-
公开(公告)号：CN104025246A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201280054675.3
申请日：2012-10-19
Applicant: 朗姆研究公司
CPC classification number: F16K3/0209 , H01J37/32816 , H01J37/32834 , H01L21/30655 , Y10T137/7837
Abstract: 一种压强控制阀总成包括具有入口、出口和导管的壳体；入口连接到等离子体处理室的内部且出口连接到真空泵。在其中具有第一组平行槽的固定开槽阀板被固定在导管中使得从室排出进入导管的气体穿过第一组平行槽。在其中具有第二组平行槽的可移动开槽阀板相对于固定开槽阀板可移动以便调整室中的压强。附着到可移动开槽阀板的驱动机构在第一和第二位置之间快速移动可移动开槽阀板以使室中的压强从较高的压强改变到较低的压强或者从较低的压强改变到较高的压强。
-
公开(公告)号：CN103534196B
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201280023025.2
申请日：2012-05-09
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: B81C1/00 , H01L21/302 , C23F1/00
CPC classification number: H01L21/30655 , B81C1/00619 , B81C2201/0112 , H01L21/3086
Abstract: 一种方法被提供用于在具有操作压强和工作偏压的等离子体处理室中蚀刻硅。该方法包括：在硅中执行第一垂直蚀刻来创建具有第一深度和侧壁的孔；在侧壁上执行保护层的沉积；执行第二垂直蚀刻来将孔加深到第二深度并创建第二侧壁，所述第二侧壁包括第一槽、第二槽和峰，所述第一槽对应于所述第一侧壁，所述第二槽对应于所述第二侧壁，所述峰被配置在所述第一槽和所述第二槽之间；执行第三蚀刻，以使所述峰缩小。
-
公开(公告)号：CN101675505B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200880014689.6
申请日：2008-05-02
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/3065 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/31144 , H01L21/31122
Abstract: 一种开口形成在基片上方的蚀刻层上的碳基硬掩模层的方法。该硬掩模层设在图案化的掩模下方。该基片设在等离子处理室中。该硬掩模层通过将包含COS组分硬掩模开口气体通入该等离子室、由该硬掩模开口气体形成等离子和停止该硬掩模开口气体的通入而开口。该硬掩模层可由无定形碳组成，或由旋涂碳组成，该硬掩模开口气体可进一步包括O2。
-
公开(公告)号：CN103258729B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201310073173.1
申请日：2008-12-12
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J2237/334 , H01L21/02057 , H01L21/30655 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32136 , H01L21/32137
Abstract: 提供一种利用稳态气流将特征蚀刻在硅层中的方法。提供包括含氧气体和含氟气体的蚀刻气体。由该蚀刻气体提供等离子。然后，停止该蚀刻气体流。
-
公开(公告)号：CN101185157B
公开(公告)日：2011-02-02
申请号：CN200680018829.8
申请日：2006-03-07
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116
Abstract: 提供了一种用于蚀刻位于基片上且置于掩模下的介电层的方法。基片设置于等离子体处理室中。提供包括O2和硫成分气体的蚀刻剂气体到等离子体室，该硫成分气体包括H2S和含有至少一个碳硫键的化合物中的至少一种。等离子体从蚀刻剂气体形成。利用来自于蚀刻剂气体的等离子体，穿过光刻胶掩模，特征被蚀刻到蚀刻层中。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101185157A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200680018829.8
申请日：2006-03-07
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116
Abstract: 提供了一种用于蚀刻位于基片上且置于掩模下的介电层的方法。基片设置于等离子体处理室中。提供包括O2和硫成分气体的蚀刻剂气体到等离子体室，该硫成分气体包括H2S和含有至少一个碳硫键的化合物中的至少一种。等离子体从蚀刻剂气体形成。利用来自于蚀刻剂气体的等离子体，穿过光刻胶掩模，特征被蚀刻到蚀刻层中。
-
公开(公告)号：CN103650119B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201280027855.2
申请日：2012-05-30
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 许青 , 卡梅利娅·鲁苏 , 布赖恩·K·麦克米林 , 亚历山大·M·帕特森
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/30655 , H01J37/32972
Abstract: 提供了用于在等离子体处理腔室中将特征蚀刻到蚀刻层中的方法。提供了光定时沉积阶段，其包括：提供沉积阶段气体流；检测所述等离子体处理腔室内沉积气体的存在；提供由所述等离子体处理腔室中的沉积阶段气体形成等离子体的RF能；以及停止所述沉积气体流入等离子体处理腔室。提供了光定时蚀刻阶段，包括：提供蚀刻气体流；检测等离子体处理腔室内蚀刻气体的存在；提供用于由等离子体处理腔室中的蚀刻气体形成等离子体的RF能；以及停止蚀刻气体流入等离子体处理腔室。
-
公开(公告)号：CN103650119A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201280027855.2
申请日：2012-05-30
Applicant: 朗姆研究公司
Inventor： 许青 , 卡梅利娅·鲁苏 , 布赖恩·K·麦克米林 , 亚历山大·M·帕特森
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/30655 , H01J37/32972
Abstract: 提供了用于在等离子体处理腔室中将特征蚀刻到蚀刻层中的方法。提供了光定时沉积阶段，其包括：提供沉积阶段气体流；检测所述等离子体处理腔室内沉积气体的存在；提供由所述等离子体处理腔室中的沉积阶段气体形成等离子体的RF能；以及停止所述沉积气体流入等离子体处理腔室。提供了光定时蚀刻阶段，包括：提供蚀刻气体流；检测等离子体处理腔室内蚀刻气体的存在；提供用于由等离子体处理腔室中的蚀刻气体形成等离子体的RF能；以及停止蚀刻气体流入等离子体处理腔室。
-
公开(公告)号：CN103258729A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310073173.1
申请日：2008-12-12
Applicant: 朗姆研究公司
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32 , H01L21/3213
CPC classification number: H01L21/3065 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J2237/334 , H01L21/02057 , H01L21/30655 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32136 , H01L21/32137
Abstract: 提供一种利用稳态气流将特征蚀刻在硅层中的方法。提供包括含氧气体和含氟气体的蚀刻气体。由该蚀刻气体提供等离子。然后，停止该蚀刻气体流。
-
公开(公告)号：CN104025246B
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201280054675.3
申请日：2012-10-19
Applicant: 朗姆研究公司
CPC classification number: F16K3/0209 , H01J37/32816 , H01J37/32834 , H01L21/30655 , Y10T137/7837
Abstract: 一种压强控制阀总成包括具有入口、出口和导管的壳体；入口连接到等离子体处理室的内部且出口连接到真空泵。在其中具有第一组平行槽的固定开槽阀板被固定在导管中使得从室排出进入导管的气体穿过第一组平行槽。在其中具有第二组平行槽的可移动开槽阀板相对于固定开槽阀板可移动以便调整室中的压强。附着到可移动开槽阀板的驱动机构在第一和第二位置之间快速移动可移动开槽阀板以使室中的压强从较高的压强改变到较低的压强或者从较低的压强改变到较高的压强。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
16
records
(took 0.06 seconds)
