公开(公告)号：DE102018107615A1

公开(公告)日：2019-03-07

申请号：DE102018107615

申请日：2018-03-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRÖLL MARKUS ,  HUBER MICHAEL ,  SOMMERFELD JANA ,  HERZ MARTIN ,  HOIBL SEBASTIAN ,  RUMBOLZ CHRISTIAN ,  KIESLICH ALBRECHT ,  BÖHM BERND ,  ROSSBACH GEORG

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/58

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips mit den folgenden Schritten angegeben:- Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (1) mit einer Strahlungsdurchtrittsfläche (1a), und- Einbringen von Strukturen (2) in den Halbleiterkörper (1) an der Strahlungsdurchtrittsfläche (1a), wobei- die Strukturen (2) quasi-regelmäßig angeordnet werden.

公开(公告)号：DE102012109590A1

公开(公告)日：2014-04-10

申请号：DE102012109590

申请日：2012-10-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PETER MATTHIAS ,  PERZLMAIER KORBINIAN ,  MAUTE MARKUS ,  BAUR JOHANNES ,  ENGL KARL ,  TAEGER SEBASTIAN ,  KIESLICH ALBRECHT

IPC: H01L33/14 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/74

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform ist das Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips (1) eingerichtet. Es umfasst das Verfahren die folgenden Schritte: – Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (2), – Erzeugen einer Halbleiterschichtenfolge (3) auf dem Aufwachssubstrat (2), wobei die Halbleiterschichtenfolge (3) eine n-Seite (31), eine p-Seite (33) und eine zu einer Strahlungserzeugung vorgesehene aktive Schicht (33) aufweist und die aktive Schicht (32) zwischen der p-Seite (33) und der n-Seite (31) angeordnet ist und sich die n-Seite (31) dem Aufwachssubstrat (2) am Nächsten befindet, und – Dotieren der n-Seite (31) durch die aktive Schicht (32) hindurch mittels Ionenimplantation.

公开(公告)号：DE102012101409A1

公开(公告)日：2013-06-27

申请号：DE102012101409

申请日：2012-02-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： RODE PATRICK ,  HOEPPEL LUTZ ,  MALM NORWIN VON ,  ILLEK STEFAN ,  KIESLICH ALBRECHT ,  HERRMANN SIEGFRIED

IPC: H01L33/20 ,  H01L25/075 ,  H01L31/12 ,  H01L31/18 ,  H01S5/34

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips (1) angegeben, wobei ein Schichtverbund (10) mit einer Hauptebene (3), die den Schichtverbund (10) in einer vertikalen Richtung begrenzt, und mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) mit einem zur Erzeugung und/oder Detektion von Strahlung vorgesehenen aktiven Bereich (20) bereitgestellt wird, wobei in dem Schichtverbund (10) eine Mehrzahl von Ausnehmungen (31) ausgebildet ist, die sich von der Hauptebene (3) in Richtung des aktiven Bereichs (20) erstrecken. Auf der Hauptebene (3) wird eine Planarisierungsschicht ausgebildet, sodass die Ausnehmungen zumindest teilweise mit Material der Planarisierungsschicht (6) befüllt werden. Material der Planarisierungsschicht (6) wird zumindest bereichsweise zum Einebenen der Planarisierungsschicht entfernt. Die Halbleiterchips (1) werden fertig gestellt, wobei für den Halbleiterchip (1) aus der Halbleiterschichtenfolge (2) zumindest ein Halbleiterkörper (200) hervorgeht. Weiterhin wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben.