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1.发明专利
公开(公告)号：DE102016115186A1
公开(公告)日：2018-02-22
申请号：DE102016115186
申请日：2016-08-16
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MOOSBURGER JUERGEN , SINGER FRANK , GMEINWIESER NIKOLAUS
IPC: H01L21/677 , H01L21/66 , H05K13/02
Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Montieren von Halbleiterchips, bei dem zunächst die Halbleiterchips von einem ersten Träger auf eine Transfereinheit übertragen werden. Die Transfereinheit weist dabei einen Aufnahmebereich auf. Das Übertragen der Halbleiterchips vom ersten Träger auf die Transfereinheit erfolgt durch ein Abwälzen des Aufnahmebereichs der Transfereinheit an dem ersten Träger. In einem weiteren Verfahrensschritt werden die von der Transfereinheit aufgenommenen Halbleiterchips vom Aufnahmebereich zu einem Abgabebereich der Transfereinheit transportiert. In einem anschließenden Verfahrensschritt werden die Halbleiterchips von der Transfereinheit auf einen zweiten Träger übertragen. Das Übertragen der Halbleiterchips von der Transfereinheit auf den zweiten Träger erfolgt durch ein Abwälzen des Abgabebereichs der Transfereinheit an dem zweiten Träger.
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公开(公告)号：DE102015115810A1
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：DE102015115810
申请日：2015-09-18
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： GMEINWIESER NIKOLAUS , VON MALM NORWIN
IPC: H01L25/075 , B29C64/106 , B33Y30/00 , H01L27/15 , H01L33/48
Abstract: Es umfasst das optoelektronische Halbleiterbauteil (1) einen Träger (5) sowie eine Vielzahl von einzeln ansteuerbaren, im Betrieb Strahlung (R) emittierenden Bildpunkten (20). Dabei sind die Bildpunkte (20) aus einem Halbleitermaterial gebildet und auf dem Träger (5) angebracht. Das Halbleiterbauteil (1) enthält eine Vielzahl von Transportkanälen (3), die zu einem Transport eines Gases (98) und/oder einer Flüssigkeit (91) durch das Halbleiterbauteil (1) hindurch in Richtung quer zu und, innerhalb des Halbleiterbauteils (1), hin zu einer Strahlungsaustrittsseite (10) eingerichtet sind. Ferner sind die Bildpunkte (20) dazu bestimmt, Strahlung (R) mit einer Wellenlänge maximaler Intensität von 470 nm oder weniger zu emittieren.
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公开(公告)号：DE102015115796A1
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：DE102015115796
申请日：2015-09-18
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： GMEINWIESER NIKOLAUS
IPC: H01L33/58 , H01L25/075 , H01L51/56
Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ausbilden eines oder mehrerer dreidimensionaler Objekte für eine einen Träger mit einem optoelektronischen Halbleiterbauteil umfassende optoelektronische Leuchtvorrichtung, umfassend die folgenden Schritte: – Bereitstellen eines Trägers einer optoelektronischen Leuchtvorrichtung, wobei auf dem Träger ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angeordnet ist, wobei ein vom Träger teilweise begrenzter Aufbaubereich festgelegt ist, dem das optoelektronische Halbleiterbauteil zugewandt ist, – Einbringen einer polymerisierbaren Flüssigkeit in den Aufbaubereich, – Belichten des Aufbaubereichs, um ein oder mehrere Festkörperpolymere aus der polymerisierbaren Flüssigkeit in einer vom Aufbaubereich umfassten Aushärtezone auszubilden, um ein oder mehrere dreidimensionale Objekte aus dem oder den mehreren Festkörperpolymeren in der Aushärtezone auszubilden, – wobei während des Belichtens des Aufbaubereichs ein unwirksamer Bereich gebildet wird, in welchem eine Polymerisation inhibiert wird, wobei die Aushärtezone zwischen dem Träger und dem unwirksamen Bereich angeordnet ist. Die Erfindung betrifft ferner eine optoelektronische Leuchtvorrichtung.
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公开(公告)号：DE112016004248A5
公开(公告)日：2018-05-24
申请号：DE112016004248
申请日：2016-09-08
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： GMEINWIESER NIKOLAUS , VON MALM NORWIN
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公开(公告)号：DE102008062932A1
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：DE102008062932
申请日：2008-12-23
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： GMEINWIESER NIKOLAUS , SABATHIL MATTHIAS , LEBER ANDREAS
IPC: H01L33/00
Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips (1) umfasst dieser eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit mindestens einer aktiven Schicht (3), die zur Erzeugung einer elektromagnetischen Strahlung eingerichtet ist. Weiterhin weist der optoelektronische Halbleiterchip (1) Auskoppelstrukturen (4) auf, die mindestens mittelbar auf einer Strahlungsdurchtrittsfläche (20) der Halbleiterschichtenfolge (2) angebracht sind. Ein Material der Auskoppelstrukturen (4) ist hierbei von einem Material der Halbleiterschichtenfolge (2) verschieden. Die Brechungsindices der Materialien der Auskoppelstrukturen (4) und der Halbleiterschichtenfolge (2) weichen um höchstens 30% voneinander ab. Des Weiteren weisen Facetten (40) der Auskoppelstrukturen (4) eine Gesamtfläche auf, die mindhtrittsfläche (20) beträgt.
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Patent Agency Ranking6.发明申请OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP 审中-公开光电子半导体芯片及其制造方法光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2010072187A2
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：PCT/DE2009001550
申请日：2009-11-02
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , GMEINWIESER NIKOLAUS , SABATHIL MATTHIAS , LEBER ANDREAS
Inventor： GMEINWIESER NIKOLAUS , SABATHIL MATTHIAS , LEBER ANDREAS
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/22
Abstract: In at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor chip (1), said chip comprises a semiconductor layer sequence (2) having at least one active layer (3), which is equipped to generate electromagnetic radiation. The optoelectronic semiconductor chip (1) further comprises decoupling structures (4), which are applied at least indirectly onto a radiation penetration surface (20) of the semiconductor layer sequence (2). A material of the decoupling structures (4) differs from a material of the semiconductor layer sequence (2). The refractive indices of the materials of the decoupling structures (4) and of the semiconductor layer sequence (2) deviate from each other by no more than 30%. In addition, facets (40) of the decoupling structures (4) comprise an overall surface, which carries at least 30% of the surface area of the radiation penetration surface (20).
Abstract translation: 在光电子半导体芯片的至少一个实施例中（1）包括具有至少一个有源层（3），其适于产生电磁辐射的一半导体层序列（2）。 此外，光电子半导体芯片（1）输出耦合结构（4），其被安装在至少间接地在所述半导体层序列的辐射穿透面（20）（2）。 耦合输出（4）的材料是在这种情况下，从半导体层序列（2）是不同的材料。 外耦合（4）和所述半导体层序列（2）的材料的折射率由不超过30％，从彼此不同。 此外具有耦合输出的小平面（40）（4）具有一个总面积，这是辐射穿透面（20）的表面面积的至少30％。
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7.发明申请OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND USE OF AN INTERMEDIATE LAYER BASED ON AlGaN 审中-公开光电子半导体芯片和AlGaN中的使用基于过渡层
公开(公告)号：WO2011080144A2
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：PCT/EP2010070274
申请日：2010-12-20
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , PETER MATTHIAS , MEYER TOBIAS , GMEINWIESER NIKOLAUS , TAKI TETSUYA , LUGAUER HANS-JUERGEN , WALTER ALEXANDER
Inventor： PETER MATTHIAS , MEYER TOBIAS , GMEINWIESER NIKOLAUS , TAKI TETSUYA , LUGAUER HANS-JUERGEN , WALTER ALEXANDER
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/025 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/16 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: In at least one form of embodiment of the optoelectronic semiconductor chip (100), said chip comprises a semiconductor layer sequence (1) based on GaN, InGaN, AlGaN und/oder InAlGaN. The semiconductor layer sequence (1) contains a p-doped layer sequence (2), an n-doped layer sequence (4), and an active zone (3) between the p-doped layer sequence (2) and the n-doped layer sequence (4). The semiconductor layer sequence (1) comprises at least one intermediate layer (5) based on AlxGa1-xN, where 0
Abstract translation: 在光电子半导体芯片（100），其包括的至少一个实施例的GaN基，氮化铟镓，AlGaN和（1）/或InAlGaN系半导体层序列。 半导体层序列（1）包括p掺杂的层序列（2），位于p型掺杂的（2）和n型掺杂的层序列（4）之间和活性区（3）n型掺杂的层序列（4） 定位。 此外，半导体层序列（1）包括至少一个基于的Al x Ga 1-X N的中间层（5），其特征在于，0
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公开(公告)号：DE102018106972A1
公开(公告)日：2019-09-26
申请号：DE102018106972
申请日：2018-03-23
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： GMEINWIESER NIKOLAUS
Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement (10) umfasst einen optoelektronischen Halbleiterchip (100), der jeweils eine erste und eine zweite gegenüberliegende Seitenfläche (130, 140) sowie eine dritte und vierte Seitenfläche (145, 150), die die erste und die zweite Seitenfläche (130, 140) schneiden, und eine erste Hauptoberfläche (110) aufweist, an der mindestens eine Anschlussfläche (115) angeordnet ist. Das optoelektronische Bauelement (10) umfasst weiterhin eine erste Vergussmasse (210, 220), die an die erste Seitenfläche (130) angrenzt, und eine reflektive Vergussmasse (215, 217), die an die zweite Seitenfläche (140)angrenzt.
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公开(公告)号：DE102009023351A1
公开(公告)日：2010-12-02
申请号：DE102009023351
申请日：2009-05-29
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： GMEINWIESER NIKOLAUS , HAHN BERTHOLD
IPC: H01L33/00
Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips (1) umfasst dieser eine Halbleiterschichtenfolge (2). Die Halbleiterschichtenfolge (2) beinhaltet mindestens eine aktive Schicht (3) zur Erzeugung einer Primärstrahlung (P). Weiterhin umfasst die Halbleiterschichtenfolge (2) eine Mehrzahl von Konversionsschichten (4), wobei die Konversionsschichten (4) dazu eingerichtet sind, die Primärstrahlung (P) wenigstens teilweise zu absorbieren und in eine gegenüber der Primärstrahlung (P) längerwellige Sekundärstrahlung (S) umzuwandeln. Weiterhin weist die Halbleiterschichtenfolge (2) eine Aufrauung (5) auf, die mindestens stellenweise bis in die Konversionsschichten (4) reicht.
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公开(公告)号：DE102008011150A1
公开(公告)日：2009-08-27
申请号：DE102008011150
申请日：2008-02-26
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BIEBERSDORF ANDREAS , GMEINWIESER NIKOLAUS , LINDER NORBERT
IPC: H01L25/075 , H01L33/10 , H01L33/20
Abstract: The optoelectronic component (100) has a stack of semiconductor layers (101) which have an active layer (102) suitable for producing an electromagnetic radiation and a main surface (103) for extracting the radiation. The stack of semiconductor layers surrounds a recess (104), and has a flank (105) for reflection of a part of the radiation at the recess in a direction of the main surface. The flank is inclined in relation to the main surface. An independent claim is included for a method for manufacturing an optoelectronic component.
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