公开(公告)号：CN107356989A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201710312249.X

申请日：2017-05-05

Applicant: 住友化学株式会社 ,  财团法人工业技术研究院

Inventor： 望月胜纪 ,  上田和正 ,  岸田明子 ,  李宗铭 ,  吕奇明 ,  林志成 ,  曾永隆

IPC: G02B1/00

CPC classification number: B32B27/283 ,  B32B27/36 ,  C08J2379/08 ,  C08K3/36 ,  C08K5/16 ,  C08K2201/005 ,  C08L79/08 ,  G02B1/00

Abstract: 本发明涉及光学膜、具备该光学膜的柔性设备构件及树脂组合物，所述光学膜含有树脂和通过扫描型电子显微镜的图像解析测定的平均一次粒径为21nm～40nm的二氧化硅微粒，以上述树脂和上述二氧化硅微粒的合计含量为基准，上述二氧化硅微粒的含量为15质量％～80质量％。

公开(公告)号：CN101421858A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200780013435.8

申请日：2007-02-13

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 笠原健司 ,  上田和正 ,  小野善伸

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/025 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/42

Abstract: 本发明提供三族氮化物半导体发光元件及其制造方法。三族氮化物半导体发光元件，依次包含(a1)、(b1)及(c1)，即：(a1)N电极；(b1)半导体多层膜；(c1)透明导电性氧化物P电极，在此，半导体多层膜依次包含N型半导体层、发光层、P型半导体层、n型杂质浓度为5×1018cm－3～5×1020cm－3的高浓度N型半导体层，N型半导体层与N电极接触，且半导体多层膜具有凸部。另外，三族氮化物半导体发光元件包含(a2)、(b2)及(c2)，即：(a2)透明导电性氧化物N电极；(b2)半导体多层膜；(c2)P电极，在此，半导体多层膜依次包含n型杂质浓度为5×1018cm－3～5×1020cm－3的高浓度N型半导体层、N型半导体层、发光层、P型半导体层，P型半导体层与P电极接触，且半导体多层膜具有凸部。

公开(公告)号：CN101120451A

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200680004866.3

申请日：2006-02-16

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 笠原健司 ,  上田和正

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/30621 ,  H01L33/08

Abstract: 本发明提供一种半导体发光元件及其制造方法。半导体元件包括下述的(i)～(ii)。(i)具有从锥、锥台中选择的凸部的半导体层、(ii)电极，以及当凸部为锥台时，凸部高度为0.05μm～5.0μm，下底面的直径为0.05μm～2.0μm，在凸部为锥的情况下，凸部高度为0.05μm～5.0μm，底面的直径为0.05μm～2.0μm，而且，半导体发光元件的制造方法包括工序(a)～(c)。a)是在基板上生长半导体层的工序；(b)是在半导体层上形成包含平均粒径为0.01μm～10μm的粒子且面密度为2×106cm－2～2×1010cm－2的区域的工序；(c)是对半导体层进行干蚀刻而形成从锥及锥台中选择的凸部的工序。

公开(公告)号：CN101432850A

公开(公告)日：2009-05-13

申请号：CN200780008086.0

申请日：2007-03-08

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 上田和正 ,  西川直宏 ,  笠原健司

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323

Abstract: 本发明涉及III－V族氮化物半导体基板的制造方法。本发明的III－V族氮化物半导体基板的制造方法包括工序(I－1)～(I－6)：(I－1)在衬底基板上配置无机粒子；(I－2)以无机粒子为蚀刻掩模，干法蚀刻衬底基板，在衬底基板上形成凸部；(I－3)在衬底基板上形成外延生长掩模用的被膜；(I－4)去除无机粒子形成衬底基板的露出面；(I－5)在衬底基板的露出面上生长III－V族氮化物半导体；(I－6)将III－V族氮化物半导体与衬底基板分离。此外，本发明的III－V族氮化物半导体基板的制造方法包括工序(II－1)～(II－7)：(II－1)在衬底基板上配置无机粒子；(II－2)以无机粒子为蚀刻掩模，干法蚀刻衬底基板，在衬底基板上形成凸部；(II－3)去除无机粒子；(II－4)在衬底基板上形成外延生长掩模用的被膜；(II－5)去除凸部的顶部的被膜形成衬底基板的露出面；(II－6)在衬底基板的露出面上生长III－V族氮化物半导体；(II－7)将III－V族氮化物半导体与衬底基板分离。

公开(公告)号：CN100472718C

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200680008951.7

申请日：2006-03-20

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 上田和正 ,  西川直宏 ,  土田良彦

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  C23C16/01 ,  C23C16/34

Abstract: 本发明提供自支撑衬底、其制造方法及半导体发光元件。自支撑衬底包括半导体层和无机粒子，并且无机粒子被包含在半导体层中。自支撑衬底的制造方法依次包括以下的工序(a)～(c)。(a)在衬底上配置无机粒子的工序、(b)生长半导体层的工序、(c)将半导体层与衬底分离的工序。另外，自支撑衬底的制造方法依次包括以下的工序(s1)、(a)、(b)及(c)。(s1)在衬底上生长缓冲层的工序、(a)在缓冲层上配置无机粒子的工序、(b)生长半导体层的工序、(c)将半导体层与衬底分离的工序。半导体发光元件包括所述的自支撑衬底、传导层、发光层及电极。

公开(公告)号：CN101147236A

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200680008951.7

申请日：2006-03-20

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 上田和正 ,  西川直宏 ,  土田良彦

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00 ,  C23C16/01 ,  C23C16/34

Abstract: 本发明提供自立式衬底、其制造方法及半导体发光元件。自立式衬底包括半导体层和无机粒子，并且无机粒子被包含在半导体层中。自立式衬底的制造方法依次包括以下的工序(a)～(c)。(a)在衬底上配置无机粒子的工序、(b)生长半导体层的工序、(c)将半导体层与衬底分离的工序。另外，自立式衬底的制造方法依次包括以下的工序(s1)、(a)、(b)及(c)。(s1)在衬底上生长缓冲层的工序、(a)在缓冲层上配置无机粒子的工序、(b)生长半导体层的工序、(c)将半导体层与衬底分离的工序。半导体发光元件包括所述的自立式衬底、传导层、发光层及电极。

公开(公告)号：CN101432850B

公开(公告)日：2011-03-23

申请号：CN200780008086.0

申请日：2007-03-08

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 上田和正 ,  西川直宏 ,  笠原健司

IPC: H01L21/205 ,  C30B29/38 ,  H01L33/00 ,  H01S5/323

Abstract: 本发明涉及III-V族氮化物半导体基板的制造方法。本发明的III-V族。化物半导体基板的制造方法包括工序(I-1)～(I-6)：(I-1)在衬底基板上配置无机粒子；(I-2)以无机粒子为蚀刻掩模，干法蚀刻衬底基板，在衬底基板上形成凸部；(I-3)在衬底基板上形成外延生长掩模用的被膜；(I-4)去除无机粒子形成衬底基板的露出面；(I-5)在衬底基板的露出面上生长III-V族氮化物半导体；(I-6)将III-V族氮化物半导体与衬底基板分离。此外，本发明的III-V族氮化物半导体基板的制造方法包括工序(II-1)～(II-7)：(II-1)在衬底基板上配置无机粒子；(II-2)以无机粒子为蚀刻掩模，干法蚀刻衬底基板，在衬底基板上形成凸部；(II-3)去除无机粒子；(II-4)在衬底基板上形成外延生长掩模用的被膜；(II-5)去除凸部的顶部的被膜形成衬底基板的露出面；(II-6)在衬底基板的露出面上生长III-V族氮化物半导体；(II-7)将III-V族氮化物半导体与衬底基板分离。

公开(公告)号：CN101454913A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200780019950.7

申请日：2007-03-30

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 小野善伸 ,  笠原健司 ,  上田和正

IPC: H01L33/00 ,  B82B3/00 ,  H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/30608 ,  H01L21/308 ,  H01L33/20 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  H01L2933/0083 ,  Y10S977/856

Abstract: 本发明提供基板的微细加工方法、基板的制造方法及发光元件。基板的微细加工方法在从具有单粒子层的基板除去单粒子层后，利用蚀刻，以载置过构成单粒子层的各个粒子的基板的位置为中心，形成具有比粒子的直径小的内径的孔。基板的制造方法依次包括如下的工序(I)～(V)，即：(I)在基板上排列粒子，形成单粒子层；(II)蚀刻得到的基板，将粒子小粒径化；(III)在得到的基板上形成由掩模材料构成的薄膜；(IV)从基板除去粒子，在各个粒子存在的位置形成具有与粒子的直径相等的内径的孔的掩模；(V)使用掩模，蚀刻基板，在掩模具有的孔的下方的基板形成与掩模的孔的内径相等的直径的孔。

公开(公告)号：CN101061571A

公开(公告)日：2007-10-24

申请号：CN200580039647.4

申请日：2005-11-22

Applicant: 住友化学株式会社

Inventor： 上田和正 ,  西川直宏

IPC: H01L21/205 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L51/5048 ,  H01L51/5268

Abstract: 本发明提供一种半导体层叠基板、其制造方法以及发光元件。是具有半导体层的半导体层叠基板，该半导体层包含除了金属氮化物的无机粒子(二氧化硅、氧化铝、氧化锆、二氧化钛、二氧化铈、氧化镁、氧化锌、氧化锡、钇铝石榴石等)，半导体层叠基板的制造方法包括以下的工序(a)和工序(b)，(a)是在基板上配置除了金属氮化物的无机粒子的工序；(b)是使半导体层生长的工序，发光元件包含所述的半导体层叠基板。

公开(公告)号：CN107683308A

公开(公告)日：2018-02-09

申请号：CN201680034893.9

申请日：2016-07-21

Applicant: 住友化学株式会社 ,  财团法人工业技术研究院

Inventor： 上田和正 ,  池内淳一 ,  望月胜纪 ,  吕奇明 ,  林志成

IPC: C08L79/08 ,  C08J5/18 ,  C08K3/36

CPC classification number: C08J5/18 ,  C08K3/36 ,  C08L79/08

Abstract: 本发明以提供能形成具有良好的外观及良好的弯曲性的膜的聚酰亚胺系清漆为目的，提供了下述聚酰亚胺系清漆，其包含聚酰亚胺系高分子、溶剂和水，聚酰亚胺系高分子为当由该聚酰亚胺系高分子形成厚度为50μm的膜时，膜的全光线透过率为85％以上、并且黄度为5以下的透明聚酰亚胺系高分子，溶剂为能溶解该聚酰亚胺系高分子的溶剂，以聚酰亚胺系清漆的总质量为基准，水的含量为0.60～4.5质量％。