公开(公告)号：DE10039433B4

公开(公告)日：2017-10-26

申请号：DE10039433

申请日：2000-08-11

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： STRAUSS UWE DR ,  VÖLKL JOHANNES DR ,  BAUR JOHANNES DR ,  EISERT DOMINIK DR ,  FEHRER MICHAEL DR ,  HAHN BERTHOLD DR ,  HÄRLE VOLKER DR ,  JACOB ULRICH DR ,  PLASS WERNER ,  ZEHNDER ULRICH DR

IPC: H01L33/24 ,  H01L33/20

Abstract: Halbleiterchip für die Optoelektronik mit einer aktiven Schicht (2), die eine Photonen emittierende Zone umfaßt, einem für die Photonen transparenten Substrat (3), auf dem die aktive Schicht (2) angeordnet ist, und mit Querseiten (9) und Längsseiten (6), die den Halbleiterchip in den Erstreckungsrichtungen der aktiven Zone seitlich begrenzen, wobei die Längsseiten (6) als Auskoppelflächen für die Photonen dienen und in Erstreckungsrichtung der aktiven Zone jeweils länger als die Querseiten (9) sind, und sich das Substrat (3) zu einer der aktiven Schicht (2) gegenüberliegenden Grundfläche hin verjüngt, wobei das Substrat (3) eine schräge Seitenfläche aufweist, die zur Grundfläche hin in eine senkrecht zur aktiven Schicht (2) verlaufende Seitenfläche übergeht.

公开(公告)号：DE10111501B4

公开(公告)日：2019-03-21

申请号：DE10111501

申请日：2001-03-09

Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH

Inventor： BAUR JOHANNES DR ,  EISERT DOMINIK DR ,  FEHRER MICHAEL DR ,  HAHN BERTHOLD DR ,  HÄRLE VOLKER DR ,  ORTMANN MARIANNE ,  STRAUSS UWE DR ,  VÖLKL JOHANNES DR ,  ZEHNDER ULRICH DR

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/00 ,  H01L33/02

Abstract: Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einer Mehrschichtstruktur (2), einer aktiven, der Strahlungserzeugung dienenden Schicht (3) innerhalb der Mehrschichtstruktur (2), elektrischen Kontakten (9a,b, 10), die mit der aktiven Schicht (3) elektrisch leitend verbunden sind, und einem strahlungsdurchlässigen Fenster (1) mit einer ersten Hauptfläche (5) und einer der ersten Hauptfläche (5) gegenüberliegenden zweiten Hauptfläche (6), das mit der ersten Hauptfläche (5) an die Mehrschichtstruktur (3) grenzt, wobei- in dem Fenster (1) von der zweiten Hauptfläche (6) her mindestens eine grabenartige oder grubenartige Ausnehmung (4) gebildet ist, die die Strahlungsauskopplung aus dem Fenster (1) erhöht, wobei Teile der erzeugten Strahlung an Begrenzungsflächen der Ausnehmung (4) aus dem Fenster (1) ausgekoppelt werden,- die Ausnehmung (4) mindestens eine ebene Seitenfläche (7a,b) aufweist, die mit der zweiten Hauptfläche (6) einen Winkel zwischen 20° und 70° einschließt, und- das Fenster (1) mit der Mehrschichtstruktur (2) mittels eines Waferbondingverfahrens verbunden ist.