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    Optoelektronischer Halbleiterchip
    2.
    发明专利
    Optoelektronischer Halbleiterchip 未知

    公开(公告)号：DE102013100470A1

    公开(公告)日：2014-07-17

    申请号：DE102013100470

    申请日：2013-01-17

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： GÄRTNER CHRISTIAN ,  SCHLERETH THOMAS ,  BESTELE MICHAEL

    IPC: H01L33/64 ,  H01L33/46 ,  H01L33/62

    Abstract: Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (10) angegeben, umfassend: – eine Halbleiterschichtenfolge (20) mit einem ersten Halbleiterbereich (3) eines ersten Leitungstyps, einem zweiten Halbleiterbereich (5) eines zweiten Leitungstyps und einer zwischen dem ersten Halbleiterbereich (3) und dem zweiten Halbleiterbereich (5) angeordneten strahlungsemittierenden aktiven Schicht (4), – eine Strahlungsaustrittsfläche (13), – eine Spiegelschicht (6), welche an einer von der Strahlungsaustrittsfläche (13) abgewandten Seite der Halbleiterschichtenfolge (20) angeordnet ist, – einen ersten und einen zweiten elektrischen Kontakt (11, 12), wobei mindestens einer der elektrischen Kontakte (11, 12) ein Rückseitenkontakt ist, der an einer von der Strahlungsaustrittsfläche (13) abgewandten Rückseite des Halbleiterchips (10) angeordnet ist, und – mindestens eine thermische Anschlussschicht (9), welche an der Rückseite des Halbleiterchips (10) angeordnet ist, wobei die thermische Anschlussschicht (9) elektrisch von der Halbleiterschichtenfolge (20) isoliert ist.

    Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und damit hergestelltes optoelektronisches Halbleiterbauteil
    4.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen und damit hergestelltes optoelektronisches Halbleiterbauteil 未知

    公开(公告)号：DE102012104882B4

    公开(公告)日：2017-06-08

    申请号：DE102012104882

    申请日：2012-06-05

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： SCHLERETH THOMAS ,  BESTELE MICHAEL ,  GÄRTNER CHRISTIAN ,  GEBUHR TOBIAS ,  GALLMEIER HANS-CHRISTOPH ,  HOLZER PETER ,  ARNDT KARLHEINZ ,  SCHNEIDER ALBERT

    IPC: H01L21/50 ,  H01L21/66 ,  H01L23/495 ,  H01L33/48

    Abstract: Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauteilen (1) mit den Schritten: – Bereitstellen eines Leiterrahmenverbunds (20) mit einer Vielzahl von in Zeilen (R) und Spalten (C) angeordneten Leiterrahmen (2), wobei die Leiterrahmen (2) je mindestens zwei entlang der Zeilen (R) aufeinanderfolgende Leiterrahmenteile (21, 22) umfassen und die Leiterrahmen (2) je für eines der Halbleiterbauteile (1) vorgesehen sind, – Umformen mindestens eines Teils des Leiterrahmenverbunds (20) mit einem Gehäusematerial für Gehäusekörper (4) der Halbleiterbauteile (1), – Unterbrechen des Leiterrahmenverbunds (20) entlang und zwischen zumindest eines Teils der Spalten (C) und/oder der Zeilen (R), wobei die Leiterrahmen (2) matrixförmig angeordnet bleiben, – Bestücken der Leiterrahmen (2) mit mindestens einem optoelektronischen Halbleiterchip (3), – Testen mindestens eines Teils der mit den Halbleiterchips (3) bestückten und mit dem Gehäusematerial umformten Leiterrahmen (2) nach dem Schritt des Unterbrechens, und – Vereinzeln zu den Halbleiterbauteilen (1) nach dem Schritt des Umformens und nach dem Schritt des Testens, wobei – der Leiterrahmenverbund (20) mindestens eine Randleiste (25) umfasst, die parallel zu den Zeilen (R) ausgerichtet ist, – wenigstens erste Leiterrahmenteile (21) in einer randständigen Zeile (R) an der Randleiste (25) von den ersten Leiterrahmenteilen (21) der benachbarten Zeile (R) in dem noch nicht unterbrochenen Leiterrahmenverbund (20) isoliert sind, – die ersten Leiterrahmenteile (21) in der randständigen Zeile (R) in dem noch nicht unterbrochenen ...

    Halbleiterlichtquelle und Halbleiterlichtquelle zur Erzeugung von Mischlicht
    6.
    发明专利
    Halbleiterlichtquelle und Halbleiterlichtquelle zur Erzeugung von Mischlicht 未知

    公开(公告)号：DE112013002977B4

    公开(公告)日：2019-09-05

    申请号：DE112013002977

    申请日：2013-06-06

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MARKYTAN ALES DR ,  GÄRTNER CHRISTIAN

    IPC: H01L25/075 ,  H01L33/50

    Abstract: Halbleiterlichtquelle mit- einem ersten Leuchtdiodenchip (1) und einem zweiten Leuchtdiodenchip (2), die im Betrieb jeweils elektromagnetische Strahlung emittieren,- zumindest einem Konversionselement (30), das einen ersten Leuchtstoff (31) und einen zweiten Leuchtstoff (32) enthält, wobei- das Konversionselement (30) dem ersten Leuchtdiodenchip (1) und dem zweiten Leuchtdiodenchip (2) nachgeordnet ist,- der erste Leuchtdiodenchip (1) im Betrieb elektromagnetische Strahlung mit einem ersten Emissionsmaximum (B1) emittiert,- der zweite Leuchtdiodenchip (1) im Betrieb elektromagnetische Strahlung mit einem zweiten Emissionsmaximum (B2) emittiert, das vom ersten Emissionsmaximum (B1) verschieden ist,- der erste Leuchtstoff (31) ein erstes Absorptionsmaximum (K1) und ein erstes Abstrahlmaximum (A1) aufweist,- der zweite Leuchtstoff (32) ein zweites Absorptionsmaximum (K2), das vom ersten Absorptionsmaximum (K1) verschieden ist, und ein zweites Abstrahlmaximum (A2), das vom ersten Abstrahlmaximum (A1) verschieden ist, aufweist, wobei- der Konversionsgrad des ersten Leuchtstoffs (31) für die elektromagnetische Strahlung des ersten Leuchtdiodenchips (1) größer ist als der Konversionsgrad des zweiten Leuchtstoffs (32) für die elektromagnetische Strahlung des ersten Leuchtdiodenchips (1),- der Konversionsgrad des ersten Leuchtstoffs (31) für die elektromagnetische Strahlung des ersten Leuchtdiodenchips (1) geteilt durch den Konversionsgrad des zweiten Leuchtstoffs (32) für die elektromagnetische Strahlung des ersten Leuchtdiodenchips (1) größer ist als der Konversionsgrad des ersten Leuchtstoffs (31) für die elektromagnetische Strahlung des zweiten Leuchtdiodenchips (2) geteilt durch den Konversionsgrad des zweiten Leuchtstoffs (32) für die elektromagnetische Strahlung des zweiten Leuchtdiodenchips (2),- sich das erste Abstrahlmaximum (A1) und das zweite Abstrahlmaximum (A2) um wenigstens 5 nm voneinander unterscheiden,- der erste Leuchtstoff (31) und der zweite Leuchtstoff (32) Licht im grünen Spektralbereich abstrahlen,- das erste Emissionsmaximum (B1) im Bereich des ersten Absorptionsmaximums (K1) liegt und das zweite Emissionsmaximum (B2) im Bereich des zweiten Absorptionsmaximums (K2) liegt, und- sich das erste Absorptionsmaximum (K1) und das zweite Absorptionsmaximum (K2) um wenigstens 2 nm und um höchstens 10 nm voneinander unterscheiden.

    Optoelektronisches Bauelement
    8.
    发明专利
    Optoelektronisches Bauelement 未知

    公开(公告)号：DE102012110403A1

    公开(公告)日：2014-04-30

    申请号：DE102012110403

    申请日：2012-10-30

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MARKYTAN ALES ,  GÄRTNER CHRISTIAN ,  SCHULZ ROLAND

    IPC: H01L33/58 ,  G02B3/02

    Abstract: Ein Optoelektronisches Bauelement umfasst: – mindestens einen Halbleiterchip, der zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung geeignet ist, – ein Strahlformungselement (1), durch das zumindest ein Teil der von dem Halbleiterchip im Betrieb emittierten elektromagnetischen Strahlung tritt und das eine optische Achse (2) aufweist, und das eine äußere Kontur (5) bezüglich eines zur optischen Achse (2) senkrechten Koordinatensystems (3, 4) aufweist, wobei die Kontur (5) eine Kurve (n) darstellt, die spiegelsymmetrisch zu beiden Mittelachsen (a1, a2) einer von der Kontur einbeschriebenen Ellipse (e) ist, wobei in jedem der vier gleichen Abschnitte zwischen den jeweiligen Mittelachsen (a1, a2) aufeinanderfolgen: ein Ellipsensegment (b1), ein linearer Teil (c1), ein zweites Ellipsensegment (d), ein weiterer linearer Teil (c2) und ein drittes Ellipsensegment (b2).

    RING LIGHT MODULE AND METHOD FOR PRODUCING A RING LIGHT MODULE
    10.
    发明申请
    RING LIGHT MODULE AND METHOD FOR PRODUCING A RING LIGHT MODULE 审中-公开
    RING光源模组及其制造方法环形灯模块

    公开(公告)号：WO2014048798A3

    公开(公告)日：2014-05-30

    申请号：PCT/EP2013069274

    申请日：2013-09-17

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： ALBRECHT TONY ,  SCHLERETH THOMAS ,  SCHULZ ROLAND ,  GÄRTNER CHRISTIAN ,  BESTELE MICHAEL ,  MARFELD JAN ,  KIRSCH MARKUS ,  KAISER STEPHAN

    IPC: F21V7/00 ,  F21K99/00 ,  F21V9/40 ,  F21V13/04 ,  F21Y101/02 ,  F21Y113/00

    CPC classification number: F21V7/0008 ,  F21K9/62 ,  F21K9/64 ,  F21V7/048 ,  F21V13/04 ,  F21Y2103/33 ,  F21Y2113/13 ,  F21Y2115/10

    Abstract: In at least one embodiment, the ring light module (1) comprises a plurality of first and a plurality of second light-emitting optoelectronic semiconductor components (2), each having a main emission direction (20), wherein the first semiconductor components have a spectral emission which is different than that of the second semiconductor components. The ring light module (1) contains a reflector (3), which has a curved reflective surface (30). The semiconductor components (2) are fitted on a mount (4). The semiconductor components (2) are, when viewed in a plan view of the reflective surface (30), arranged in the form of a ring around the reflective surface (30) along an arrangement line (42). In a centre (44), the reflector (3) has a maximum height, in relation to a base side (40) of the ring light module (1). The centre (44) is located in a geometric centre of an inner face surrounded by the arrangement line (42). When viewed in a plan view of the reflective surface (30), the main emission directions (20) each point towards the centre (44) with a tolerance of at most 15°.

    Abstract translation: 在至少一个实施例中，环形光模块（1）包括多个第一和多个第二发光光电半导体部件（2）的每一个都具有一个主发光方向（20），其中所述第一半导体元件具有不同的第二半导体组件光谱发射。 环形光模块（1）包括：（3）具有弯曲的反射表面（30）的反射器。 上安装有半导体元件（2）的支撑件（4）。 半导体部件（2）是，在平面图中看到的在反射表面（30），沿着装配线（42）环形地围绕所述反射表面（42）布置成围绕。 在一个中心（44），反射器（3），以最大高度相对于所述环形发光模块的底侧（40）（1）。 中心（44）位于封闭的内部空间中的装配线（42）中的一个的几何中心。 在俯视观察到反射表面（30）朝向所述主发射方向（20），具有最大的每15°的向中心（44）有一个公差。

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