公开(公告)号：DE102017121679A1

公开(公告)日：2019-03-21

申请号：DE102017121679

申请日：2017-09-19

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： ENZMANN ROLAND HEINRICH ,  ZINI LORENZO ,  MICHAELIS BENJAMIN ,  HUPPMANN SOPHIA ,  HOLLAND BRENDAN ,  HALBRITTER HUBERT

IPC: H01L21/301 ,  H01L21/263 ,  H01L23/492 ,  H01L33/62

Abstract: Es wird ein Verfahren zum Vereinzeln von Halbleiterbauteilen (25) angegeben mit den Schritten:- Bereitstellen eines Trägers (11) mit einer Haupterstreckungsebene,- Aufbringen von mindestens zwei Halbleiterchips (10) auf den Träger (11),- Erzeugen von Bruchkeimen (12) im Träger (11), die entlang mindestens einer Trennachse (13) angeordnet sind, welche parallel zur Haupterstreckungsebene des Trägers (11) verläuft,- Aufbringen des Trägers (11) auf eine Folie, wobei die Folie an der den Halbleiterchips (10) abgewandten Seite des Trägers (11) angeordnet ist,- Vereinzeln der mindestens zwei Halbleiterchips (10) und des Trägers (11) durch Expandieren der Folie in lateralen Richtungen (x), welche parallel zur Haupterstreckungsebene des Trägers (11) sind, wobei- der Träger (11) entlang mindestens einer Trennebene (14) zertrennt wird, welche von einer vertikalen Richtung (z) und der Trennachse (13) aufgespannt wird, wobei die vertikale Richtung (z) senkrecht zur Haupterstreckungsebene des Trägers (11) ist, und- in den Träger (11) mindestens eine elektrisch isolierende Isolationsschicht (15) eingebracht ist, welche sich parallel zur Haupterstreckungsebene des Trägers (11) erstreckt. Außerdem wird ein Halbleiterbauelement (25) angegeben.

公开(公告)号：DE102017130757A1

公开(公告)日：2019-06-27

申请号：DE102017130757

申请日：2017-12-20

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MICHAELIS BENJAMIN

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/46 ,  H01L33/62

Abstract: In einer Ausführungsform umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit einer aktiven Zone (22) zur Erzeugung von Strahlung. Eine erste Elektrode (3) dient zur Bestromung der Halbleiterschichtenfolge (2) direkt an einer Unterseite (24). Eine zweite Elektrode (4) ist zur Bestromung einer der Unterseite (24) gegenüberliegenden Oberseite (24) der Halbleiterschichtenfolge (2) eingerichtet und reicht von der Unterseite (24) her auf die Oberseite (25). Die zweite Elektrode (4) umfasst an der Oberseite (25) eine für die Strahlung undurchlässige Stromverteilungsstruktur (44), die in mehreren Kontaktregionen (45) elektrisch an weitere Komponenten (41, 42, 43, 46))der zweiten Elektrode (4) angebunden ist und die ausgehend von den Kontaktregionen (45) zur lateralen Stromverteilung gestaltet ist.

公开(公告)号：DE102018115594A1

公开(公告)日：2020-01-02

申请号：DE102018115594

申请日：2018-06-28

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MICHAELIS BENJAMIN ,  BRÖLL MARKUS ,  WALTER ROBERT ,  EBERHARD FRANZ ,  HUBER MICHAEL ,  SCHMID WOLFGANG

IPC: H01L33/36 ,  H01L21/283 ,  H01L21/301 ,  H01L21/768 ,  H01L23/482 ,  H01L33/14

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (10, 15) umfasst eine erste druckverspannte Schicht (130) über einem Halbleiterkörper (120). Ein Material der ersten druckverspannten Schicht (130) ist ausgewählt aus Ta, Mo, Nb oder Verbindungen aus Ta, Mo oder Nb.

公开(公告)号：DE102018111954A1

公开(公告)日：2019-11-21

申请号：DE102018111954

申请日：2018-05-17

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： MICHAELIS BENJAMIN

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78

Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements (10) umfasst das Aufbringen (S100) eines Halbleiter-Chips (125) über einer ersten Hauptoberfläche (110) eines isolierenden Substrats (100), das Dünnen (S110) einer zweiten Hauptoberfläche (120) des isolierenden Substrats (100), das Aufbringen (S120) einer Glättungsmetallschicht (135) über der zweiten Hauptoberfläche (120) des isolierenden Substrats (100) und das Glätten (S130) der Glättungsmetallschicht (135).