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公开(公告)号：CN113053422A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202011388537.1
申请日：2020-12-02
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种磁记录介质，其在形成磁记录层时，即使将基板加热至高温，也能够提高SNR以及OW特性，磁记录介质(100)在基板(1)之上依次具有软磁性基底层(2)、非晶阻挡层(3)以及磁记录层(5)，软磁性基底层包括Fe、B、Si以及从由Nb、Zr、Mo和Ta构成的组中选择的一种以上的元素，B的含量在12mol％～16mol％的范围内，Si的含量在5mol％～15mol％的范围内，非晶阻挡层包括Si、W以及从由Nb、Zr、Mo和Ta构成的组中选择的一种以上的元素，Si的含量在10mol％～30mol％的范围内，W的含量在20mol％～60mol％的范围内，磁记录层包括具有L10结构的合金。
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公开(公告)号：CN109979492B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201811365060.8
申请日：2018-11-16
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种SNR较高的磁记录介质。磁记录介质100，依次具有衬底1、基底层2、以及具有(001)取向并具有L10结构的磁性层3。磁性层3具有粒状结构，并且在磁性颗粒的晶界部存在具有亚甲基骨架或次甲基骨架的有机化合物。
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公开(公告)号：CN110517709A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910397007.4
申请日：2019-05-14
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明涉及磁记录介质和磁存储装置。提供一种SNR较高的磁记录介质，其依次具有基板、底层、及进行了(001)取向并具有L10结构的磁性层。该磁性层具有粒状结构，并包含碳的氢化物、硼的氢化物、或氮化硼的氢化物。
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公开(公告)号：CN109036474A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810521202.9
申请日：2018-05-28
Applicant: 昭和电工株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 一种磁记录介质，其依次具有基板、阻挡层、结晶粒径控制层、及包含具有L10型结晶结构且平面取向为(001)的合金的磁性层，其中，所述阻挡层包含氧化物、氮化物或碳化物，所述结晶粒径控制层是含有Ag的结晶质的层，平均厚度位于0.1nm～1nm的范围内，所述阻挡层与所述结晶粒径控制层相接。
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公开(公告)号：CN108461094A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810145330.8
申请日：2018-02-12
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种能够在维持信噪比(SNR)的同时降低从磁头照射的激光功率(LDI)的磁记录介质。磁记录介质在衬底上依次具有第一散热层、第一阻挡层、第二散热层、及以具有L10结构的合金作为主成分的磁性层。第一阻挡层以氧化物、氮化物或碳化物作为主成分。
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公开(公告)号：CN113053423B
公开(公告)日：2022-06-28
申请号：CN202011381766.0
申请日：2020-12-01
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种能够使磁性层的(001)取向性提高的磁记录介质，磁记录介质(100)依次具有基板(1)、基底层(2)以及磁性层(30)，基底层(2)具有第一基底层(21)，该第一基底层包括由通式MgO(1－X)表示的化合物，该通式中，X在0.07～0.25的范围内，磁性层(3)包括具有L10构造的合金，具有L10构造的合金具有包括B的第一磁性层(31)，第一基底层(21)与第一磁性层(31)相接。
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公开(公告)号：CN113257286A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110087148.3
申请日：2021-01-22
Applicant: 昭和电工株式会社
IPC: G11B5/82
Abstract: 本发明提供磁记录介质、磁记录介质的制造方法及磁存储装置。所述磁记录介质依次具有基板、底层、及磁性层，其中，所述底层具有包含由通式MgO(1‑X)表示的化合物的第1底层，该通式中，X位于0.07～0.25的范围内，所述磁性层具有包含具有L10结构的合金的第1磁性层，具有所述L10结构的合金包含从由Al、Si、Ga、及Ge组成的群中选出的1种以上的元素，所述第1底层与所述第1磁性层相接。
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公开(公告)号：CN110660414B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201910560274.9
申请日：2019-06-26
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种热辅助磁记录介质，其具有基板、底层、及进行了(001)取向的磁性层，其中，所述磁性层中，从所述底层侧依次对第1磁性层和第2磁性层进行了层叠，所述第1磁性层和所述第2磁性层包含具有L10结构的合金，所述第2磁性层在磁性颗粒的晶界部位包含铁氧体，所述铁氧体为从由NiFe2O4、MgFe2O4、MnFe2O4、CuFe2O4、ZnFe2O3、CoFe2O4、BaFe2O4、SrFe2O4、及Fe3O4组成的组中选出的一种以上，所述磁性颗粒的居里温度低于所述铁氧体的居里温度。
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公开(公告)号：CN111798876A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010269127.9
申请日：2020-04-08
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 本发明提供一种矫磁力以及构成磁性层的磁性粒子的磁晶各向异性高的磁记录介质。磁记录介质(100)包括依序设置的基板(1)、衬底层(2)及磁性层(3)，磁性层(3)包括具有L10结构的磁性粒子以及含晶界部的颗粒结构，且晶界部的体积分数在25体积％～50体积％的范围内。磁性粒子相对于基板(1)具有c轴取向。晶界部包含晶格常数在0.30nm～0.36nm范围内，或0.60nm～0.72nm范围内的物质。
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公开(公告)号：CN110634509A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910505522.X
申请日：2019-06-12
Applicant: 昭和电工株式会社
Abstract: 提供一种热辅助磁记录介质，具有：基板、底层、及包含具有L10结构的合金的磁性层。其中，所述底层从所述基板侧开始依次包括：包含具有b c c结构的物质的b c c底层、与所述b c c底层接触的第一氧化物层、及与所述磁性层接触的第二氧化物层。所述第一氧化物层和所述第二氧化物层包含氧化镁。所述第二氧化物层还包含从由氧化钒、氮化钒、及碳化钒所组成的组中选出的一种以上的化合物。
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