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    Radiation emission element
    3.
    发明专利
    Radiation emission element 审中-公开
    辐射排放元素

    公开(公告)号：JP2008047906A

    公开(公告)日：2008-02-28

    申请号：JP2007209632

    申请日：2007-08-10

    Applicant: Osram Opto Semiconductors Gmbh ,  オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH

    Inventor： EBERHARD FRANZ ,  GROETSCH STEFAN ,  LINDER NORBERT ,  MOOSBURGER JUERGEN ,  STREUBEL KLAUS ,  WIRTH RALPH ,  SABATHIL MATTHIAS ,  MUSCHAWECK JULIUS ,  BERGENEK KRISTER

    IPC: H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/58

    CPC classification number: H01L33/44 ,  G02F1/13362 ,  H01L33/46 ,  H01L33/58

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a radiation emission element which can actualize relatively high luminance in a desired spatial direction, in a desired polarization direction or at a desired wavelength. SOLUTION: The radiation emission element according to the present invention is based on a semiconductor material and comprises a layer stack having an active layer sequence for producing a radiation emission element and a filter element placed at a rear side of the active layer sequence as seen from a radiation direction, and is configured in such a manner that the filter element emits a first emission component and reflects a second emission component within the layer stack, the second reflection component, after being reflected at the filter element, is subjected to deflection process or absorption emission process, and the radiation deflected or emitted is supposed to come into the filter element again. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种可以在期望的空间方向上，在期望的偏振方向或期望的波长上实现相对高的亮度的辐射发射元件。 解决方案：根据本发明的辐射发射元件基于半导体材料并且包括具有用于产生辐射发射元件的有源层序列和放置在有源层序列的后侧的滤波器元件的层堆叠 从辐射方向看，并且被配置为使得过滤元件发射第一发射分量并且反射层堆内的第二发射分量，第二反射分量在被滤波元件反射之后经受 偏转过程或吸收发射过程，并且偏转或发射的辐射应该再次进入过滤元件。 版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

    Laser diode device, laser system having at least one laser diode device, and optically pumped laser
    4.
    发明专利
    Laser diode device, laser system having at least one laser diode device, and optically pumped laser 审中-公开
    激光二极管器件，具有至少一个激光二极管器件的激光系统和光学激光器

    公开(公告)号：JP2007096326A

    公开(公告)日：2007-04-12

    申请号：JP2006265703

    申请日：2006-09-28

    Applicant: Osram Opto Semiconductors Gmbh ,  オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH

    Inventor： KOENIG HARALD ,  BRICK PETER ,  MOOSBURGER JUERGEN

    IPC: H01S5/22

    CPC classification number: H01S5/4031 ,  H01S5/0014 ,  H01S5/0224 ,  H01S5/02276 ,  H01S5/02461 ,  H01S5/026 ,  H01S5/041 ,  H01S5/141 ,  H01S5/183

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laser diode device that readily operates with small variations in various active regions among operating temperatures, a laser system having the laser diode device, and an optically pumped laser that can be pumped easily and effectively. SOLUTION: The laser diode device has active regions that are adjacent to each other and vary in lateral dimension in the lateral direction and/or in spacing therebetween in the lateral direction. A laser system comprises the laser diode device placed on a support. In the laser system, the spacing between a side surface and an edge in contact with the support is smaller than the spacing between the side surface and an active region closest to the side surface, and/or is smaller than the spacing between two adjacent active regions in the laser diode device. An optically pumped laser is pumped by the laser diode device or the laser system. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种激光二极管器件，其在工作温度中的各种有源区域中具有小的变化，具有激光二极管器件的激光器系统和能够容易且有效地泵浦的光泵浦激光器而容易操作。 解决方案：激光二极管器件具有彼此相邻的有源区域，并且在横向方向上横向尺寸和/或横向方向上的间隔变化。 激光系统包括放置在支撑体上的激光二极管装置。 在激光系统中，侧表面和与支撑件接触的边缘之间的间距小于侧表面和最靠近侧表面的有源区域之间的间隔，和/或小于两个相邻活性物体之间的间隔 激光二极管器件中的区域。 光泵浦激光器由激光二极管器件或激光系统泵浦。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

    Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und Vorrichtung zum Übertragen von Halbleiterchips
    5.
    发明专利
    Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips und Vorrichtung zum Übertragen von Halbleiterchips 未知

    公开(公告)号：DE102016115186A1

    公开(公告)日：2018-02-22

    申请号：DE102016115186

    申请日：2016-08-16

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MOOSBURGER JUERGEN ,  SINGER FRANK ,  GMEINWIESER NIKOLAUS

    IPC: H01L21/677 ,  H01L21/66 ,  H05K13/02

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips, bei dem zunächst die Halbleiterchips von einem ersten Träger auf eine Transfereinheit übertragen werden. Die Transfereinheit weist dabei einen Aufnahmebereich auf. Das Übertragen der Halbleiterchips vom ersten Träger auf die Transfereinheit erfolgt durch ein Abwälzen des Aufnahmebereichs der Transfereinheit an dem ersten Träger. In einem weiteren Verfahrensschritt werden die von der Transfereinheit aufgenommenen Halbleiterchips vom Aufnahmebereich zu einem Abgabebereich der Transfereinheit transportiert. In einem anschließenden Verfahrensschritt werden die Halbleiterchips von der Transfereinheit auf einen zweiten Träger übertragen. Das Übertragen der Halbleiterchips von der Transfereinheit auf den zweiten Träger erfolgt durch ein Abwälzen des Abgabebereichs der Transfereinheit an dem zweiten Träger.

    Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zum Anpassen einer Kontaktstruktur zur elektrischen Kontaktierung eines optoelektronischen Halbleiterchips
    7.
    发明专利
    Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zum Anpassen einer Kontaktstruktur zur elektrischen Kontaktierung eines optoelektronischen Halbleiterchips 未知

    公开(公告)号：DE102009047889A1

    公开(公告)日：2011-03-31

    申请号：DE102009047889

    申请日：2009-09-30

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： RODE PATRICK ,  HOEPPEL LUTZ ,  MALM NORWIN VON ,  SABATHIL MATTHIAS ,  MOOSBURGER JUERGEN

    IPC: H01L23/525 ,  H01L33/62

    Abstract: Ein optoelektronischer Halbleiterchip umfasst einen ersten Halbleiterfunktionsbereich (21) mit einem ersten Terminal (211) und einem zweiten Terminal (212), sowie eine Kontaktstruktur (4) zur elektrischen Kontaktierung des optoelektronischen Halbleiterchips, welche elektrisch leitend mit dem ersten Halbleiterfunktionsbereich (21) verbunden ist. Die Kontaktstruktur (4) weist eine auftrennbare Leiterstruktur (41, 71, 42) auf, wobei - bei nicht aufgetrennter Leiterstruktur ein Betriebsstrompfad über das erste Terminal des ersten Halbleiterfunktionsbereichs und das zweite Terminal festgelegt ist, der bei aufgetrennter Leiterstruktur unterbrochen ist, oder - bei aufgetrennter Leiterstruktur (41, 71, 42) ein Betriebsstrompfad über das erste Terminal (211) des ersten Halbleiterfunktionsbereichs (21) und das zweite Terminal (212) festgelegt ist, wobei bei nicht aufgetrennter Leiterstruktur (41, 71, 42) die Leiterstruktur (41, 71, 42) das erste Terminal (211) mit dem zweiten Terminal (212) verbindet und den ersten Halbleiterfunktionsbereich (21) kurzschließt.

    Oberflächenmontierbarer optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Halbleiterchips
    8.
    发明专利
    Oberflächenmontierbarer optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Halbleiterchips 未知

    公开(公告)号：DE102009022966A1

    公开(公告)日：2010-12-02

    申请号：DE102009022966

    申请日：2009-05-28

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： HOEPPEL LUTZ ,  MOOSBURGER JUERGEN ,  MALM NORWIN VON ,  RODE PATRICK ,  ILLEK STEFAN

    IPC: H01L33/00 ,  H01L21/58 ,  H01L23/34 ,  H01L23/48

    Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des oberflächenmontierbaren optoelektronischen Halbleiterchips (90)umfasst dieser einen Träger (10) mit zwei elektrischen Durchkontaktierungen (30, 70). Weiterhin beinhaltet der Halbleiterchip mindestens eine Halbleiterschichtenfolge (1). Ferner beinhaltet der Halbleiterchip (90) zwei elektrische Anschlussschichten (3, 7). Die Anschlussschichten (3, 7) überlappen hierbei in einer lateralen Richtung und sind durch eine Trennschicht elektrisch voneinander isoliert. Ein Teil der zweiten Anschlussschicht erstreckt sich über mindestens einen Durchbruch weg von dem Träger und hindurch durch die erste Anschlussschicht. Außerdem weist der Halbleiterchip mindestens eine elektrisch leitfähige Haftvermittlungsschicht auf. Über eine Unterbrechung ist die mindestens eine Haftvermittlungsschicht derart durchtrennt, dass über die Haftvermittlungsschicht keine elektrische Verbindung zwischen den Durchkontaktierungen hergestellt ist. Des Weiteren weist der Halbleiterchip wenigstens eine elektrisch leitfähige Brücke auf. Die Unterbrechung und eine Durchkontaktierung sind nicht von der Halbleiterschichtenfolge überdeckt.

    10.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102007046611A1

    公开(公告)日：2009-04-02

    申请号：DE102007046611

    申请日：2007-09-28

    Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

    Inventor： MOOSBURGER JUERGEN

    IPC: F21V8/00 ,  F21V9/00 ,  G02B6/00 ,  G02B6/36 ,  G02B6/42 ,  G02F2/02

    Abstract: The source has a semiconductor light source (3) e.g. laser diode, an optical waveguide (1), a conversion element (2) that is arranged at one end of the optical waveguide, and a semiconductor light source that is arranged at another end of the optical waveguide. The semiconductor light source injects blue primary radiation into the waveguide. The waveguide comprises a heat conducting layer (4) for removing heat of the conversion element. The heat conducting layer directly contacts with the waveguide and the conversion element, and comprises gold or aluminum.

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