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    Laserbauelement, Verwendung eines Laserbauelements, Vorrichtung mit Laserbauelement und Verfahren zur Herstellung von Laserbauelementen
    1.
    发明专利
    Laserbauelement, Verwendung eines Laserbauelements, Vorrichtung mit Laserbauelement und Verfahren zur Herstellung von Laserbauelementen 未知

    公开(公告)号：DE102017119778A1

    公开(公告)日：2019-02-28

    申请号：DE102017119778

    申请日：2017-08-29

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ROSSBACH GEORG ,  HALBRITTER HUBERT

    IPC: H01S5/02

    Abstract: Es wird ein Laserbauelement (1) angegeben, umfassend- einen oberflächenemittierenden Halbleiterlaser (10), welcher dazu eingerichtet ist elektromagnetische Strahlung entlang einer Abstrahlungsachse zu emittieren,- ein optisches Element (20), welches dem Halbleiterlaser (10) entlang der Abstrahlungsachse nachgeordnet ist, wobei das optische Element (20) eine diffraktive Struktur (200) umfasst, und- ein weiteres optisches Element (25), das dazu eingerichtet ist, eine bezogen auf die Abstrahlungsachse asymmetrische Abstrahlung der Strahlung zu bewirken.Weiterhin werden eine Verwendung eines Laserbauelements, eine Vorrichtung (9) mit einem Laserbauelement und ein Verfahren zur Herstellung von Laserbauelementen angegeben.

    Optoelektronisches Bauelement
    6.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauelement 未知

    公开(公告)号：DE102016117189A1

    公开(公告)日：2018-03-15

    申请号：DE102016117189

    申请日：2016-09-13

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： VARGHESE TANSEN ,  OBRIEN DAVID ,  ROSSBACH GEORG

    IPC: H01L33/50 ,  C09K11/08 ,  F21K9/64

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement umfassend eine Schichtenfolge mit einer aktiven Schicht, die dazu eingerichtet ist, im Betrieb des Bauelements eine elektromagnetische Primärstrahlung zu emittieren und ein Konversionselement, das im Strahlengang der elektromagnetischen Primärstrahlung angeordnet ist, angegeben. Das Konversionselement umfasst Quantenpunkte, die dazu eingerichtet sind, im Betrieb des Bauelements zumindest teilweise die elektromagnetische Primärstrahlung in eine elektromagnetische Sekundärstrahlung zu konvertieren. Die Quantenpunkte weisen einen Durchmesser von einschließlich 50 nm bis einschließlich 500 nm auf.

    Substrat mit Strukturelementen und Halbleiterbauelement
    7.
    发明专利
    Substrat mit Strukturelementen und Halbleiterbauelement 未知

    公开(公告)号：DE102016200957A1

    公开(公告)日：2017-07-27

    申请号：DE102016200957

    申请日：2016-01-25

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： GOTSCHKE TOBIAS ,  ROSSBACH GEORG

    IPC: H01L33/20

    Abstract: Es wird ein Substrat (1) mit einer Abscheideseite (10) und einer der Abscheideseite gegenüberliegenden Rückseite (11) angegeben, wobei an der Abscheideseite erste Strukturelemente und zweite Strukturelemente angeordnet sind und die ersten Strukturelemente und die zweiten Strukturelemente bereichsweise übereinander angeordnet sind. Weiterhin wird ein Halbleiterbauelement (8) mit einem solchen Substrat angegeben.

    Verfahren zur Herstellung eines Mehrschichtoptikelements
    8.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines Mehrschichtoptikelements 未知

    公开(公告)号：DE102018104932A1

    公开(公告)日：2019-09-05

    申请号：DE102018104932

    申请日：2018-03-05

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ROSSBACH GEORG ,  HALBRITTER HUBERT

    IPC: G02B1/10 ,  C23C4/10 ,  C23C16/30 ,  G02B5/18 ,  G02B27/42 ,  G03F1/80

    Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Mehrschichtoptikelements (100) angegeben mit den Schritten:A) Bereitstellung eines Substrats (10),B) Aufbringen einer ersten Optikschicht (1) mit den Teilschritten:B1) Aufbringen einer ersten Schicht (11) aufweisend ein dielektrisches erstes Material (4) mit einem ersten Brechungsindex,B2) Strukturierung der ersten Schicht,B3) Auffüllen der ersten Zwischenräume mit einem dielektrischen zweiten Material (5) mit einem zweiten, vom ersten Brechungsindex verschiedenen Brechungsindex, so dass das zweite Material zumindest eine gleiche Höhe wie das erste Material aufweist,C) Aufbringen zumindest einer zweiten Optikschicht (2) mit den Teilschritten:C1) Aufbringen einer zweiten Schicht (21) aufweisend das erste Material,C2) Strukturierung der zweiten Schicht, so dass die erste Optikschicht in zweiten Zwischenräumen zwischen zweiten Bereichen mit dem ersten Material freigelegt wird,C3) Auffüllen der zweiten Zwischenräume mit dem zweiten Material, so dass das zweite Material zumindest eine gleiche Höhe wie das erste Material aufweist.

    Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
    10.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements 未知

    公开(公告)号：DE102017113549A1

    公开(公告)日：2018-12-20

    申请号：DE102017113549

    申请日：2017-06-20

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HOLLAND BRENDAN ,  ROSSBACH GEORG ,  HAHN BERTHOLD

    IPC: H01L33/20

    Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben (1) mit einem Halbleiterkörper (10), umfassend einen ersten Bereich (101) eines ersten Leitungstyps, einen zweiten Bereich (102) eines zweiten Leitungstyps (102) und einen aktiven Bereich (103). Der aktive Bereich (103) ist zwischen dem ersten Bereich (101) und dem zweiten Bereich (102) angeordnet. Das optoelektronische Bauelement (1) weist zumindest ein Strukturelement (150), das innerhalb des ersten Bereichs (101) angeordnet ist auf. Wobei, der aktive Bereich (103) zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist. Der Halbleiterkörper (10) weist eine Strahlungsaustrittsfläche (10A) an einer dem aktiven Bereich (103) abgewandten Hauptfläche des ersten Bereichs (101) auf, durch die ein Teil der im Betrieb erzeugten elektromagnetischen Strahlung den Halbleiterkörper (10) verlässt. Das zumindest eine Strukturelement (150) weist einen Brechungsindex auf, der sich vom Brechungsindex des Halbleiterkörpers (10) im ersten Bereich (101) unterscheidet. Die Strahlungsaustrittsfläche (10A) ist glatt ausgebildet.Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Bauelements (1) angegeben.

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