公开(公告)号：FR2970117B1

公开(公告)日：2013-09-20

申请号：FR1061329

申请日：2010-12-29

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： SANCHEZ YANNICK ,  FOUREL MICKAEL ,  INARD ALAIN

IPC: H01L21/60 ,  G06K19/077

公开(公告)号：FR2970117A1

公开(公告)日：2012-07-06

申请号：FR1061329

申请日：2010-12-29

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2

Inventor： SANCHEZ YANNICK ,  FOUREL MICKAEL ,  INARD ALAIN

IPC: H01L21/60 ,  G06K19/077

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'une puce (1) de circuit intégré comprenant, du côté de sa face arrière, des plages métalliques (3, 7) destinées à assurer des connexions vers l'extérieur, ce procédé comportant les étapes suivantes : a) former lesdites plages par dépôt électrolytique localisé de cuivre (33) ; et b) revêtir au moins certaines (3, 7) desdites plages, par dépôt électrolytique localisé, d'une couche (51) en un métal non oxydable du groupe comprenant le nickel, les alliages à base d'étain et d'argent, et l'or.

公开(公告)号：FR2959866A1

公开(公告)日：2011-11-11

申请号：FR1053527

申请日：2010-05-06

Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 ,  ST MICROELECTRONICS SA

Inventor： GUYADER FRANCOIS ,  SANCHEZ YANNICK ,  HOTELLIER NICOLAS ,  BERGER THIERRY

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48

Abstract: Lors de la gravure de l'oxyde de champ (RIS) de façon à prolonger l'orifice (OR) de la future liaison traversante (TSV) jusqu'au niveau de métal (M1), on protège au moins une partie de cet oxyde de champ avec une résine (MP) qui peut être sacrificielle ou non.