMFALUSI TAMAS ,  MAUTE MARKUS

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/38

Abstract: Ein optoelektronischer Halbleiterchip (100) mit einer Epitaxieschichtenfolge (102) umfasst eine dotierte Epitaxieschicht (104) mit einem ersten Bereich (116) und einem zweiten Bereich (118) und eine geschützte Struktur (108, 106). Der erste Bereich (116) der dotierten Epitaxieschicht (104) überdeckt die geschützte Struktur (108, 106) vollständig. Die äußere Oberfläche (119) der dotierten Epitaxieschicht (104) weist im ersten Bereich (116) eine erste Rauheit und im zweiten Bereich (118) eine zweite Rauheit auf.

公开(公告)号：DE112014003318A5

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：DE112014003318

申请日：2014-06-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： HUBER MICHAEL ,  MAUTE MARKUS ,  ENGL KARL ,  HARTUNG GEORG ,  EIBL JOHANN

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/00 ,  H01L33/22 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40

公开(公告)号：DE102013107531A1

公开(公告)日：2015-01-22

申请号：DE102013107531

申请日：2013-07-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ENGL KARL ,  HARTUNG GEORG ,  EIBL JOHANN ,  HUBER MICHAEL ,  MAUTE MARKUS

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/46

Abstract: Es wird optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, bei dem eine Verkapselungsschicht (13), die eine ALD-Schicht ist, eine erste Spiegelschicht (21) an ihrer einem p-leitenden Bereich (3) abgewandten Seite vollständig überdeckt und sich stellenweise in direktem Kontakt mit der ersten Spiegelschicht (21) befindet.

公开(公告)号：DE102010009717A1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：DE102010009717

申请日：2010-03-01

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MAUTE MARKUS DR ,  ENGL KARL ,  BRUENINGHOFF STEFANIE DR ,  GMEINWIESER NIKOLAUS DR ,  EIBL JOHANN

IPC: H01L33/60

Abstract: Es wird ein Leuchtdiodenchip mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) angegeben, die eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung geeignete aktive Schicht (3) aufweist, wobei der Leuchtdiodenchip (1) an einer Vorderseite eine Strahlungsaustrittsfläche (4) aufweist. Der Leuchtdiodenchip (1) weist an einer der Strahlungsaustrittsfläche (4) gegenüberliegenden Rückseite zumindest bereichsweise eine Spiegelschicht (5) auf, die Silber enthält. Eine funktionelle Schicht (6) zur Verminderung der Korrosion und/oder Verbesserung der Haftung der Spiegelschicht ist auf der Spiegelschicht (5) angeordnet, wobei ein Material, aus dem die funktionelle Schicht (6) gebildet ist, auch in der Spiegelschicht (5) enthalten ist.

公开(公告)号：DE102013100818A1

公开(公告)日：2014-07-31

申请号：DE102013100818

申请日：2013-01-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： EIBL JOHANN ,  TAEGER SEBASTIAN ,  HÖPPEL LUTZ ,  ENGL KARL ,  RAMMELSBERGER STEFANIE ,  MAUTE MARKUS ,  HUBER MICHAEL ,  HARTMANN RAINER ,  HARTUNG GEORG

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, mit – einem Halbleiterkörper (40), der einen zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (42) umfasst, – eine erste Spiegelschicht (21), die zur Reflexion der elektromagnetischen Strahlung vorgesehen ist, – einer ersten Verkapselungsschicht (31), die mit einem elektrisch isolierenden Material gebildet ist, und – einem Träger (10), der dazu vorgesehen ist, die erste Verkapselungsschicht (31), die erste Spiegelschicht (21) und den Halbleiterkörper (40) mechanisch zu stützen, wobei – die erste Spiegelschicht (21) zwischen dem Träger (10) und dem Halbleiterkörper (40) angeordnet ist, – die erste Verkapselungsschicht (31) zwischen dem Träger (10) und der ersten Spiegelschicht (21) angeordnet ist, und – die erste Verkapselungsschicht (31) eine ALD-Schicht ist.