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    Estructura de unión túnel magnética
    2.
    发明专利
    Estructura de unión túnel magnética 未知

    公开(公告)号：ES2540876T3

    公开(公告)日：2015-07-14

    申请号：ES11186235

    申请日：2009-02-23

    Applicant: QUALCOMM INC ,  QUALCOMM INC

    Inventor： LI XIA

    IPC: H01L43/08 ,  G11C11/16

    Abstract: Una célula MTJ que comprende: una zanja en un sustrato (602); una estructura MTJ dentro de la zanja, teniendo la zanja dimensiones que determinan la forma de estructura MTJ, incluyendo la estructura MTJ: un electrodo inferior (606) depositado dentro de la zanja para cubrir una superficie inferior y una superficie lateral de la zanja; una pila MTJ depositada sobre el electrodo inferior dentro de la zanja, comprendiendo la pila MTJ una capa fija, una barrera de túnel, y una capa libre; y un electrodo central (610) dentro de la zanja acoplada a la pila MTJ; caracterizada porque: la pila MTJ dentro de la zanja forma al menos dos paredes laterales verticales opuestas (616, 620) y una pared inferior (770), definiendo cada una de las paredes laterales verticales (616, 620) y la pared inferior (770) un dominio magnético independiente (622,624, 772), además caracterizada porque una anchura (a, b) de cada cara lateral exterior de la pila MTJ (616, 620) es menor que una profundidad (c) de la pila MTJ de manera que los dominios magnéticos (622, 624) de las paredes laterales verticales (616, 620) están orientadas en una dirección vertical.

    Celda de bits de cálculo en memoria
    3.
    发明专利
    Celda de bits de cálculo en memoria 未知

    公开(公告)号：ES2989963T3

    公开(公告)日：2024-11-28

    申请号：ES20746466

    申请日：2020-06-01

    Applicant: QUALCOMM INC

    Inventor： WANG ZHONGZE ,  LI XIA ,  LU YE ,  GAO YANDONG

    IPC: G11C11/412 ,  G06G7/163 ,  G06N3/00 ,  G11C7/10 ,  G11C7/12 ,  G11C7/16 ,  G11C8/14 ,  G11C11/417 ,  G11C11/54

    Abstract: Un Compute In Memory (CIM) de compartición de carga puede comprender una celda de bit XNOR con un capacitor interno entre el nodo de salida XNOR y un voltaje del sistema. Alternativamente, un CIM de compartición de carga puede comprender una celda de bit XNOR con un capacitor interno entre el nodo de salida XNOR y una línea de bit de lectura. Alternativamente, un CIM de compartición de carga puede comprender una celda de bit XNOR con un capacitor interno entre XNOR y la línea de bit de lectura con una línea de bit de escritura separada y una barra de línea de bit de escritura. (Traducción automática con Google Translate, sin valor legal)

    Unión túnel magnética (MTJ) y procedimiento de formación de la misma
    6.
    发明专利
    Unión túnel magnética (MTJ) y procedimiento de formación de la misma 未知

    公开(公告)号：ES2487627T3

    公开(公告)日：2014-08-22

    申请号：ES10765114

    申请日：2010-04-14

    Applicant: QUALCOMM INC

    Inventor： ZHU XIAOCHUN ,  NOWAK MATTHEW ,  LI XIA ,  KANG SEUNG H

    IPC: G11C11/16 ,  H01F10/32 ,  H01L27/22 ,  H01L43/08

    Abstract: Una unión túnel magnética, MTJ, (70) en una memoria magnética de acceso aleatorio, MRAM, que comprende: un primer electrodo (83) y un segundo electrodo (82); una barrera túnel (74) entre el primer electrodo (83) y el segundo electrodo (82); una capa libre (76) entre el segundo electrodo (82) y la barrera túnel (74); y una capa inmovilizada (72) entre el primer electrodo (83) y la barrera túnel (74); en la que la capa inmovilizada (72) se extiende más allá de la capa libre (76) en todas las direcciones paralelas a la capa libre (76) y caracterizada porque el área superficial de la capa inmovilizada es al menos un diez por ciento mayor que el área superficial de la capa libre (76).

    MAGNETIC TUNNEL JUNCTION CELL INCLUDING MULTIPLE MAGNETIC DOMAINS
    7.
    发明专利
    MAGNETIC TUNNEL JUNCTION CELL INCLUDING MULTIPLE MAGNETIC DOMAINS 未知

    公开(公告)号：CA2713337C

    公开(公告)日：2013-12-10

    申请号：CA2713337

    申请日：2009-01-28

    Applicant: QUALCOMM INC

    Inventor： LI XIA

    IPC: G11C11/16 ,  G11C11/56 ,  H01L27/22 ,  H01L43/08

    Abstract: In a particular embodiment, a magnetic tunnel junction (MTJ) structure (100) is disclosed that includes an MTJ cell having multiple sidewalls (110, 112, 114) that extend substantially normal to a surface of a substrate (490). Each of the multiple sidewalls includes a free layer (106) to carry a unique magnetic domain. Each of the unique magnetic domains is adapted to store a digital value.

    MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE WITH SEPARATE READ AND WRITE PATHS
    9.
    发明专利
    MAGNETIC TUNNEL JUNCTION DEVICE WITH SEPARATE READ AND WRITE PATHS 未知

    公开(公告)号：CA2808570C

    公开(公告)日：2016-02-23

    申请号：CA2808570

    申请日：2008-12-19

    Applicant: QUALCOMM INC

    Inventor： ZHU XIAOCHUN ,  GU SHIQUN ,  LI XIA ,  KANG SEUNG H

    IPC: H01L21/64 ,  G11C7/00 ,  G11C11/16 ,  H01L29/82

    Abstract: In an embodiment, a device is disclosed that includes a magnetic tunnel junction (MTJ) structure. The device also includes a read path (102) coupled to the MTJ structure and a write path (104) coupled to the MTJ structure. The write path (104) is separate from the read path (102). The device in substance comprises a pair of serially coupled MTJ structures (106, 108), whereby the read path (102) comprises only one of the MTJ structure (108). This provides for combined improved read margin and improved write margin.

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