Abstract:
Es wird ein Filament mit einem strahlungsdurchlässigen Substrat, einer Mehrzahl von Licht emittierenden Dioden (LEDs) und einer Konverterschicht angegeben, wobei die LEDs auf dem Substrat angeordnet sind und die Konverterschicht die LEDs und das Substrat bedeckt, wobei die Konverterschicht auf einer Oberseite des Substrats eine erste Teilschicht und auf einer Unterseite des Substrats eine zweite Teilschicht aufweist, und wobei die Konverterschicht zur Erzielung eines verbesserten Abstrahlprofils des Filaments derart eingerichtet ist, dass – die Konverterschicht eine variierende vertikale Schichtdicke entlang einer lateralen Richtung aufweist, und/oder – sich die erste Teilschicht und die zweite Teilschicht hinsichtlich deren Geometrie und/oder deren Materialzusammensetzung voneinander unterscheiden. Des Weiteren werden ein Leuchtmittel mit solchen Filamenten und ein Verfahren zur Herstellung zumindest eines solchen Filaments angegeben.
Abstract:
Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) mit den Schritten: – Bereitstellen eines Leiterrahmenverbunds (20) mit einer Vielzahl von in Zeilen (R) und Spalten (C) angeordneten Leiterrahmen (2), wobei die Leiterrahmen (2) je mindestens zwei entlang der Zeilen (R) aufeinanderfolgende Leiterrahmenteile (21, 22) umfassen und die Leiterrahmen (2) je für eines der Halbleiterbauteile (1) vorgesehen sind, – Umformen mindestens eines Teils des Leiterrahmenverbunds (20) mit einem Gehäusematerial für Gehäusekörper (4) der Halbleiterbauteile (1), – Unterbrechen des Leiterrahmenverbunds (20) entlang und zwischen zumindest eines Teils der Spalten (C) und/oder der Zeilen (R), wobei die Leiterrahmen (2) matrixförmig angeordnet bleiben, – Bestücken der Leiterrahmen (2) mit mindestens einem optoelektronischen Halbleiterchip (3), – Testen mindestens eines Teils der mit den Halbleiterchips (3) bestückten und mit dem Gehäusematerial umformten Leiterrahmen (2) nach dem Schritt des Unterbrechens, und – Vereinzeln zu den Halbleiterbauteilen (1) nach dem Schritt des Umformens und nach dem Schritt des Testens, wobei – der Leiterrahmenverbund (20) mindestens eine Randleiste (25) umfasst, die parallel zu den Zeilen (R) ausgerichtet ist, – wenigstens erste Leiterrahmenteile (21) in einer randständigen Zeile (R) an der Randleiste (25) von den ersten Leiterrahmenteilen (21) der benachbarten Zeile (R) in dem noch nicht unterbrochenen Leiterrahmenverbund (20) isoliert sind, – die ersten Leiterrahmenteile (21) in der randständigen Zeile (R) in dem noch nicht unterbrochenen ...
Abstract:
In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Ringlichtmodul (1) mehrere erste und mehrere zweite Licht emittierende optoelektronische Halbleiterbauteile (2) mit je einer Hauptemissionsrichtung (20), wobei die ersten Halbleiterbauteile eine von den zweiten Halbleiterbauteilen verschiedene spektrale Emission aufweisen. Das Ringlichtmodul (1) beinhaltet einen Reflektor (3), der eine gekrümmte Reflexionsfläche aufweist (30). Es sind die Halbleiterbauteile (2) an einem Träger (4) angebracht. Die Halbleiterbauteile (2) sind, in Draufsicht auf die Reflexionsfläche (30) gesehen, entlang einer Anordnungslinie (42) ringförmig um die Reflexionsfläche (42) herum angeordnet. In einem Zentrum (44) weist der Reflektor (3) eine maximale Höhe auf, bezogen auf eine Bodenseite (40) des Ringlichtmoduls (1). Das Zentrum (44) befindet sich in einer geometrischen Mitte einer von der Anordnungslinie (42) umschlossenen Innenfläche. In Draufsicht auf die Reflexionsfläche (30) gesehen, weisen die Hauptemissionsrichtungen (20), mit einer Toleranz von höchstens 15°, je zu dem Zentrum (44) hin.
Abstract:
Eine optoelektronische Faser (10), insbesondere zur Integration in eine Textilie oder ein Formteil, umfasst:mindestens einen Träger (11), der sich in einer Längsrichtung erstreckt,optoelektronische Bauelemente (12), die auf dem Träger (11) angeordnet sind, undeine sich in Längsrichtung erstreckende Ummantelung (14), die den mindestens einen Träger (11) und die optoelektronischen Bauelemente (12) umgibt,wobei die Ummantelung (14) mindestens einen um den mindestens einen Träger (11) und die optoelektronischen Bauelemente (12) herumgeführten Faden (32) und/oder mindestens ein schraubenförmig um den mindestens einen Träger (11) und die optoelektronischen Bauelemente (12) gewickeltes Band (40) aufweist.
Abstract:
Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, umfassend: – eine Halbleiterschichtenfolge (20) mit einem ersten Halbleiterbereich (3) eines ersten Leitungstyps, einem zweiten Halbleiterbereich (5) eines zweiten Leitungstyps und einer zwischen dem ersten Halbleiterbereich (3) und dem zweiten Halbleiterbereich (5) angeordneten strahlungsemittierenden aktiven Schicht (4), – eine Strahlungsaustrittsfläche (13), – eine Spiegelschicht (6), welche an einer von der Strahlungsaustrittsfläche (13) abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (20) angeordnet ist, – einen ersten und einen zweiten elektrischen Kontakt (11, 12), wobei mindestens einer der elektrischen Kontakte (11, 12) ein Rückseitenkontakt ist, der an einer von der Strahlungsaustrittsfläche (13) abgewandten Rückseite des Halbleiterchips (10) angeordnet ist, und – mindestens eine thermische Anschlussschicht (9), welche an der Rückseite des Halbleiterchips (10) angeordnet ist, wobei die thermische Anschlussschicht (9) elektrisch von der Halbleiterschichtenfolge (20) isoliert ist.
Abstract:
In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Ringlichtmodul (1) mehrere lichtemittierende, optoelektronische Halbleiterbauteile (2), die je eine Hauptemissionsrichtung (20) aufweisen. Das Ringlichtmodul (1) beinhaltet einen Reflektor (3), der eine gekrümmte Reflexionsfläche aufweist (30). Es sind die Halbleiterbauteile (2) an einem Träger (4) angebracht. Die Halbleiterbauteile (2) sind, in Draufsicht auf die Reflexionsfläche (30) gesehen, entlang einer Anordnungslinie (42) ringförmig um die Reflexionsfläche (42) herum angeordnet. In einem Zentrum (44) weist der Reflektor (3) eine maximale Höhe auf, bezogen auf eine Bodenseite (40) des Ringlichtmoduls (1). Das Zentrum (44) befindet sich in einer geometrischen Mitte einer von der Anordnungslinie (42) umschlossenen Innenfläche. In Draufsicht auf die Reflexionsfläche (30) gesehen, weisen die Hauptemissionsrichtungen (20), mit einer Toleranz von höchstens 15°, je zu dem Zentrum (44) hin. Entlang der Anordnungslinie (42) sind die Halbleiterbauteile (2) dicht angeordnet.
Abstract:
In mindestens einer Ausführungsform weist das Ringlichtmodul (1) mehrere optoelektronische Halbleiterbauteile (2) zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung (R) auf. Ein Reflektor (3) des Ringlichtmoduls (1) weist eine Reflexionsfläche (30) auf. Die Halbleiterbauteile (2) sind an einem Träger (4) angebracht. Der Reflektor (3), in Draufsicht auf eine Strahlungshauptseite (45) des Ringlichtmoduls (1) gesehen, weist höchstens zwei Symmetrieebenen auf. In Richtung hin zur Strahlungshauptseite (45) verjüngt sich der Reflektor (3). Hauptemissionsrichtungen (20) von benachbarten Halbleiterbauteilen (2) sind mindestens zum Teil verschieden voneinander orientiert. Die Hauptemissionsrichtungen (20) weisen zu der Reflexionsfläche (30) hin.
Abstract:
Ein optoelektronisches Bauelement (100) weist ein Substrat (102) auf, auf dem ein Halbleiterchip (104) und ein benetzbares Attraktor-Element (106a, 106b, 106c, 106d) angeordnet sind. Ein Pigmente (110) aufweisenden Medium (108) bedeckt den freiliegenden Bereich des Substrats (102), der nicht von dem Halbleiterchip (104) und dem Attraktor-Element (106a, 106b, 106c, 106d) abgedeckt ist, zumindest bereichsweise. Das Pigmente (110) aufweisende Medium (108) benetzt den Halbleiterchip (104) und das Attraktor-Element (106a, 106b, 106c, 106d) zumindest teilweise.
Abstract:
In at least one embodiment, the ring light module (1) comprises a plurality of first and a plurality of second light-emitting optoelectronic semiconductor components (2), each having a main emission direction (20), wherein the first semiconductor components have a spectral emission which is different than that of the second semiconductor components. The ring light module (1) contains a reflector (3), which has a curved reflective surface (30). The semiconductor components (2) are fitted on a mount (4). The semiconductor components (2) are, when viewed in a plan view of the reflective surface (30), arranged in the form of a ring around the reflective surface (30) along an arrangement line (42). In a centre (44), the reflector (3) has a maximum height, in relation to a base side (40) of the ring light module (1). The centre (44) is located in a geometric centre of an inner face surrounded by the arrangement line (42). When viewed in a plan view of the reflective surface (30), the main emission directions (20) each point towards the centre (44) with a tolerance of at most 15°.