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公开(公告)号：DE10111501B4
公开(公告)日：2019-03-21
申请号：DE10111501
申请日：2001-03-09
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BAUR JOHANNES DR , EISERT DOMINIK DR , FEHRER MICHAEL DR , HAHN BERTHOLD DR , HÄRLE VOLKER DR , ORTMANN MARIANNE , STRAUSS UWE DR , VÖLKL JOHANNES DR , ZEHNDER ULRICH DR
Abstract: Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einer Mehrschichtstruktur (2), einer aktiven, der Strahlungserzeugung dienenden Schicht (3) innerhalb der Mehrschichtstruktur (2), elektrischen Kontakten (9a,b, 10), die mit der aktiven Schicht (3) elektrisch leitend verbunden sind, und einem strahlungsdurchlässigen Fenster (1) mit einer ersten Hauptfläche (5) und einer der ersten Hauptfläche (5) gegenüberliegenden zweiten Hauptfläche (6), das mit der ersten Hauptfläche (5) an die Mehrschichtstruktur (3) grenzt, wobei- in dem Fenster (1) von der zweiten Hauptfläche (6) her mindestens eine grabenartige oder grubenartige Ausnehmung (4) gebildet ist, die die Strahlungsauskopplung aus dem Fenster (1) erhöht, wobei Teile der erzeugten Strahlung an Begrenzungsflächen der Ausnehmung (4) aus dem Fenster (1) ausgekoppelt werden,- die Ausnehmung (4) mindestens eine ebene Seitenfläche (7a,b) aufweist, die mit der zweiten Hauptfläche (6) einen Winkel zwischen 20° und 70° einschließt, und- das Fenster (1) mit der Mehrschichtstruktur (2) mittels eines Waferbondingverfahrens verbunden ist.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE10340271B4
公开(公告)日：2019-01-17
申请号：DE10340271
申请日：2003-08-29
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BAUR JOHANNES DR , HÄRLE VOLKER DR , HAHN BERTHOLD DR
Abstract: Dünnschicht-Leuchtdiodenchip (5) mit- einer auf einem Trägerelement (3) angeordneten Epitaxieschichtenfolge (8), die eine eine elektromagnetische Strahlung erzeugende aktive Zone (10) aufweist,- einer an einer zu dem Trägerelement (3) hin gewandten Hauptfläche der Epitaxieschichtenfolge (8) angeordneten reflektierenden Schicht (4), die zumindest einen Teil der in der Epitaxieschichtenfolge (8) erzeugten elektromagnetischen Strahlung in diese zurückreflektiert, und- einer auf einer vom Trägerelement (3) abgewandten Strahlungsauskoppelfläche (9) der Epitaxieschichtenfolge (8) angeordneten, aus einer Spin-on-Glas-Schicht gebildeten und das Spin-on-Glas enthaltenden strukturierten Schicht (2), wobei- die strukturierte Schicht (2) eine Strukturierung aufweist, die nebeneinanderliegende, sich in Richtung von der Strahlungsauskoppelfläche (9) weg verjüngende Vorsprünge (7) umfaßt, die ein laterales Rastermaß kleiner als eine Wellenlänge einer aus der Epitaxieschichtenfolge (8) emittierten elektromagnetischen Strahlung aufweisen und von außen gesehen konvex gekrümmt sind, und- die Strukturierung sich nicht in die Epitaxieschichtenfolge (8) hinein erstreckt.
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公开(公告)号：DE10039433B4
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：DE10039433
申请日：2000-08-11
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： STRAUSS UWE DR , VÖLKL JOHANNES DR , BAUR JOHANNES DR , EISERT DOMINIK DR , FEHRER MICHAEL DR , HAHN BERTHOLD DR , HÄRLE VOLKER DR , JACOB ULRICH DR , PLASS WERNER , ZEHNDER ULRICH DR
Abstract: Halbleiterchip für die Optoelektronik mit einer aktiven Schicht (2), die eine Photonen emittierende Zone umfaßt, einem für die Photonen transparenten Substrat (3), auf dem die aktive Schicht (2) angeordnet ist, und mit Querseiten (9) und Längsseiten (6), die den Halbleiterchip in den Erstreckungsrichtungen der aktiven Zone seitlich begrenzen, wobei die Längsseiten (6) als Auskoppelflächen für die Photonen dienen und in Erstreckungsrichtung der aktiven Zone jeweils länger als die Querseiten (9) sind, und sich das Substrat (3) zu einer der aktiven Schicht (2) gegenüberliegenden Grundfläche hin verjüngt, wobei das Substrat (3) eine schräge Seitenfläche aufweist, die zur Grundfläche hin in eine senkrecht zur aktiven Schicht (2) verlaufende Seitenfläche übergeht.
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公开(公告)号：DE10148227B4
公开(公告)日：2015-03-05
申请号：DE10148227
申请日：2001-09-28
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： ZEHNDER ULRICH DR , FEHRER MICHAEL DR , HÄRLE VOLKER DR , KÜHN FRANK
Abstract: Strahlungsemittierender Halbleiterchip, mit einer Mehrschichtstruktur (100), die eine strahlungsemittierende aktive Schicht (10) enthält, und mit einer Fensterschicht (20), die für eine von der aktiven Schicht (10) ausgesandte Strahlung durchlässig ist und die in Richtung einer Hauptabstrahlrichtung des Halbleiterbauelements der Mehrschichtstruktur (100) nachgeordnet ist, wobei – der Halbleiterchip zur Top-Down-Montage in einem Chipgehäuse vorgesehen ist, – die Fensterschicht (20) mindestens eine umlaufende Seitenfläche (21) aufweist, die im Verlauf von einer der Mehrschichtstruktur (100) zugewandten ersten Hauptfläche (22) in Richtung zu einer von der Mehrschichtstruktur (100) abgewandten zweiten Hauptfläche (23) hin zunächst einen derart abgeschrägten, gekrümmten oder gestuften ersten Seitenflächenbereich (24) aufweist, dass sich die Fensterschicht (20) gegenüber der Größe der ersten Hauptfläche (22) verbreitert, – eine umlaufende Seitenfläche (11) der Mehrschichtstruktur (100) und zumindest ein Teil des abgeschrägten, gekrümmten oder gestuften ersten Seitenflächenbereich (24) mit einer durchgehenden elektrisch isolierenden Schicht (30) überzogen sind, – dem ersten Seitenflächenbereich (24) im weiteren Verlauf zur zweiten Hauptfläche (23) hin ein abgeschrägter, gekrümmter oder gestufter zweiter Seitenflächenbereich (25) nachgeordnet ist, über dessen Länge sich die Fensterschicht (20) wieder verjüngt und – dem zweiten Seitenflächenbereich (25) ein senkrecht zur Haupterstreckungsebene der Mehrschichtstruktur (100) stehender dritter Seitenflächenbereich (27) nachgeordnet ist.
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公开(公告)号：DE102006061164B4
公开(公告)日：2018-12-27
申请号：DE102006061164
申请日：2006-12-22
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： OTT HUBERT , LELL ALFRED , STRAUSS UWE DR , HÄRLE VOLKER DR , STATH NORBERT DR
Abstract: Licht emittierende Vorrichtung umfassend:- eine Strahlungsquelle (5) zur Emission einer Strahlung (11) zumindest einer ersten Wellenlänge, wobei die Strahlungsquelle (5) kurzwellige Strahlung im UV-Bereich und/oder im blauen Spektralbereich emittiert,- einen elongierten, gekrümmten Lichtleitkörper (20) der eine Glasfaser mit einem Kern (20C) umfasst, wobei in den Lichtleitkörper (20) die von der Strahlungsquelle emittierte Strahlung (11) eingekoppelt wird und der auf Grund der eingekoppelten Strahlung (11) erster Wellenlänge Licht (12) in einem Winkel zu seiner Längsachse auskoppelt, wobeider Lichtleitkörper (20) ein Konvertermaterial (15) aufweist, das die Strahlung (11) erster Wellenlänge in Licht (12) einer zweiten, größeren Wellenlänge konvertiert,- eine Detektionsvorrichtung (25), die eine Beschädigung des Lichtleitkörpers (20) detektieren kann, wobei die Detektionsvorrichtung (25) eine zweite Strahlungsquelle (25E) zur Emission einer Strahlung (13) einer dritten Wellenlänge sowie einen Detektor (25D) zur Detektion der Strahlung (13) der dritten Wellenlänge umfasst, wobei die Detektion der Strahlung (13) der dritten Wellenlänge eine Funktionsfähigkeit des Lichtleitkörpers (20) anzeigt,- die Strahlung (11) erster Wellenlänge und die Strahlung (13) dritter Wellenlänge in den selben Kern (20C) des Lichtleitkörpers (20) eingekoppelt werden.
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公开(公告)号：DE102005048408B4
公开(公告)日：2015-03-19
申请号：DE102005048408
申请日：2005-10-10
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： HÄRLE VOLKER DR , BADER STEFAN DR , HAHN BERTHOLD DR
IPC: H01L33/46
Abstract: Dünnfilm-Halbleiterkörper (1) mit – einer zur Erzeugung von Strahlung vorgesehenen aktiven Schicht (4), – einer der aktiven Schicht nachgeordneten Strahlungsauskoppelfläche (21), – einer auf der der Strahlungsauskoppelfläche (21) abgewandten Seite der aktiven Schicht (4) angeordneten Reflexionsschicht (6), und – einem photonischen Kristall (7), wobei ein Abstand zwischen der Reflexionsschicht (6) und der aktiven Schicht (4) so gewählt ist, dass Intensitätsmaxima verschiedener Ordnungen auftreten, und der photonische Kristall auf die Strahlung höherer Ordnungen abgestimmt ist und wobei die aktive Schicht (4) zwischen einer ersten Halbleiterschicht (3) eines ersten Leitfähigkeitstyps und einer zweiten Halbleiterschicht (5) eines zweiten Leitfähigkeitstyps angeordnet ist, der Dünnfilm-Halbleiterkörper (1) einen Resonator (6, 14) umfasst und der zweiten Halbleiterschicht (3) eine zweite Reflexionsschicht (14) nachgeordnet ist, die für eine Transmission der Strahlung durchlässig beziehungsweise halbdurchlässig ist.
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