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公开(公告)号：FR2991811A1
公开(公告)日：2013-12-13
申请号：FR1255433
申请日：2012-06-11
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 , ST MICROELECTRONICS SA
Inventor： BIANCHI RAUL ANDRES , FONTENEAU PASCAL
IPC: H01L29/866
Abstract: L'invention concerne une diode à avalanche comprenant, entre deux régions fortement dopées de types de conductivité opposés (5, 6) disposées à la surface d'une région semiconductrice , une région faiblement dopée (7), la longueur L de la région faiblement dopée entre les régions fortement dopées étant de l'ordre de 50 à 200 nm.
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公开(公告)号：FR3055471A1
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：FR1658070
申请日：2016-08-31
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： PETITDIDIER SEBASTIEN , HOTELLIER NICOLAS , BIANCHI RAUL ANDRES , FARCY ALEXIS , FROMENT BENOIT
IPC: H01L23/58
Abstract: L'invention concerne une puce semiconductrice comprenant au moins deux vias isolés (8) traversant la puce de la face avant à la face arrière dans laquelle, du côté de la face arrière, les vias sont connectés à une même bande conductrice (12) et, du côté de la face avant, chaque via est séparé d'un plot conducteur (3, 4) par une couche d'un diélectrique (6).
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公开(公告)号：FR2995723A1
公开(公告)日：2014-03-21
申请号：FR1258776
申请日：2012-09-19
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2
Inventor： BIANCHI RAUL ANDRES
IPC: H01L27/088 , G05F3/02
Abstract: L'invention concerne un circuit électronique de fourniture d'une tension ou d'un courant variant de façon linéaire en fonction de la température dans une plage de températures, comprenant au moins deux transistors MOS (RVT, LVT) identiques traversés par le même courant de drain, chaque transistor ayant un canal (28) complètement déplété qui est séparé d'une région semiconductrice dopée (48, 50) par une couche isolante (16, 18), les types de conductivité des dopants desdites régions semiconductrices dopées étant différents, ladite tension ou ledit courant étant proportionnel à la différence entre les tensions grille-source/drain des deux transistors.
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公开(公告)号：FR2981792A1
公开(公告)日：2013-04-26
申请号：FR1159659
申请日：2011-10-25
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2
Inventor： PERRIN EMMANUEL , BIDAL GREGORY , BIANCHI RAUL ANDRES
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: L'invention concerne un procédé de définition d'une zone isolante dans un substrat semiconducteur (30), comprenant une étape de formation d'une couche d'accroche (36) sur les parois et le fond d'une tranchée définie dans le substrat (30). Le procédé comprend une étape de passivation de la face apparente de ladite couche d'accroche (36), au moins à proximité de la surface dudit substrat semiconducteur (30).
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公开(公告)号：FR3114190B1
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：FR2010469
申请日：2020-10-13
Inventor： BIANCHI RAUL ANDRES , BARLAS MARIOS , LOPEZ ALEXANDRE , MAMDY BASTIEN , RAE BRUCE , NICHOLSON ISOBEL
IPC: H01L31/107 , H01L27/146
Abstract: Pixel à efficacité quantique améliorée La présente description concerne un pixel (1) comprenant : une photodiode (PD) comprenant une partie (100) d’un substrat (102) en un matériau semi-conducteur, s’étendant verticalement à partir d’une première face (104) du substrat (102) jusqu’à une deuxième face (106) du substrat (102) configurée pour recevoir de la lumière ; une couche (108) en un premier matériau recouvrant chacune des surfaces latérales de ladite partie (100) ; une couche (110) en un deuxième matériau recouvrant ladite partie (100) du côté de la première face (104), les premier et deuxième matériaux ayant des indices de réfraction inférieurs à celui du matériau semiconducteur ; et une structure de diffraction (125) disposée sur une face de la photodiode (PD) du côté de la deuxième face (106). Figure pour l'abrégé : Fig. 1
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：FR3064435A1
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：FR1752336
申请日：2017-03-22
Inventor： LISART MATHIEU , BIANCHI RAUL ANDRES , FROMENT BENOIT
IPC: H04L9/10
Abstract: Le dispositif intégré de fonctions physiquement non clonables est basé sur un ensemble de transistors MOS (TR1i, TR2j) présentant une distribution aléatoire de tensions de seuil obtenues par des implantations latérales de dopants présentant des caractéristiques non prédictibles, résultant par exemple d'implantations à travers une couche de polysilicium. Un certain nombre de ces transistors forme un groupe de transistors « témoins » (TR1i) qui vont permettre de définir une tension grille-source moyenne permettant de polariser les grilles de certains autres de ces transistors (TR2j) (qui vont être utilisés pour définir les différents bits du code unique généré par la fonction). Tous ces transistors présentent par conséquent une distribution aléatoire de courants drain-source et la comparaison de chaque courant drain-source (ITRj) d'un transistor (TR2j) associé à un bit du code numérique avec un courant de référence (IRj) correspondant à la moyenne de cette distribution, va permettre de définir la valeur logique 0 ou 1 de ce bit.
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7.发明专利
公开(公告)号：ITUA20164739A1
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：ITUA20164739
申请日：2016-06-29
Applicant: ST MICROELECTRONICS SRL , ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS , ST MICROELECTRONICS ROUSSET
Inventor： CONTE ANTONINO , CASTALDO ENRICO , BIANCHI RAUL ANDRES , LA ROSA FRANCESCO
IPC: G04F10/10
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公开(公告)号：FR3121282A1
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：FR2103040
申请日：2021-03-25
Applicant: ST MICROELECTRONICS CROLLES 2 SAS
Inventor： ZIMMER ANTONIN , GOLANSKI DOMINIQUE , BIANCHI RAUL ANDRES
IPC: H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: Photodiode SPAD La présente description concerne une photodiode comportant, dans un substrat semi-conducteur (11) d'un premier type de conductivité : - une première région (13) enterrée sensiblement hémisphérique du premier type de conductivité ; et - à l'intérieur de la première région, un coeur (15) sensiblement hémisphérique d'un deuxième type de conductivité, différent du premier type de conductivité. Figure pour l'abrégé : Fig. 2
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公开(公告)号：FR3114190A1
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：FR2010469
申请日：2020-10-13
Inventor： BIANCHI RAUL ANDRES , BARLAS MARIOS , LOPEZ ALEXANDRE , MAMDY BASTIEN , RAE BRUCE , NICHOLSON ISOBEL
IPC: H01L31/107 , H01L27/146
Abstract: Pixel à efficacité quantique améliorée La présente description concerne un pixel (1) comprenant : une photodiode (PD) comprenant une partie (100) d’un substrat (102) en un matériau semi-conducteur, s’étendant verticalement à partir d’une première face (104) du substrat (102) jusqu’à une deuxième face (106) du substrat (102) configurée pour recevoir de la lumière ; une couche (108) en un premier matériau recouvrant chacune des surfaces latérales de ladite partie (100) ; une couche (110) en un deuxième matériau recouvrant ladite partie (100) du côté de la première face (104), les premier et deuxième matériaux ayant des indices de réfraction inférieurs à celui du matériau semiconducteur ; et une structure de diffraction (125) disposée sur une face de la photodiode (PD) du côté de la deuxième face (106). Figure pour l'abrégé : Fig. 1
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公开(公告)号：FR3101729A1
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：FR1911063
申请日：2019-10-07
Inventor： BIANCHI RAUL ANDRES , VIGNETTI MATTEO MARIA , RAE BRUCE
IPC: H01L31/107 , G01J11/00 , H01L27/146
Abstract: Extinction d'une SPAD La présente description concerne un dispositif (1) comprenant : une photodiode (100) dont une première borne est reliée par une résistance (R) à un premier noeud (104) configuré pour recevoir un potentiel haut d'alimentation (VH) et dont une deuxième borne est reliée par un interrupteur (102) à un deuxième noeud (106) configuré pour recevoir un potentiel de référence (GND) ; un circuit de lecture (110) configuré pour fournir une impulsion (OUT) lorsque la diode (100) entre en avalanche ; et un circuit de commande (126) configuré pour commander une ouverture de l'interrupteur (102) en réponse au début de ladite impulsion (OUT) et pour commander une fermeture de l'interrupteur en réponse à la fin de ladite impulsion (OUT). Figure pour l'abrégé : Fig. 1
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