中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

6 records (took 0.027 seconds)

    Luminescence diode chip having converter layer, and method of manufacturing the same
    1.
    发明专利
    Luminescence diode chip having converter layer, and method of manufacturing the same 有权
    具有转换层的发光二极管芯片及其制造方法

    公开(公告)号：JP2006108662A

    公开(公告)日：2006-04-20

    申请号：JP2005277494

    申请日：2005-09-26

    Applicant: Osram Opto Semiconductors Gmbh ,  オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH

    Inventor： RICHTER MARKUS ,  EBERHARD FRANZ ,  HOLZER PETER ,  MICHAEL GUENTHER EWALD K

    IPC: H01L33/50

    CPC classification number: H01L33/508

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a luminescence diode chip having improved properties, with regard to a desired color space spectrum and having it, especially possible to realize a color space spectrum of satisfactorily increased uniformity.
    SOLUTION: The luminescence diode chip is configured with an aim such that it has a sequence of semiconductor layers 5 adapted to emitting primary electromagnetic radiation, and a converter layer 2 provided on at least one of major faces 11 of the sequence of semiconductor layer 5, the converter layer 2 having at least one light-emitting substance suitable for converting a portion of the primary radiation into secondary radiation having a wavelength region at least partially different from that of the primary radiation, wherein at least a portion of the secondary radiation and at least a portion of the unconverted primary radiation are superimposed to form a mixed color, having a resultant color coordinate and the converter layer 2 coordinates the relation of the resultant color coordinate to the observation angle.
    COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

    Abstract translation: 要解决的问题：为了提供具有改进的性能的发光二极管芯片，关于期望的色彩空间谱并具有它，特别是可以实现令人满意地增加的均匀性的色彩空间光谱。 解决方案：发光二极管芯片被配置为具有使得其具有适于发射主要电磁辐射的半导体层5的序列的目标，以及设置在半导体序列的主面11中的至少一个面上的转换器层2 层5，转换层2具有至少一种适用于将主辐射的一部分转换成具有至少部分不同于初级辐射的波长区域的次级辐射的发光物质，其中至少一部分次级辐射 辐射和未转换的主辐射的至少一部分被叠加以形成具有所得颜色坐标并且转换器层2协调所得颜色坐标与观察角度的关系的混合颜色。 版权所有（C）2006，JPO＆NCIPI

    Lumineszenzdiodenchip mit einer Konverterschicht und Verfahren zur Herstellung eines Lumineszenzdiodenchips mit einer Konverterschicht
    4.
    发明专利
    Lumineszenzdiodenchip mit einer Konverterschicht und Verfahren zur Herstellung eines Lumineszenzdiodenchips mit einer Konverterschicht 未知

    公开(公告)号：DE102004047727B4

    公开(公告)日：2018-01-18

    申请号：DE102004047727

    申请日：2004-09-30

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HOLZER PETER ,  GUENTHER EWALD KARL MICHAEL DR ,  EBERHARD FRANZ ,  RICHTER MARKUS

    IPC: H01L33/50

    Abstract: Lumineszenzdiodenchip – mit einer Halbleiterschichtenfolge, die geeignet ist, eine elektromagnetische Primärstrahlung zu emittieren, und – mit einer Konverterschicht, die auf mindestens einer Hauptfläche der Halbleiterschichtenfolge aufgebracht ist und die mindestens einen Leuchtstoff aufweist, der geeignet ist, einen Teil der Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung zu konvertieren, die einen verglichen mit der Primärstrahlung zumindest teilweise unterschiedlichen Wellenlängenbereich aufweist, wobei – sich zumindest ein Teil der Sekundarstrahlung und zumindest ein Teil der unkonvertierten Primärstrahlung zu einer Mischstrahlung mit einem resultierenden Farbort überlagern, – die Konverterschicht gezielt zur Einstellung einer Abhängigkeit des resultierenden Farbortes von einem Betrachtungswinkel strukturiert ist, und – die Konverterschicht derart strukturiert ist, dass die Hauptfläche einen Streifen aufweist, der entlang dem Rand des Lumineszenzdiodenchips verläuft und der frei von der Konverterschicht ist oder in dem die Konverterschicht gegenüber ihren übrigen auf der Hauptfläche angeordneten Bereichen eine verringerte Dicke aufweist.

    Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und damit hergestelltes optoelektronisches Halbleiterbauteil
    5.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und damit hergestelltes optoelektronisches Halbleiterbauteil 未知

    公开(公告)号：DE102012104882B4

    公开(公告)日：2017-06-08

    申请号：DE102012104882

    申请日：2012-06-05

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SCHLERETH THOMAS ,  BESTELE MICHAEL ,  GÄRTNER CHRISTIAN ,  GEBUHR TOBIAS ,  GALLMEIER HANS-CHRISTOPH ,  HOLZER PETER ,  ARNDT KARLHEINZ ,  SCHNEIDER ALBERT

    IPC: H01L21/50 ,  H01L21/66 ,  H01L23/495 ,  H01L33/48

    Abstract: Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) mit den Schritten: – Bereitstellen eines Leiterrahmenverbunds (20) mit einer Vielzahl von in Zeilen (R) und Spalten (C) angeordneten Leiterrahmen (2), wobei die Leiterrahmen (2) je mindestens zwei entlang der Zeilen (R) aufeinanderfolgende Leiterrahmenteile (21, 22) umfassen und die Leiterrahmen (2) je für eines der Halbleiterbauteile (1) vorgesehen sind, – Umformen mindestens eines Teils des Leiterrahmenverbunds (20) mit einem Gehäusematerial für Gehäusekörper (4) der Halbleiterbauteile (1), – Unterbrechen des Leiterrahmenverbunds (20) entlang und zwischen zumindest eines Teils der Spalten (C) und/oder der Zeilen (R), wobei die Leiterrahmen (2) matrixförmig angeordnet bleiben, – Bestücken der Leiterrahmen (2) mit mindestens einem optoelektronischen Halbleiterchip (3), – Testen mindestens eines Teils der mit den Halbleiterchips (3) bestückten und mit dem Gehäusematerial umformten Leiterrahmen (2) nach dem Schritt des Unterbrechens, und – Vereinzeln zu den Halbleiterbauteilen (1) nach dem Schritt des Umformens und nach dem Schritt des Testens, wobei – der Leiterrahmenverbund (20) mindestens eine Randleiste (25) umfasst, die parallel zu den Zeilen (R) ausgerichtet ist, – wenigstens erste Leiterrahmenteile (21) in einer randständigen Zeile (R) an der Randleiste (25) von den ersten Leiterrahmenteilen (21) der benachbarten Zeile (R) in dem noch nicht unterbrochenen Leiterrahmenverbund (20) isoliert sind, – die ersten Leiterrahmenteile (21) in der randständigen Zeile (R) in dem noch nicht unterbrochenen ...

    6.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102004047727A1

    公开(公告)日：2006-04-13

    申请号：DE102004047727

    申请日：2004-09-30

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HOLZER PETER ,  GUENTHER EWALD KARL MICHAEL ,  EBERHARD FRANZ ,  RICHTER MARKUS

    IPC: H01L33/50

    Abstract: The converter layer (2) is made of YAG:Ce material and may radiate in the blue region at a wavelength of e.g. 464 nm. The cone angle (Theta) of the radiation may be increased by having a structured strip (22) around the outside edge of the converter strip. The width (23) of the strip is a tenth of the length of the edges of the strip. Each edge is 300 mu long. The structured strip may be formed by a stamping tool on the edge of a square semiconductor substrate (5).

Patent Agency Ranking