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公开(公告)号：DE102008058436B4
公开(公告)日：2019-03-07
申请号：DE102008058436
申请日：2008-11-21
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： LAUER CHRISTIAN , KÖNIG HARALD DR , REILL WOLFGANG , STRAUSS UWE DR
Abstract: Kantenemittierender Halbleiterlaserchip (1) mit- einem Halbleiterkörper (100), der zumindest eine aktive Zone (14) umfasst, in der im Betrieb des Halbleiterlaserchips (1) elektromagnetische Strahlung (10) erzeugt wird,- zumindest einem Kontaktstreifen (2), der auf einer Deckfläche (1a) an einer Oberseite des Halbleiterkörpers (100) angeordnet ist, und- zumindest zwei Begrenzungsstrukturen (4) zur Begrenzung der Stromaufweitung zwischen dem Kontaktstreifen (2) und der aktiven Zone (14), wobei- die Begrenzungsstrukturen (4) beidseitig vom Kontaktstreifen (2) angeordnet sind,- zumindest eine Begrenzungsstruktur (4) durch eine Ausnehmung im Halbleiterkörper (100) gebildet ist und- die Ausnehmung in einer Richtung parallel zum Kontaktstreifen (1) durch eine Fülllinie (7) unterteilt ist, wobei vom Kontaktstreifen (1) bis zur Fülllinie (7) die Ausnehmung frei von einem Füllmaterial (41) ist und die Ausnehmung ab der Fülllinie (7), in Richtung weg vom Kontaktstreifen (1), mit dem Füllmaterial (41) befüllt ist.
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公开(公告)号：DE10039433B4
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：DE10039433
申请日：2000-08-11
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： STRAUSS UWE DR , VÖLKL JOHANNES DR , BAUR JOHANNES DR , EISERT DOMINIK DR , FEHRER MICHAEL DR , HAHN BERTHOLD DR , HÄRLE VOLKER DR , JACOB ULRICH DR , PLASS WERNER , ZEHNDER ULRICH DR
Abstract: Halbleiterchip für die Optoelektronik mit einer aktiven Schicht (2), die eine Photonen emittierende Zone umfaßt, einem für die Photonen transparenten Substrat (3), auf dem die aktive Schicht (2) angeordnet ist, und mit Querseiten (9) und Längsseiten (6), die den Halbleiterchip in den Erstreckungsrichtungen der aktiven Zone seitlich begrenzen, wobei die Längsseiten (6) als Auskoppelflächen für die Photonen dienen und in Erstreckungsrichtung der aktiven Zone jeweils länger als die Querseiten (9) sind, und sich das Substrat (3) zu einer der aktiven Schicht (2) gegenüberliegenden Grundfläche hin verjüngt, wobei das Substrat (3) eine schräge Seitenfläche aufweist, die zur Grundfläche hin in eine senkrecht zur aktiven Schicht (2) verlaufende Seitenfläche übergeht.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE10111501B4
公开(公告)日：2019-03-21
申请号：DE10111501
申请日：2001-03-09
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BAUR JOHANNES DR , EISERT DOMINIK DR , FEHRER MICHAEL DR , HAHN BERTHOLD DR , HÄRLE VOLKER DR , ORTMANN MARIANNE , STRAUSS UWE DR , VÖLKL JOHANNES DR , ZEHNDER ULRICH DR
Abstract: Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einer Mehrschichtstruktur (2), einer aktiven, der Strahlungserzeugung dienenden Schicht (3) innerhalb der Mehrschichtstruktur (2), elektrischen Kontakten (9a,b, 10), die mit der aktiven Schicht (3) elektrisch leitend verbunden sind, und einem strahlungsdurchlässigen Fenster (1) mit einer ersten Hauptfläche (5) und einer der ersten Hauptfläche (5) gegenüberliegenden zweiten Hauptfläche (6), das mit der ersten Hauptfläche (5) an die Mehrschichtstruktur (3) grenzt, wobei- in dem Fenster (1) von der zweiten Hauptfläche (6) her mindestens eine grabenartige oder grubenartige Ausnehmung (4) gebildet ist, die die Strahlungsauskopplung aus dem Fenster (1) erhöht, wobei Teile der erzeugten Strahlung an Begrenzungsflächen der Ausnehmung (4) aus dem Fenster (1) ausgekoppelt werden,- die Ausnehmung (4) mindestens eine ebene Seitenfläche (7a,b) aufweist, die mit der zweiten Hauptfläche (6) einen Winkel zwischen 20° und 70° einschließt, und- das Fenster (1) mit der Mehrschichtstruktur (2) mittels eines Waferbondingverfahrens verbunden ist.
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公开(公告)号：DE102010045782B4
公开(公告)日：2018-09-06
申请号：DE102010045782
申请日：2010-09-17
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： LELL ALFRED , BREIDENASSEL ANDREAS DR , AVRAMESCU ADRIAN STEFAN DR , STRAUSS UWE DR
Abstract: Verfahren zum Herstellen eines kantenemittierenden Halbeiterlasers (100) mit einer ersten Nitrid-basierten Laserdiode (2) und einer zweiten Nitrid-basierten Laserdiode (3) aufweisend folgende Verfahrensschritte:- Bereitstellen eines gemeinsamen Aufwachssubstrats (1), und- Epitaktisches, monolithisch integriertes Aufwachsen der ersten Laserdiode (2) und der zweiten Laserdiode (3) auf dem gemeinsamen Aufwachssubstrat (1), wobei die erste und die zweite Laserdiode (2, 3) geeignet sind, Strahlung unterschiedlicher Wellenlänge zu emittieren, wobei die erste Laserdiode (2) und die zweite Laserdiode (3) an unterschiedlichen Kristallachsen und somit auf verschiedenen Oberflächenorientierungen des Aufwachssubstrats (1) gewachsen werden, undwobei das Aufwachssubstrat (1) unterschiedlich schräge Aufwachsflächen aufweist, undwobei das Aufwachssubstrat (1) eine Ausnehmung (10) aufweist, sodass die erste Laserdiode (2) auf einer Oberseite des Aufwachssubstrats (1) angeordnet ist und die zweite Laserdiode (3) an einer Seitenfläche der Ausnehmung (10) und vollständig in der Ausnehmung (10) angeordnet ist.
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公开(公告)号：DE102010047451B4
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：DE102010047451
申请日：2010-10-04
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： LELL ALFRED , BREIDENASSEL ANDREAS DR , DINI DIMITRI DR , STRAUSS UWE DR
Abstract: Kantenemittierender Halbleiterlaser (100), mit: – einem Halbleiterkörper (1), der zumindest zwei in Querrichtung (101) nebeneinander angeordnete Streifenemitter (10) umfasst, wobei jeder Streifenemitter (10) zumindest eine zur Erzeugung von elektromagnetischer Strahlung eingerichtete aktive Zone (2) umfasst; – zumindest zwei Facetten (11) an den aktiven Zonen (2), die zumindest einen Resonator (33) für zumindest einen der Streifenemitter (10) bilden; – zumindest zwei in der Querrichtung (101) voneinander beabstandete Kontaktflächen (3), die auf einer Außenfläche (12) des Halbleiterkörpers (1) angebracht sind, wobei – jedem Streifenemitter (10) eine Kontaktfläche (3) eindeutig zugeordnet ist, – über die Kontaktflächen (3) während des Betriebs des Halbleiterlasers (100) Strom in zumindest einen der Streifenemitter (10) eingeprägt wird, – zumindest zwei der Streifenemitter (10) getrennt voneinander elektrisch betreibbar sind, – die Streifenemitter (10) als Rippenemitter ausgebildet sind, welche zumindest eine Rippe aufweisen, und – sich Rippentiefen (RT) von in Querrichtung (101) nebeneinander angeordneten Streifenemittern (10) um wenigstens 10 nm unterscheiden.
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公开(公告)号：DE102008030253B4
公开(公告)日：2020-02-20
申请号：DE102008030253
申请日：2008-06-25
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BAUMANN FRANK DR , PETERSEN KIRSTIN DR , TAUTZ SÖNKE DR , LELL ALFRED , STRAUSS UWE DR
IPC: H01L33/50 , F21K9/64 , F21Y115/10 , F21Y115/30 , H01L33/64 , H01S5/02
Abstract: Konversionselement (1) mit einem lichtdurchlässigen Matrixmaterial (2), in dem Wärmeleitpartikel (4) und mindestens ein Konversionsmittel (3), das dazu ausgestaltet ist, Licht einer Wellenlänge mindestens zum Teil in Licht einer anderen Wellenlänge umzuwandeln, eingebettet sind,bei dem durch Konversionsmittel (3) und Wärmeleitpartikel (4) Wärmeleitpfade (P) gebildet sind, wobei das Konversionselement (1) mindestens zwei Kammern (7) aufweist, die mindestens stellenweise über wärmeleitfähige Zwischenwände (8) verbunden sind, wobei die Zwischenwände (8) reflektierend sowohl für zu konvertierende als auch für konvertierte Strahlung ausgestaltet sind, undwobei ein Volumenanteil der Wärmeleitpartikel (4) ein Prozent über einer Perkolationsschwelle der Wärmeleitpartikel (4) liegt, mit einer Toleranz von höchstens einem Volumenprozent.
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公开(公告)号：DE102006061164B4
公开(公告)日：2018-12-27
申请号：DE102006061164
申请日：2006-12-22
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： OTT HUBERT , LELL ALFRED , STRAUSS UWE DR , HÄRLE VOLKER DR , STATH NORBERT DR
Abstract: Licht emittierende Vorrichtung umfassend:- eine Strahlungsquelle (5) zur Emission einer Strahlung (11) zumindest einer ersten Wellenlänge, wobei die Strahlungsquelle (5) kurzwellige Strahlung im UV-Bereich und/oder im blauen Spektralbereich emittiert,- einen elongierten, gekrümmten Lichtleitkörper (20) der eine Glasfaser mit einem Kern (20C) umfasst, wobei in den Lichtleitkörper (20) die von der Strahlungsquelle emittierte Strahlung (11) eingekoppelt wird und der auf Grund der eingekoppelten Strahlung (11) erster Wellenlänge Licht (12) in einem Winkel zu seiner Längsachse auskoppelt, wobeider Lichtleitkörper (20) ein Konvertermaterial (15) aufweist, das die Strahlung (11) erster Wellenlänge in Licht (12) einer zweiten, größeren Wellenlänge konvertiert,- eine Detektionsvorrichtung (25), die eine Beschädigung des Lichtleitkörpers (20) detektieren kann, wobei die Detektionsvorrichtung (25) eine zweite Strahlungsquelle (25E) zur Emission einer Strahlung (13) einer dritten Wellenlänge sowie einen Detektor (25D) zur Detektion der Strahlung (13) der dritten Wellenlänge umfasst, wobei die Detektion der Strahlung (13) der dritten Wellenlänge eine Funktionsfähigkeit des Lichtleitkörpers (20) anzeigt,- die Strahlung (11) erster Wellenlänge und die Strahlung (13) dritter Wellenlänge in den selben Kern (20C) des Lichtleitkörpers (20) eingekoppelt werden.
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