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公开(公告)号:CN117396998A
公开(公告)日:2024-01-12
申请号:CN202280038238.6
申请日:2022-05-09
Applicant: 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司
IPC: H01J37/28
Abstract: 本发明揭示一种多束带电粒子系统及设定多束带电粒子系统的工作距离WD的方法。运用该方法,通过从预定校准参数值计算部件的参数值来调整工作距离,同时维持晶圆检查任务的成像性能。即使用具有与多束带电粒子系统光轴平行的固定z位置的晶圆台,该方法允许进行快速晶圆检查任务。
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公开(公告)号:CN119497902A
公开(公告)日:2025-02-21
申请号:CN202380052228.2
申请日:2023-06-21
Applicant: 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司
IPC: H01J37/153 , H01J3/16
Abstract: 提供了一种具有减小场曲率的多束带电粒子系统(1)。该多束带电粒子系统包含带电粒子反射镜元件(700),用于补偿带电粒子成像元件(102、103.1、103.2)的场曲。该带电粒子反射镜元件可配置成在使用期间产生用于反射一次带电粒子(3.1‑3.3)的弯曲形状的虚拟反射面(1321)。本发明能够适用于对射束均匀性和通过量有较高要求的多束带电粒子系统的应用。
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公开(公告)号:CN119698682A
公开(公告)日:2025-03-25
申请号:CN202380059458.1
申请日:2023-07-28
Applicant: 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司
IPC: H01J37/04 , H01J37/147 , H01J37/21 , H01J37/28
Abstract: 公开一种具有磁体配置以分隔一次粒子光学射束路径与二次粒子光学射束路径的粒子光学配置,特别是多束粒子显微镜。该磁体配置具有:第一磁场区域,一次粒子光学射束路径和二次粒子光学射束路径穿过第一磁场区域,用于将一次粒子光学射束路径与二次粒子光学射束路径彼此分隔;第二磁场区域,配置在该一次粒子光学射束路径中并且不配置在该二次粒子光学射束路径中,该第二磁场区域相对于该一次粒子光学射束路径配置在该第一磁场区域的上游,且该第一磁场区域和该第二磁场区域实质上使该一次粒子光学射束路径沿不同方向偏转;第三磁场区域,配置在该一次粒子光学射束路径中并且不配置在该二次粒子光学射束路径中,第三磁场区域相对于一次粒子光学射束路径配置在第二磁场区域的上游,且第一和第三磁场区域实质上使一次粒子光学射束路径沿相同方向偏转。一次粒子光学射束路径进入第三磁场区域的进入方向与该一次粒子光学射束路径从第一磁场区域的离开方向彼此平行且没有偏移。
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公开(公告)号:CN117897793A
公开(公告)日:2024-04-16
申请号:CN202280055600.0
申请日:2022-05-25
Applicant: 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司
Abstract: 提供一种用于多射束系统的多射束产生单元,其具有用于多个一次带电粒子小射束中的每一者的较大个别聚焦功率。该多射束产生单元包含主动端末多孔板。该端末多孔板可用于较大的聚焦范围,其用于多个一次带电粒子小射束中的每个小射束的个别消像散焦点调节。
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公开(公告)号:CN117501399A
公开(公告)日:2024-02-02
申请号:CN202180099510.7
申请日:2021-06-16
Applicant: 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司
IPC: H01J37/147
Abstract: 本发明公开了一种多射束带电粒子检查系统和一种操作具高产量、高分辨率和高可靠性的多射束带电粒子检查系统以进行晶片检查的方法。该方法和该多射束带电粒子束检查系统包括用于减少和补偿扫描所引起的像差的构件,诸如用于以相对于该多射束带电粒子检查系统的光学轴的一定角度传播的子射束的聚合多射束光栅扫描仪的扫描失真。
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公开(公告)号:CN116325067A
公开(公告)日:2023-06-23
申请号:CN202180066998.3
申请日:2021-09-22
Applicant: 卡尔蔡司MultiSEM有限责任公司
IPC: H01J37/26
Abstract: 本发明关于在可调工作距离附近具有快速自动对焦的多重粒子束显微镜及相关方法。提出了具有一个或多个快速自动对焦校正透镜的系统,用于在晶片检查期间以高频方式调整个别粒子束入射到晶片表面时的聚焦、位置、着陆角和旋转。可以类似的方式在粒子束系统的二次路径中实现快速自动对焦。通过偏转器和/或消像散器形式的快速像差校正装置,可进一步提高准确度。
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