公开(公告)号：DE102008011866B4

公开(公告)日：2018-05-03

申请号：DE102008011866

申请日：2008-02-29

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GRÖTSCH STEFAN ,  PETERSEN KIRSTIN DR ,  STREPPEL ULRICH DR

IPC: G02B27/18 ,  F21V13/12 ,  F21Y115/10 ,  G02B27/14 ,  G03B21/14 ,  H01L33/00

Abstract: Lichtquellenanordnung mit einer Halbleiterlichtquelle, umfassend:- eine Primärstrahlungsquelle (110) mit einer Schichtenfolge, die im Betrieb eine erste elektromagnetische Primärstrahlung entlang einer ersten Hauptstrahlrichtung emittiert;- ein von der Primärstrahlungsquelle (110) beabstandetes Lumineszenzkonversionselement (120), das einen Kühlkörper (121) und ein daran angeordnetes Lumineszenzmaterial (122) aufweist, welches zumindest einen Teil der eingekoppelten Primärstrahlung mittels mindestens eines Leuchtstoffs in eine Sekundärstrahlung entlang einer zweiten Hauptstrahlrichtung wellenlängenkonvertiert;- ein wellenlängenselektives Reflektorelement (160), das im Strahlengang der Primärstrahlungsquelle (110) angeordnet und ausgeführt ist, die Primärstrahlung auf das Lumineszenzmaterial (122) des Lumineszenzkonversionselements (120) zu lenken oder von dem Lumineszenzmaterial (122) in Richtung der Primärstrahlungsquelle (110) abgegebene Sekundärstrahlung umzulenken, und- eine zweite Primärstrahlungsquelle (130), die eine dritte elektromagnetische Strahlung emittiert, wobei die zweite Primärstrahlungsquelle (130) der Primärstrahlungsquelle (110) gegenüberliegend angeordnet ist, und wobei das wellenlängenselektive Reflektorelement (160) zur Umlenkung der dritten elektromagnetischen Strahlung ausgebildet ist.

公开(公告)号：DE102012101920A1

公开(公告)日：2013-09-12

申请号：DE102012101920

申请日：2012-03-07

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PETERSEN KIRSTIN DR ,  BAUMGARTNER ALEXANDER

IPC: H01L33/50

Abstract: Ein optoelektronisches Bauelement umfasst eine Schichtenfolge (1) mit einem aktiven Bereich, der elektromagnetische Primärstrahlung emittiert; ein Konversionsmaterial, das im Strahlengang der elektromagnetischen Primärstrahlung angeordnet ist und zumindest teilweise die elektromagnetische Primärstrahlung in eine elektromagnetische Sekundärstrahlung konvertiert. Das Konversionsmaterial umfasst einen ersten Leuchtstoff (6-1) mit der allgemeinen Zusammensetzung A3B5O12 und einen zweiten Leuchtstoff (6-2) mit der allgemeinen Zusammensetzung M2Si5N8, wobei A eines der Elemente Y, Lu, Gd und/oder Ce oder Kombinationen aus Y, Lu, Gd und/oder Ce umfasst, wobei B Al ist, und wobei M eine Kombination aus Ca, Sr, Ba und Eu ist.

公开(公告)号：DE102010054280A1

公开(公告)日：2012-06-14

申请号：DE102010054280

申请日：2010-12-13

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PETERSEN KIRSTIN DR

IPC: H01L33/50

Abstract: Eine Ausführungsform der Erfindung beschreibt ein Verfahren zum Erzeugen einer Lumineszenzkonversionsstoffschicht (20) auf einem Substrat (1) mit einem im Betrieb eine Primärstrahlung emittierenden Halbleiterelement (10), das die folgenden Verfahrensschritte umfasst: (a) Bereitstellen des Substrates (1); (b) Bereitstellen einer Zusammensetzung (21), die ein Lumineszenzkonversionsstoff (25), ein Matrixmaterial und ein Lösungsmittel umfasst; (c) Aufbringen der Zusammensetzung (21) auf das Substrat (1); (d) Entfernen zumindest eines Teils des Lösungsmittels, sodass die Lumineszenzkonversionsstoffschicht (20) auf dem Substrat (1) ausgebildet wird.

公开(公告)号：DE102011011139B4

公开(公告)日：2023-01-19

申请号：DE102011011139

申请日：2011-02-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GEBUHR TOBIAS ,  BRUNNER HERBERT ,  GALLMEIER HANS-CHRISTOPH DR ,  PETERSEN KIRSTIN DR

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/60

Abstract: Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterbauelements (100), mit den folgenden Schritten:a) Bereitstellen eines Trägers (1), der eine Oberseite (12), eine der Oberseite (12) des Trägers (1) gegenüberliegende Unterseite (11), sowie eine Mehrzahl von in lateraler Richtung (L) nebeneinander an der Oberseite (12) angeordneten Anschlussflächen (13) aufweist;b) Aufbringen einer Mehrzahl von in lateraler Richtung (L) beabstandet zueinander angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips (2) an der Oberseite (12) des Trägers (1), die jeweils zumindest eine dem Träger (1) abgewandte Kontaktfläche (22) aufweisen;c) Aufbringen zumindest einer reflektierenden Umhüllung (3) auf freiliegende Stellen des Trägers (1) und Seitenflächen (24) der optoelektronischen Halbleiterchips (2);d) Einbringen von Öffnungen (5) in die reflektierende Umhüllung (3), welche die reflektierende Umhüllung (3) vollständig durchdringen und sich von einer dem Träger (1) abgewandeten Oberseite (31) der reflektierenden Umhüllung (3) in Richtung der Oberseite (12) des Trägers (1) erstrecken;e) Anordnen von elektrisch leitfähigem Material (8) auf der reflektierenden Umhüllung (3) und zumindest stellenweise in den Öffnungen (5), wobei- das elektrisch leitfähige Material (8) jeweils eine Kontaktfläche (22) mit der ihr zugeordneten Anschlussfläche (13) elektrisch leitend verbindet,- Strahlungsdurchtrittsflächen (25) der optoelektronischen Halbleiterchips (2) frei von der reflektierenden Umhüllung (3) sind,- die reflektierende Umhüllung (3) die optoelektronischen Halbleiterchips (2) seitlich nicht überragt, und- das elektrisch leitfähige Material (8) zumindest eine der Öffnungen (5) nur teilweise ausfüllt, wobei in der Öffnung (5) auf freiliegende Stellen des elektrisch leitfähigen Materials (8) zumindest stellenweise zumindest ein elektrisch isolierendes Füllmaterial (14) angeordnet wird.

公开(公告)号：DE102008030253B4

公开(公告)日：2020-02-20

申请号：DE102008030253

申请日：2008-06-25

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BAUMANN FRANK DR ,  PETERSEN KIRSTIN DR ,  TAUTZ SÖNKE DR ,  LELL ALFRED ,  STRAUSS UWE DR

IPC: H01L33/50 ,  F21K9/64 ,  F21Y115/10 ,  F21Y115/30 ,  H01L33/64 ,  H01S5/02

Abstract: Konversionselement (1) mit einem lichtdurchlässigen Matrixmaterial (2), in dem Wärmeleitpartikel (4) und mindestens ein Konversionsmittel (3), das dazu ausgestaltet ist, Licht einer Wellenlänge mindestens zum Teil in Licht einer anderen Wellenlänge umzuwandeln, eingebettet sind,bei dem durch Konversionsmittel (3) und Wärmeleitpartikel (4) Wärmeleitpfade (P) gebildet sind, wobei das Konversionselement (1) mindestens zwei Kammern (7) aufweist, die mindestens stellenweise über wärmeleitfähige Zwischenwände (8) verbunden sind, wobei die Zwischenwände (8) reflektierend sowohl für zu konvertierende als auch für konvertierte Strahlung ausgestaltet sind, undwobei ein Volumenanteil der Wärmeleitpartikel (4) ein Prozent über einer Perkolationsschwelle der Wärmeleitpartikel (4) liegt, mit einer Toleranz von höchstens einem Volumenprozent.

公开(公告)号：DE102011102350A1

公开(公告)日：2012-11-29

申请号：DE102011102350

申请日：2011-05-24

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： PETERSEN KIRSTIN DR ,  PREUS STEPHAN DR

IPC: H01L33/50 ,  H01L25/075

Abstract: Es wird ein optisches Element (100, 101, 102, 103, 104, 105, 106) zur Lichtauskopplung und Konversion von Licht aus einem Licht emittierenden Halbleiterchip (5) mit einer Wellenlängenkonversionsschicht (1) und einer Streuschicht (2) angegeben, die aufeinander aufgebracht sind, wobei die Wellenlängenkonversionsschicht (1) und die Streuschicht (2) jeweils einen in einem Formpressverfahren verarbeitbaren Kunststoff aufweisen und die Streuschicht (2) zumindest eine Vertiefung (21) aufweist zur Anordnung des Licht emittierenden Halbleiterchips (5). Weiterhin werden ein optoelektronisches Bauelement mit einem Träger (4) mit einem Licht emittierenden Halbleiterchip (5) und einem optischen Element (100, 101, 102, 103, 104, 105, 106) sowie Verfahren zur Herstellung eines optischen Elements und eines optoelektronischen Bauelements angegeben.

公开(公告)号：DE102011011139A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：DE102011011139

申请日：2011-02-14

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： GEBUHR TOBIAS ,  BRUNNER HERBERT ,  GALLMEIER HANS-CHRISTOPH DR ,  PETERSEN KIRSTIN DR

IPC: H01L33/62 ,  H01L33/60

Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung zumindest eines optoelektronischen Halbleiterbauelements mit den folgenden Schritten angegeben: a) Bereitstellen eines Trägers (1) und Aufbringen einer Mehrzahl von in lateraler Richtung (L) beabstandet zueinander angeordneten optoelektronischen Halbleiterchips (2) an einer Oberseite (12) des Trägers (1); c) Aufbringen zumindest einer reflektierenden Umhüllung (3) auf freiliegende Stellen des Trägers (1) und Seitenflächen (24) der optoelektronischen Halbleiterchips (2); d) Einbringen von Öffnungen (5) in die reflektierende Umhüllung (3), welche die reflektierende Umhüllung (3) vollständig durchdringen; e) Anordnen von elektrisch leitfähigem Material (8) auf der reflektierenden Umhüllung (3) und zumindest stellenweise in den Öffnungen (5), wobei — Strahlungsdurchtrittsflächen (25) der optoelektronischen Halbleiterchips (2) frei von der reflektierenden Umhüllung (3) sind, und — die reflektierende Umhüllung (3) die optoelektronischen Halbleiterchips (2) seitlich nicht überragt.