Filament und dessen Herstellung sowie Leuchtmittel mit Filamenten

    公开(公告)号:DE102016105211A1

    公开(公告)日:2017-09-21

    申请号:DE102016105211

    申请日:2016-03-21

    Abstract: Es wird ein Filament mit einem strahlungsdurchlässigen Substrat, einer Mehrzahl von Licht emittierenden Dioden (LEDs) und einer Konverterschicht angegeben, wobei die LEDs auf dem Substrat angeordnet sind und die Konverterschicht die LEDs und das Substrat bedeckt, wobei die Konverterschicht auf einer Oberseite des Substrats eine erste Teilschicht und auf einer Unterseite des Substrats eine zweite Teilschicht aufweist, und wobei die Konverterschicht zur Erzielung eines verbesserten Abstrahlprofils des Filaments derart eingerichtet ist, dass – die Konverterschicht eine variierende vertikale Schichtdicke entlang einer lateralen Richtung aufweist, und/oder – sich die erste Teilschicht und die zweite Teilschicht hinsichtlich deren Geometrie und/oder deren Materialzusammensetzung voneinander unterscheiden. Des Weiteren werden ein Leuchtmittel mit solchen Filamenten und ein Verfahren zur Herstellung zumindest eines solchen Filaments angegeben.

    Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und damit hergestelltes optoelektronisches Halbleiterbauteil

    公开(公告)号:DE102012104882B4

    公开(公告)日:2017-06-08

    申请号:DE102012104882

    申请日:2012-06-05

    Abstract: Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) mit den Schritten: – Bereitstellen eines Leiterrahmenverbunds (20) mit einer Vielzahl von in Zeilen (R) und Spalten (C) angeordneten Leiterrahmen (2), wobei die Leiterrahmen (2) je mindestens zwei entlang der Zeilen (R) aufeinanderfolgende Leiterrahmenteile (21, 22) umfassen und die Leiterrahmen (2) je für eines der Halbleiterbauteile (1) vorgesehen sind, – Umformen mindestens eines Teils des Leiterrahmenverbunds (20) mit einem Gehäusematerial für Gehäusekörper (4) der Halbleiterbauteile (1), – Unterbrechen des Leiterrahmenverbunds (20) entlang und zwischen zumindest eines Teils der Spalten (C) und/oder der Zeilen (R), wobei die Leiterrahmen (2) matrixförmig angeordnet bleiben, – Bestücken der Leiterrahmen (2) mit mindestens einem optoelektronischen Halbleiterchip (3), – Testen mindestens eines Teils der mit den Halbleiterchips (3) bestückten und mit dem Gehäusematerial umformten Leiterrahmen (2) nach dem Schritt des Unterbrechens, und – Vereinzeln zu den Halbleiterbauteilen (1) nach dem Schritt des Umformens und nach dem Schritt des Testens, wobei – der Leiterrahmenverbund (20) mindestens eine Randleiste (25) umfasst, die parallel zu den Zeilen (R) ausgerichtet ist, – wenigstens erste Leiterrahmenteile (21) in einer randständigen Zeile (R) an der Randleiste (25) von den ersten Leiterrahmenteilen (21) der benachbarten Zeile (R) in dem noch nicht unterbrochenen Leiterrahmenverbund (20) isoliert sind, – die ersten Leiterrahmenteile (21) in der randständigen Zeile (R) in dem noch nicht unterbrochenen ...

    Ringlichtmodul und Verfahren zur Herstellung eines Ringlichtmoduls

    公开(公告)号:DE102012109149A1

    公开(公告)日:2014-03-27

    申请号:DE102012109149

    申请日:2012-09-27

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Ringlichtmodul (1) mehrere erste und mehrere zweite Licht emittierende optoelektronische Halbleiterbauteile (2) mit je einer Hauptemissionsrichtung (20), wobei die ersten Halbleiterbauteile eine von den zweiten Halbleiterbauteilen verschiedene spektrale Emission aufweisen. Das Ringlichtmodul (1) beinhaltet einen Reflektor (3), der eine gekrümmte Reflexionsfläche aufweist (30). Es sind die Halbleiterbauteile (2) an einem Träger (4) angebracht. Die Halbleiterbauteile (2) sind, in Draufsicht auf die Reflexionsfläche (30) gesehen, entlang einer Anordnungslinie (42) ringförmig um die Reflexionsfläche (42) herum angeordnet. In einem Zentrum (44) weist der Reflektor (3) eine maximale Höhe auf, bezogen auf eine Bodenseite (40) des Ringlichtmoduls (1). Das Zentrum (44) befindet sich in einer geometrischen Mitte einer von der Anordnungslinie (42) umschlossenen Innenfläche. In Draufsicht auf die Reflexionsfläche (30) gesehen, weisen die Hauptemissionsrichtungen (20), mit einer Toleranz von höchstens 15°, je zu dem Zentrum (44) hin.

    OPTOELEKTRONISCHE FASER SOWIE VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER OPTOELEKTRONISCHEN FASER

    公开(公告)号:DE102018114465A1

    公开(公告)日:2019-12-19

    申请号:DE102018114465

    申请日:2018-06-15

    Abstract: Eine optoelektronische Faser (10), insbesondere zur Integration in eine Textilie oder ein Formteil, umfasst:mindestens einen Träger (11), der sich in einer Längsrichtung erstreckt,optoelektronische Bauelemente (12), die auf dem Träger (11) angeordnet sind, undeine sich in Längsrichtung erstreckende Ummantelung (14), die den mindestens einen Träger (11) und die optoelektronischen Bauelemente (12) umgibt,wobei die Ummantelung (14) mindestens einen um den mindestens einen Träger (11) und die optoelektronischen Bauelemente (12) herumgeführten Faden (32) und/oder mindestens ein schraubenförmig um den mindestens einen Träger (11) und die optoelektronischen Bauelemente (12) gewickeltes Band (40) aufweist.

    Optoelektronischer Halbleiterchip

    公开(公告)号:DE102013100470A1

    公开(公告)日:2014-07-17

    申请号:DE102013100470

    申请日:2013-01-17

    Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, umfassend: – eine Halbleiterschichtenfolge (20) mit einem ersten Halbleiterbereich (3) eines ersten Leitungstyps, einem zweiten Halbleiterbereich (5) eines zweiten Leitungstyps und einer zwischen dem ersten Halbleiterbereich (3) und dem zweiten Halbleiterbereich (5) angeordneten strahlungsemittierenden aktiven Schicht (4), – eine Strahlungsaustrittsfläche (13), – eine Spiegelschicht (6), welche an einer von der Strahlungsaustrittsfläche (13) abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (20) angeordnet ist, – einen ersten und einen zweiten elektrischen Kontakt (11, 12), wobei mindestens einer der elektrischen Kontakte (11, 12) ein Rückseitenkontakt ist, der an einer von der Strahlungsaustrittsfläche (13) abgewandten Rückseite des Halbleiterchips (10) angeordnet ist, und – mindestens eine thermische Anschlussschicht (9), welche an der Rückseite des Halbleiterchips (10) angeordnet ist, wobei die thermische Anschlussschicht (9) elektrisch von der Halbleiterschichtenfolge (20) isoliert ist.

    RING LIGHT MODULE AND METHOD FOR PRODUCING A RING LIGHT MODULE
    9.
    发明申请
    RING LIGHT MODULE AND METHOD FOR PRODUCING A RING LIGHT MODULE 审中-公开
    RING光源模组及其制造方法环形灯模块

    公开(公告)号:WO2014048798A3

    公开(公告)日:2014-05-30

    申请号:PCT/EP2013069274

    申请日:2013-09-17

    Abstract: In at least one embodiment, the ring light module (1) comprises a plurality of first and a plurality of second light-emitting optoelectronic semiconductor components (2), each having a main emission direction (20), wherein the first semiconductor components have a spectral emission which is different than that of the second semiconductor components. The ring light module (1) contains a reflector (3), which has a curved reflective surface (30). The semiconductor components (2) are fitted on a mount (4). The semiconductor components (2) are, when viewed in a plan view of the reflective surface (30), arranged in the form of a ring around the reflective surface (30) along an arrangement line (42). In a centre (44), the reflector (3) has a maximum height, in relation to a base side (40) of the ring light module (1). The centre (44) is located in a geometric centre of an inner face surrounded by the arrangement line (42). When viewed in a plan view of the reflective surface (30), the main emission directions (20) each point towards the centre (44) with a tolerance of at most 15°.

    Abstract translation: 在至少一个实施例中,环形光模块(1)包括多个第一和多个第二发光光电半导体部件(2)的每一个都具有一个主发光方向(20),其中所述第一半导体元件具有不同的第二半导体组件光谱发射。 环形光模块(1)包括:(3)具有弯曲的反射表面(30)的反射器。 上安装有半导体元件(2)的支撑件(4)。 半导体部件(2)是,在平面图中看到的在反射表面(30),沿着装配线(42)环形地围绕所述反射表面(42)布置成围绕。 在一个中心(44),反射器(3),以最大高度相对于所述环形发光模块的底侧(40)(1)。 中心(44)位于封闭的内部空间中的装配线(42)中的一个的几何中心。 在俯视观察到反射表面(30)朝向所述主发射方向(20),具有最大的每15°的向中心(44)有一个公差。

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