公开(公告)号：DE102018107615A1

公开(公告)日：2019-03-07

申请号：DE102018107615

申请日：2018-03-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRÖLL MARKUS ,  HUBER MICHAEL ,  SOMMERFELD JANA ,  HERZ MARTIN ,  HOIBL SEBASTIAN ,  RUMBOLZ CHRISTIAN ,  KIESLICH ALBRECHT ,  BÖHM BERND ,  ROSSBACH GEORG

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/58

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips mit den folgenden Schritten angegeben:- Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (1) mit einer Strahlungsdurchtrittsfläche (1a), und- Einbringen von Strukturen (2) in den Halbleiterkörper (1) an der Strahlungsdurchtrittsfläche (1a), wobei- die Strukturen (2) quasi-regelmäßig angeordnet werden.

公开(公告)号：DE102013108876B4

公开(公告)日：2022-08-18

申请号：DE102013108876

申请日：2013-08-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BÖHM BERND ,  HOIBL SEBASTIAN

IPC: G03F7/20 ,  H01L33/00

Abstract: Fotolithografisches Verfahren zur Herstellung einer Struktur (1), die sich als Auskoppelstruktur eignet, in einem Strahlung emittierenden Halbleiterbauelement (10) mit den Schritten:- Bereitstellen eines Halbleiterwafers (6), der eine Halbleiterschichtenfolge (8) zur Bildung des Strahlung emittierenden Halbleiterbauelements (10) aufweist,- Aufbringen einer ersten Fotolackschicht (5) auf den Halbleiterwafer (6),- Bereitstellen einer Maske (3), welche mehrere Maskenelemente (4) aufweist,- Anordnen der Maske (3) relativ zu dem beschichteten Halbleiterwafer (6) an einer ersten Position,- Belichtung der ersten Fotolackschicht (5) und Abbilden der Maske (3) in der ersten Fotolackschicht (5),- Anordnen der Maske (3) oder einer anderen Maske relativ zum Halbleiterwafer (6) an einer von der ersten Position verschiedenen zweiten Position, erneute Belichtung der ersten Fotolackschicht (5) und Abbilden der Maske (3) in der ersten Fotolackschicht (5) oder- Aufbringen einer zweiten Fotolackschicht auf die erste Fotolackschicht (5), Anordnen der Maske (3) oder einer anderen Maske relativ zum Halbleiterwafer (6) an einer von der ersten Position verschiedenen zweiten Position und Belichtung der zweiten Fotolackschicht und Abbilden der Maske (3) in der zweiten Fotolackschicht,- Ausbilden einer strukturierten Fotolackschicht (5) und Strukturierung des Halbleiterwafers (6) mittels der strukturierten Fotolackschicht (5), wobei am Halbleiterwafer (6) mehrere Strukturelemente (2, 2a, 2b) ausgebildet werden, und wobei ein größter Abstand (a) zwischen den Strukturelementen (2) kleiner ist als ein größter Abstand (a', a1) zwischen den Maskenelementen (4),- Vereinzelung des Halbleiterwafers (6) in eine Mehrzahl von Strahlung emittierenden Halbleiterbauelementen (10), die jeweils eine Struktur (1) aufweisen, die mehrere Strukturelemente (2, 2a, 2b) umfasst.

公开(公告)号：DE102013108876A1

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：DE102013108876

申请日：2013-08-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BÖHM BERND ,  HOIBL SEBASTIAN

IPC: G03F7/20

Abstract: Es wird ein fotolithografisches Verfahren zur Herstellung einer Struktur (1) in einem Strahlung emittierenden Halbleiterbauelement (10) angegeben mit den Schritten: – Bereitstellen eines Halbleiterwafers (6), der eine Halbleiterschichtenfolge (8) zur Bildung des Strahlung emittierenden Halbleiterbauelements (10) aufweist, – Aufbringen einer ersten Fotolackschicht (5) auf den Halbleiterwafer (6), – Bereitstellen einer Maske (3), welche mehrere Maskenelemente (4) aufweist, – Anordnen der Maske (3) relativ zu dem beschichteten Halbleiterwafer (6) an einer ersten Position, – Belichtung der ersten Fotolackschicht (5) und Abbilden der Maske (3) in der ersten Fotolackschicht (5), – Anordnen der Maske (3) oder einer anderen Maske relativ zum Halbleiterwafer (5) an einer von der ersten Position verschiedenen zweiten Position, erneute Belichtung der ersten Fotolackschicht (5) und Abbilden der Maske (3) in der ersten Fotolackschicht (5) oder – Aufbringen einer zweiten Fotolackschicht auf die erste Fotolackschicht (5), Anordnen der Maske (3) oder einer anderen Maske relativ zum Halbleiterwafer (6) an einer von der ersten Position verschiedenen zweiten Position und Belichtung der zweiten Fotolackschicht und Abbilden der Maske (3) in der zweiten Fotolackschicht, – Ausbilden einer strukturierten Fotolackschicht (5) und Strukturierung des Halbleiterwafers (6) mittels der strukturierten Fotolackschicht (5), wobei am Halbleiterwafer (6) mehrere Strukturelemente (2, 2a, 2b) ausgebildet werden, und wobei ein größter Abstand (a) zwischen den Strukturelementen (2) kleiner ist als ein größter Abstand (a’, a1) zwischen den Maskenelementen (4), – Vereinzelung des Halbleiterwafers (6) in eine Mehrzahl von Strahlung emittierenden Halbleiterbauelementen (10), die jeweils eine Struktur (1) aufweisen, die mehrere Strukturelemente (2, 2a, 2b) umfasst.

公开(公告)号：DE102013108875A1

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：DE102013108875

申请日：2013-08-16

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BÖHM BERND ,  HOIBL SEBASTIAN

IPC: G03F7/20

Abstract: Es wird ein fotolithografisches Verfahren zur Herstellung einer Struktur (9) in einem Strahlung emittierenden Halbleiterbauelement (13) mit folgenden Schritten angegeben: – Bereitstellen eines Halbleiterwafers (7), der eine Halbleiterschichtenfolge (11) zur Bildung des Strahlung emittierenden Halbleiterbauelements (13) aufweist, – Aufbringen einer Fotolackschicht (4) auf den Halbleiterwafer (7), – Bereitstellen einer Maske (1), welche mindestens ein Maskenelement (2) aufweist, – Anordnen der Maske (1) relativ zu dem beschichteten Halbleiterwafer (7) an einer ersten Position (x1), – Belichtung der Fotolackschicht (4) und Abbilden der Maske (1) in der Fotolackschicht (4), – Anordnen der Maske (1) oder einer anderen Maske relativ zum Halbleiterwafer (7) an einer von der ersten Position (x1) verschiedenen zweiten Position (x2), – erneute Belichtung der Fotolackschicht (4) und Abbilden der Maske (1) in der Fotolackschicht (4), – Ausbilden einer strukturierten Fotolackschicht (4) und Strukturierung des Halbleiterwafers (7) mittels der strukturierten Fotolackschicht (4), wobei am Halbleiterwafer (7) mindestens ein Strukturelement (10) ausgebildet wird, und wobei mindestens eine laterale Abmessung (d’’) des Strukturelements (10) kleiner ist als eine entsprechende laterale Abmessung (d) des Maskenelements (2), – Vereinzelung des Halbleiterwafers (7) in eine Mehrzahl von Strahlung emittierenden Halbleiterbauelementen (13), die jeweils eine Struktur (9) aufweisen, die mindestens ein Strukturelement (10) umfasst.