公开(公告)号：DE102018118824A1

公开(公告)日：2020-02-06

申请号：DE102018118824

申请日：2018-08-02

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STEINER ANDRÉ ,  RAFAEL CHRISTINE ,  ALTIERI-WEIMAR PAOLA

IPC: H01L23/29 ,  H01L21/28 ,  H01L21/56 ,  H01L29/43 ,  H01L31/0216 ,  H01L33/40 ,  H01L33/44 ,  H01S5/00

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (10, 15) umfasst eine leitfähige Schicht (130) über einem Halbleiterkörper (100, 125) und eine an die leitfähige Schicht (130, 220, 312) angrenzende erste Stresskompensationsschicht (170). Die Stresskompensationsschicht weist eine definierte erste Verspannung auf.

公开(公告)号：DE102016117893A1

公开(公告)日：2018-03-22

申请号：DE102016117893

申请日：2016-09-22

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STEINER ANDRÉ ,  BIEBERSDORF ANDREAS ,  EBBECKE JENS ,  KLEMP CHRISTOPH ,  KREUTER PHILIPP ,  PIETZONKA INES ,  SUNDGREN PETRUS

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/30

Abstract: Es wird ein optoelektronisches Bauelement angegeben. Das optoelektronisches Bauelement umfasst – eine Schichtenfolge mit einer aktiven Schicht, die im Betrieb des Bauelements eine elektromagnetische Strahlung emittiert und – eine Passivierungsschicht angeordnet über der Schichtenfolge und in direktem mechanischen Kontakt zu der Schichtenfolge. Die Passivierungsschicht umfasst ein Siliziumoxinitrid mit der allgemeinen Formel SiOxNy umfasst, wobei 0