公开(公告)号：DE112017004835A5

公开(公告)日：2019-06-13

申请号：DE112017004835

申请日：2017-09-26

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BEHRINGER MARTIN RUDOLF ,  HOLLAND BRENDAN ,  SOMMERFELD JANA ,  VOM DORP SABINE

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42

公开(公告)号：DE102016118241A1

公开(公告)日：2018-03-29

申请号：DE102016118241

申请日：2016-09-27

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BEHRINGER MARTIN RUDOLF ,  HOLLAND BRENDAN ,  SOMMERFELD JANA ,  VOM DORP SABINE

IPC: H01L33/38 ,  H01L21/283 ,  H01L23/482

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Herstellen einer elektrischen Kontaktierung einer Halbleiterschicht (2) angegeben, umfassend die Schritte: a) Bereitstellen der Halbleiterschicht; b) Ausbilden einer Mehrzahl von Kontaktstäben (3) auf der Halbleiterschicht; c) Ausbilden einer Füllschicht (4) auf den Kontaktstäben und in Zwischenräumen (5) zwischen den Kontaktstäben; und d) Freilegen der Kontaktstäbe. Weiterhin wird ein Halbleiterbauelement (7) mit elektrischer Kontaktierung (1) angegeben.

公开(公告)号：DE102018107615A1

公开(公告)日：2019-03-07

申请号：DE102018107615

申请日：2018-03-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BRÖLL MARKUS ,  HUBER MICHAEL ,  SOMMERFELD JANA ,  HERZ MARTIN ,  HOIBL SEBASTIAN ,  RUMBOLZ CHRISTIAN ,  KIESLICH ALBRECHT ,  BÖHM BERND ,  ROSSBACH GEORG

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/58

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips mit den folgenden Schritten angegeben:- Bereitstellen eines Halbleiterkörpers (1) mit einer Strahlungsdurchtrittsfläche (1a), und- Einbringen von Strukturen (2) in den Halbleiterkörper (1) an der Strahlungsdurchtrittsfläche (1a), wobei- die Strukturen (2) quasi-regelmäßig angeordnet werden.