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公开(公告)号：DE10039433B4
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：DE10039433
申请日：2000-08-11
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： STRAUSS UWE DR , VÖLKL JOHANNES DR , BAUR JOHANNES DR , EISERT DOMINIK DR , FEHRER MICHAEL DR , HAHN BERTHOLD DR , HÄRLE VOLKER DR , JACOB ULRICH DR , PLASS WERNER , ZEHNDER ULRICH DR
Abstract: Halbleiterchip für die Optoelektronik mit einer aktiven Schicht (2), die eine Photonen emittierende Zone umfaßt, einem für die Photonen transparenten Substrat (3), auf dem die aktive Schicht (2) angeordnet ist, und mit Querseiten (9) und Längsseiten (6), die den Halbleiterchip in den Erstreckungsrichtungen der aktiven Zone seitlich begrenzen, wobei die Längsseiten (6) als Auskoppelflächen für die Photonen dienen und in Erstreckungsrichtung der aktiven Zone jeweils länger als die Querseiten (9) sind, und sich das Substrat (3) zu einer der aktiven Schicht (2) gegenüberliegenden Grundfläche hin verjüngt, wobei das Substrat (3) eine schräge Seitenfläche aufweist, die zur Grundfläche hin in eine senkrecht zur aktiven Schicht (2) verlaufende Seitenfläche übergeht.
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公开(公告)号：DE10112542B9
公开(公告)日：2013-01-03
申请号：DE10112542
申请日：2001-03-15
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KRAEUTER GERTRUD DR , PLOESL ANDREAS DR , JACOB ULRICH DR
Abstract: Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement, mit – einer Schichtstruktur (30), die eine aktive Schicht (32) enthält, die im Betrieb Strahlung einer spektralen Verteilung (60) emittiert, – elektrischen Kontakten (36; 56, 38, 40) zur Einprägung eines Stroms in die Schichtstruktur (30), und – einer die aktive Schicht (32) zumindest teilweise umgebenden Vergütungsschicht (34; 44; 54), die ein Interferenzkantenfilter darstellt, das einen kurzwelligen Anteil der emittierten Strahlung (60) zurückhält und Strahlung einer dominanten Wellenlänge der in der aktiven Schicht (32) erzeugten Strahlung (60) transmittiert.
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公开(公告)号：DE10112542B4
公开(公告)日：2012-06-14
申请号：DE10112542
申请日：2001-03-15
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： KRAEUTER GERTRUD DR , PLOESL ANDREAS DR , JACOB ULRICH DR
Abstract: Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement, mit – einer Schichtstruktur (30), die eine aktive Schicht (32) enthält, die im Betrieb Strahlung einer spektralen Verteilung (60) emittiert, – elektrischen Kontakten (36; 56, 38, 40) zur Einprägung eines Stroms in die Schichtstruktur (30), und einer die aktive Schicht (32) zumindest teilweise umgebende Vergütungsschicht (34; 44; 54), die ein Interferenzkantenfilter darstellt, das einen kurzwelligen Anteil der emittierten Strahlung (60) zurückhält und Strahlung einer dominanten Wellenlänge der in der aktiven Schicht (32) erzeugten Strahlung (60) transmittiert.
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