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公开(公告)号：DE10111501B4
公开(公告)日：2019-03-21
申请号：DE10111501
申请日：2001-03-09
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BAUR JOHANNES DR , EISERT DOMINIK DR , FEHRER MICHAEL DR , HAHN BERTHOLD DR , HÄRLE VOLKER DR , ORTMANN MARIANNE , STRAUSS UWE DR , VÖLKL JOHANNES DR , ZEHNDER ULRICH DR
Abstract: Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einer Mehrschichtstruktur (2), einer aktiven, der Strahlungserzeugung dienenden Schicht (3) innerhalb der Mehrschichtstruktur (2), elektrischen Kontakten (9a,b, 10), die mit der aktiven Schicht (3) elektrisch leitend verbunden sind, und einem strahlungsdurchlässigen Fenster (1) mit einer ersten Hauptfläche (5) und einer der ersten Hauptfläche (5) gegenüberliegenden zweiten Hauptfläche (6), das mit der ersten Hauptfläche (5) an die Mehrschichtstruktur (3) grenzt, wobei- in dem Fenster (1) von der zweiten Hauptfläche (6) her mindestens eine grabenartige oder grubenartige Ausnehmung (4) gebildet ist, die die Strahlungsauskopplung aus dem Fenster (1) erhöht, wobei Teile der erzeugten Strahlung an Begrenzungsflächen der Ausnehmung (4) aus dem Fenster (1) ausgekoppelt werden,- die Ausnehmung (4) mindestens eine ebene Seitenfläche (7a,b) aufweist, die mit der zweiten Hauptfläche (6) einen Winkel zwischen 20° und 70° einschließt, und- das Fenster (1) mit der Mehrschichtstruktur (2) mittels eines Waferbondingverfahrens verbunden ist.
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公开(公告)号：DE102010053362A1
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：DE102010053362
申请日：2010-12-03
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： PETERSEN KIRSTIN , BAUMANN FRANK DR , EISERT DOMINIK DR , CUI HAILING DR
IPC: H01L33/50
Abstract: Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips angegeben, bei dem eine erste wellenlängenkonvertierende Schicht (8) über der Strahlungsaustrittsfläche (2) eines Halbleiterkörpers (1) aufgebracht wird, wobei das Aufbringungsverfahren aus der folgenden Gruppe gewählt ist: Sedimentation, Elektrophorese. Über der Strahlungsaustrittsfläche (2) des Halbleiterkörpers (1) wird weiterhin eine zweite wellenlängenkonvertierende Schicht (4) aufgebracht, wobei die zweite wellenlängenkonvertierende Schicht (4) entweder in einem separaten Verfahrensschritt hergestellt und nachfolgend aufgebracht wird oder das Aufbringungsverfahren aus der folgenden Gruppe gewählt ist: Sedimentation, Elektrophorese, Drucken. Weiterhin werden ein strahlungsemittierender Halbleiterchip sowie ein strahlungsemittierendes Bauelement angegeben.
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公开(公告)号：DE10208170B8
公开(公告)日：2013-07-18
申请号：DE10208170
申请日：2002-02-26
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： BAUR JOHANNES DR , BRUEDERL GEORG DR , EISERT DOMINIK DR , KAISER STEPHAN DR , LELL ALFRED , LUGAUER HANS-JUERGEN DR , STRAUS UWE
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE10039433B4
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：DE10039433
申请日：2000-08-11
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： STRAUSS UWE DR , VÖLKL JOHANNES DR , BAUR JOHANNES DR , EISERT DOMINIK DR , FEHRER MICHAEL DR , HAHN BERTHOLD DR , HÄRLE VOLKER DR , JACOB ULRICH DR , PLASS WERNER , ZEHNDER ULRICH DR
Abstract: Halbleiterchip für die Optoelektronik mit einer aktiven Schicht (2), die eine Photonen emittierende Zone umfaßt, einem für die Photonen transparenten Substrat (3), auf dem die aktive Schicht (2) angeordnet ist, und mit Querseiten (9) und Längsseiten (6), die den Halbleiterchip in den Erstreckungsrichtungen der aktiven Zone seitlich begrenzen, wobei die Längsseiten (6) als Auskoppelflächen für die Photonen dienen und in Erstreckungsrichtung der aktiven Zone jeweils länger als die Querseiten (9) sind, und sich das Substrat (3) zu einer der aktiven Schicht (2) gegenüberliegenden Grundfläche hin verjüngt, wobei das Substrat (3) eine schräge Seitenfläche aufweist, die zur Grundfläche hin in eine senkrecht zur aktiven Schicht (2) verlaufende Seitenfläche übergeht.
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公开(公告)号：DE10208170B4
公开(公告)日：2013-04-25
申请号：DE10208170
申请日：2002-02-26
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： STRAUSS UWE , BAUR JOHANNES DR , BRUEDERL GEORG DR , EISERT DOMINIK DR , KAISER STEPHAN DR , LELL ALFRED , LUGAUER HANS-JUERGEN DR
Abstract: Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einer vertikalen Emissionsrichtung mit – einer Strahlungsauskoppelschicht (12), die für eine im Betrieb von der aktiven Schicht (18) emittierte Strahlung durchlässig ist, – einer Halbleiterschichtfolge (14), die eine Photonen emittierende aktive Schicht (18) enthält, – einer zwischen der Strahlungsauskoppelschicht (12) und der Halbleiterschichtfolge (14) angeordneten ersten Spiegelschicht (22) mit Reflektivität R1 und – einer auf der von der Strahlungsauskoppelschicht (12) abgewandten Seite des Halbleiterschichtfolge angeordneten zweiten Spiegelschicht (24) mit Reflektivität R2, wobei die erste und zweite Spiegelschicht (22, 24) einen vertikal zu einer Haupterstreckungsrichtung der Halbleiterschichtfolge angeordneten Resonator bilden, dessen Achse (30) die vertikale Emissionsrichtung des Bauelements darstellt, die Reflektivität R1 der ersten Spiegelschicht (22) kleiner als die Reflektivität R2 der zweiten Spiegelschicht (24) ist, derart, daß die vertikal emittierte Strahlung (42, 46) im wesentlichen über die Auskoppelschicht (12) aus dem Bauelement ausgekoppelt wird und die Auskoppelschicht (12) einen ungeschrägten und...
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公开(公告)号：DE102011050450A1
公开(公告)日：2012-11-22
申请号：DE102011050450
申请日：2011-05-18
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： EISERT DOMINIK DR , BAADE TORSTEN DR , ZITZLSPERGER MICHAEL
Abstract: Es werden ein optoelektronischer Halbleiterchip, ein optoelektronisches Halbleiterbauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements angegeben. Gemäß einem Aspekt weist der optoelektronische Halbleiterchip (1) einen Halbleiterkörper (10), der zur Emission von Primärlicht ausgebildet ist, und ein Lumineszenzkonversionselement (20), das zur Emission von Sekundärlicht mittels Wellenlängenkonversion zumindest eines Teils des Primärlichts ausgebildet ist, auf. Das Lumineszenzkonversionselement (20) weist insbesondere ein erstes Plättchen (21) und ein zweites Plättchen (22) auf. Das erste Plättchen (21) ist an einem ersten Teilbereich (1011) einer zur Abstrahlung von Primärlicht vorgesehenen Außenfläche (101) des Halbleiterkörpers (10) befestigt und lässt einen zweiten Teilbereich (1012) dieser Außenfläche (101). Das zweite Plättchen (22) ist an einer von dem Halbleiterkörper (10) abgewandten Oberfläche des ersten Plättchens (21) befestigt und von dem Halbleiterkörper (10) beabstandet. Das erste Plättchen (21) ist für die Primärstrahlung zumindest teilweise durchlässig ausgebildet. Ein Abschnitt des zweiten Plättchens (22) überdeckt zumindest den zweiten Teilbereich (1012). Zumindest der Abschnitt des zweiten Plättchens (22) ist für die Primärstrahlung absorbierend und/oder reflektierend und/oder streuend ausgebildet.
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公开(公告)号：DE102012109650A1
公开(公告)日：2014-04-10
申请号：DE102012109650
申请日：2012-10-10
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： EISERT DOMINIK DR , STOLL ION
Abstract: Es wird ein keramisches Konversionselement (1) mit den folgenden Merkmalen angegeben: – einer ersten keramischen Schicht (2), die einen ersten Leuchtstoff (3) aufweist, der elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs in elektromagnetische Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereichs umwandelt, und – einer zweiten keramischen Schicht (4), die einen zweiten Leuchtstoff (5) aufweist, der elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs in elektromagnetische Strahlung eines dritten Wellenlängenbereichs umwandelt, wobei – der erste Leuchtstoff (3) und der zweite Leuchtstoff (5) auf mindestens einer sauerstoffhaltigen anorganischen Verbindung basieren und voneinander verschieden sind. Weiterhin werden ein optoelektronisches Bauelement mit einem keramischen Konversionselement und ein Verfahren zur Herstellung eines keramischen Konversionselements angegeben.
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公开(公告)号：DE102011113962A1
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：DE102011113962
申请日：2011-09-21
Applicant: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
Inventor： STOLL ION , EISERT DOMINIK DR
IPC: H01L33/50 , C04B35/624 , C04B35/64
Abstract: Es wird ein keramisches Konversionselement (1) mit einer Vielzahl erster säulenartiger Bereiche (2) und einer Vielzahl zweiter säulenartiger Bereiche (3), die von den ersten Bereichen (2) verschieden sind, wobei – die ersten Bereiche (2) keramisch ausgebildet sind, – die zweiten Bereiche (3) in einer Draufsicht auf eine Hauptfläche (7) des Konversionselements (1) gemäß einem hexagonalen Muster angeordnet sind, und – zumindest entweder die ersten Bereiche (2) dazu geeignet sind, elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs in elektromagnetische Strahlung eines vom ersten verschiedenen, zweiten Wellenlängenbereichs umzuwandeln, oder – zumindest die zweiten Bereiche (3) dazu geeignet sind, elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereichs in elektromagnetische Strahlung eines dritten Wellenlängenbereichs umzuwandeln, wobei der dritte Wellenlängenbereich vom ersten und zweiten Wellenlängenbereich verschieden ist. Weiterhin werden ein optoelektronisches Bauelement mit einem keramischen Konversionselement und ein Verfahren zur Herstellung eines keramischen Konversionselements angegeben.
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