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1.发明专利Surface emitting semiconductor laser chip and method of manufacturing the same 审中-公开表面发射半导体激光芯片及其制造方法
公开(公告)号：JP2011066457A
公开(公告)日：2011-03-31
申请号：JP2010293095
申请日：2010-12-28
Applicant: Osram Opto Semiconductors Gmbh , オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
Inventor： PLASS WERNER , JUNG CHRISTIAN , ALBRECHT TONY , STRELLER UDO
CPC classification number: H01S5/18311 , H01S5/0201 , H01S5/3202
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a surface emitting semiconductor laser chip which allows an aging property to be improved or the life to be prolonged, in a surface emitting semiconductor laser chip.
SOLUTION: The surface emitting semiconductor laser chip includes a semiconductor substrate which has a crystal structure with principal crystal directions 7, a beam emitting surface 4, and sides 5 laterally delimiting the semiconductor substrate 1. In the chip, at least one of the sides 5 is disposed obliquely with respect to the principal crystal directions 7.
COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPITAbstract translation: 要解决的问题：提供一种表面发射半导体激光芯片，其在表面发射半导体激光器芯片中提供允许老化性能提高或延长寿命的表面发射半导体激光器芯片。 解决方案：表面发射半导体激光器芯片包括具有主晶体方向7的晶体结构，光束发射表面4和横向限定半导体衬底1的侧面5的半导体衬底。在芯片中，至少一个 侧面5相对于主晶体方向7倾斜地配置。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT
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公开(公告)号：JP2007073998A
公开(公告)日：2007-03-22
申请号：JP2006337515
申请日：2006-12-14
Applicant: Osram Opto Semiconductors Gmbh , オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
Inventor： BAUR JOHANNES , EISERT DOMINIK , FEHRER MICHAEL , HAHN BERTHOLD , HAERLE VOLKER DR , JACOB ULRICH , PLASS WERNER , STRAUS UWE , VOELKL JOHANNES , ZEHNDER ULRICH
CPC classification number: H01L33/20 , H01L33/24 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor chip suitable for high radiation output so that output efficiency of radiation generated in the semiconductor chip is improved.
SOLUTION: At least one vertical surface of a semiconductor chip, which is used as an output surface, is longer than a lateral surface in an extending direction of an active zone.
COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPITAbstract translation: 要解决的问题：提供适合于高辐射输出的半导体芯片，从而提高在半导体芯片中产生的辐射的输出效率。 解决方案：用作输出表面的半导体芯片的至少一个垂直表面比活动区域的延伸方向上的侧表面长。 版权所有（C）2007，JPO＆INPIT
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公开(公告)号：JP2004072098A
公开(公告)日：2004-03-04
申请号：JP2003204627
申请日：2003-07-31
Applicant: Osram Opto Semiconductors Gmbh , オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semikonductors GmbH
Inventor： PLASS WERNER , JUNG CHRISTIAN , ALBRECHT TONY , STRELLER UDO
CPC classification number: H01S5/18311 , H01S5/0201 , H01S5/3202
Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a surface emitting laser chip with improved aging characteristics or an extended life, in the surface emitting laser chip provided with a semiconductor base substrate comprising a crystal structure having a crystal main direction 7, a beam outgoing surface 4 and a side surface 5 forming the semiconductor base substrate 1 in a lateral direction.
SOLUTION: The semiconductor laser chip is arranged so that at least one side surface 5 is aslant to the crystal main direction 7.
COPYRIGHT: (C)2004,JPOAbstract translation: 解决的问题：为了提供具有改善的老化特性或延长寿命的表面发射激光器芯片，在具有包括具有晶体主方向7的晶体结构的半导体基底基板的表面发射激光器芯片中， 表面4和在横向上形成半导体基底基板1的侧表面5。 解决方案：半导体激光芯片布置成使得至少一个侧表面5与晶体主方向7相对。版权所有（C）2004，JPO
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公开(公告)号：DE10054966A1
公开(公告)日：2002-05-16
申请号：DE10054966
申请日：2000-11-06
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： STRAUS UWE , OBERSCHMID REIMUND , HAERLE VOLKER , BAUR JOHANNES , EISERT DOMINIK , FEHRER MICHAEL , HAHN BERTHOLD , JACOB ULRICH , PLASS WERNER , VOELKL JOHANNES , ZEHNDER ULRICH
Abstract: A light-emitting chip (3) comprises a lens-shaped output window (4), the base surface (5) of which is provided with a mirror surface (6). A sequence of layers (9) is arranged on an output surface (7) of the output window (4) with a photon-emitting p-n junction (10). The photons emitted by the p-n junction are reflected at the mirror surface (6) and can leave the output window (4) through the output surface (7).
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公开(公告)号：DE10039433B4
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：DE10039433
申请日：2000-08-11
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： STRAUSS UWE DR , VÖLKL JOHANNES DR , BAUR JOHANNES DR , EISERT DOMINIK DR , FEHRER MICHAEL DR , HAHN BERTHOLD DR , HÄRLE VOLKER DR , JACOB ULRICH DR , PLASS WERNER , ZEHNDER ULRICH DR
Abstract: Halbleiterchip für die Optoelektronik mit einer aktiven Schicht (2), die eine Photonen emittierende Zone umfaßt, einem für die Photonen transparenten Substrat (3), auf dem die aktive Schicht (2) angeordnet ist, und mit Querseiten (9) und Längsseiten (6), die den Halbleiterchip in den Erstreckungsrichtungen der aktiven Zone seitlich begrenzen, wobei die Längsseiten (6) als Auskoppelflächen für die Photonen dienen und in Erstreckungsrichtung der aktiven Zone jeweils länger als die Querseiten (9) sind, und sich das Substrat (3) zu einer der aktiven Schicht (2) gegenüberliegenden Grundfläche hin verjüngt, wobei das Substrat (3) eine schräge Seitenfläche aufweist, die zur Grundfläche hin in eine senkrecht zur aktiven Schicht (2) verlaufende Seitenfläche übergeht.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE102016106951A1
公开(公告)日：2017-10-19
申请号：DE102016106951
申请日：2016-04-14
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： MARFELD JAN , HOFMANN MARKUS , PLASS WERNER
Abstract: In einer Ausführungsform beinhaltet der optoelektronische Halbleiterchip (1) ein mechanisch selbsttragendes, lichtdurchlässiges Aufwachssubstrat (2) mit einer Aufwachsoberfläche (20) sowie eine Halbleiterschichtenfolge (3) und mehrere elektrische Kontaktstege (4). Die Halbleiterschichtenfolge (3) befindet sich direkt an der Aufwachsoberfläche (20) und umfasst eine n-leitende n-Seite (31), eine p-leitende p-Seite (33) und eine dazwischenliegende aktive Zone (32) zur Lichterzeugung. Die Halbleiterschichtenfolge (3) ist in eine Vielzahl von Leuchteinheiten (5) strukturiert, die über die Kontaktstege (4) elektrisch in Serie geschaltet sind. Ein Verhältnis aus einer Länge entlang einer Längsachse (A) zu einer Breite des Aufwachssubstrats (2) beträgt mindestens 15, in Draufsicht auf die Aufwachsoberfläche (20) gesehen.
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公开(公告)号：DE10234976B4
公开(公告)日：2012-05-03
申请号：DE10234976
申请日：2002-07-31
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： STRELLER UDO DR , PLASS WERNER , JUNG CHRISTIAN DR , ALBRECHT TONY
Abstract: Oberflächenemittierender Halbleiterlaserchip mit einem Halbleiterkörper (1), der zumindest teilweise eine Kristallstruktur mit Kristallhauptrichtungen (7), eine Strahlungsaustrittsfläche (4) und den Halbleiterkörper (1) lateral begrenzende Seitenflächen (5), die bei der Zerteilung eines Wafers in einzelne Halbleiterchips entstehen, aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest eine Seitenfläche (5) schräg zu den parallel zur Strahlungsaustrittsfläche verlaufenden Kristallhauptrichtungen (7) angeordnet ist.
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公开(公告)号：DE50115638D1
公开(公告)日：2010-11-04
申请号：DE50115638
申请日：2001-07-24
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BAUR JOHANNES , EISERT DOMINIK , FEHRER MICHAEL , HAHN BERTHOLD , HAERLE VOLKER , JACOB ULRICH , PLASS WERNER , STRAUSS UWE , VOELKL JOHANNES , ZEHNDER ULRICH
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公开(公告)号：DE10234976A1
公开(公告)日：2004-02-12
申请号：DE10234976
申请日：2002-07-31
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： STRELLER UDO , PLASS WERNER , JUNG CHRISTIAN , ALBRECHT TONY
Abstract: Surface emitting semiconductor laser chip comprises a semiconductor body (1) having a crystal structure with main directions (7), a radiation collision surface (4) and side surfaces (5) laterally delimiting the semiconductor body. At least one side surface is arranged at a slanted angle to the crystal main directions. An Independent claim is also included for a process for the production of the surface emitting semiconductor laser chip.
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公开(公告)号：DE10101554A1
公开(公告)日：2002-08-01
申请号：DE10101554
申请日：2001-01-15
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： VOELKL JOHANNES , BAUR JOHANNES , EISERT DOMINIK , FEHRER MICHAEL , HAHN BERTHOLD , HAERLE VOLKER , STRAUSS UWE , ZEHNDER ULRICH , JACOB ULRICH , PLASS WERNER
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