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公开(公告)号：CN101005236B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200610064347.8
申请日：2006-12-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H02M3/04
CPC classification number: H02M3/073 , H02M2003/075
Abstract: 当抽出电荷转移晶体管的栅极电压时用于设置电压电平的抽出下限电压被提供给复位电路。为了确保在升压单元中使用的该晶体管和电容器的击穿电压裕度，不必恒定的电压被用作抽出下限电压。因此，可以提供稳定的升压电路，其中可设置电荷转移晶体管的最佳栅极电压电平，可抑制过充电，且可缩短升压电路的恢复时间。
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公开(公告)号：CN101226778A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200710182048.9
申请日：2007-10-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 森俊树
CPC classification number: G11C29/02 , G11C16/04 , G11C29/025 , G11C2029/5006
Abstract: 一种半导体存储器，包括：多条字线、多条位线、配置于所述多条字线和所述多条位线的交点的多个存储单元、用于读出所述存储单元的存储内容的读出放大器；该半导体存储器还包括：位线选择单元，从所述多条位线中选择任意的位线；开关单元，控制所述位线选择单元所选择的选择位线电流的导通或非导通；电流产生单元，产生判定电流；当所述选择位线电流的值大于所述判定电流的值时，提取所述选择位线电流和所述判定电流的差电流的单元；电压转换单元，将所述差电流转换为电压；判定单元，用所述电压转换单元的输出电压判定所述判定电流和所述选择位线电流的大小关系。
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公开(公告)号：CN101005236A
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200610064347.8
申请日：2006-12-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H02M3/04
CPC classification number: H02M3/073 , H02M2003/075
Abstract: 当抽出电荷转移晶体管的栅极电压时用于设置电压电平的抽出下限电压被提供给复位电路。为了确保在升压单元中使用的该晶体管和电容器的击穿电压裕度，不必恒定的电压被用作抽出下限电压。因此，可以提供稳定的升压电路，其中可设置电荷转移晶体管的最佳栅极电压电平，可抑制过充电，且可缩短升压电路的恢复时间。
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公开(公告)号：CN1127428A
公开(公告)日：1996-07-24
申请号：CN95117959.4
申请日：1995-10-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/8242
CPC classification number: G11C5/025 , G11C5/06 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L2224/05554 , H01L2224/16145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2224/73207 , H01L2225/06513 , H01L2924/01055 , H01L2924/15153 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的半导体装置包括多个电路块，该多个电路块包括一个第一电路块和一个第二电路块，该第一电路块的一个块参数与该第二电路块的一个块参数不同。在该半导体装置中，该第一电路块是形成在第一半导体芯片上的，而该第二电路块是形成在第二半导体芯片上的并与该第一电路块电连接。
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公开(公告)号：CN1992525A
公开(公告)日：2007-07-04
申请号：CN200610064211.7
申请日：2006-12-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H03K19/0175 , H03K19/0185
Abstract: 提供一种单端输出形式的电平移动电路，可改善伴随低电压时的电压电平移动工作的延迟时间的增大并且还能抑制电路的占有面积增大。利用CMOS结构，设置单独驱动各MOS晶体管的栅极的类型的第1及第2倒相器(300、200)，将第1倒相器(300)作为电平变换装置使用。利用电压控制电路(CONT1)强制地使从第1倒相器(300)的输出节点(no1)输出的第1控制信号(CS1)的电压电平下降，加速第2倒相器(200)的工作，其结果，加速第1倒相器(300)的输出信号的电平反转。此外，使各晶体管的电流能力的平衡最佳化，特别地，缩小构成第2倒相器(200)的晶体管的尺寸，抑制电路面积的增大。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1905067A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610076904.8
申请日：2006-04-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C16/0408 , G11C16/06 , G11C16/3459
Abstract: 本发明提供一种非易失性半导体存储器件和信号处理系统。存储程序等的代码闪速存储器和存储图像数据等的数据闪速存储器，对于读出和写入等分别具有不同的性能要求，所以以往由不同的芯片构成。这妨碍了需要两种闪速存储器的系统的低成本化和减小便携式系统的安装面积。本发明的非易失性存储器设置有：第1存储块(104)，具有第1写入电平和第1读出装置；第2存储块(102)，具有与上述第1写入电平不同的第2写入电平、与上述第1读出装置不同方式的第2读出装置，且与上述第1存储块形成在同一基板上；以及数据输出装置(128)，选择上述第1读出装置或上述第2读出装置中的任意一者，将读出数据输出到外部。
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公开(公告)号：CN1779857A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510108475.3
申请日：2005-09-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 森俊树
CPC classification number: G11C16/28
Abstract: 在参考单元202中，设置具有与存储单元相同的结构的第一和第二单元50和52。将第一单元50的存储单元电流IREF1设置为擦除操作之后存储单元电流的最小值。将第二单元52的存储单元电流IREF2设置为写操作之后存储单元电流的最大值。读取电路206将存储单元电流Icell与电流(IREF1+IREF2)/2进行比较，并且输出比较结果。可以使用于擦除验证和写验证的电流源来代替第一和第二单元50和52。
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公开(公告)号：CN1101062C
公开(公告)日：2003-02-05
申请号：CN95117959.4
申请日：1995-10-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/8242
CPC classification number: G11C5/025 , G11C5/06 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L2224/05554 , H01L2224/16145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/49175 , H01L2224/73207 , H01L2225/06513 , H01L2924/01055 , H01L2924/15153 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明的半导体装置包括多个电路块，该多个电路块包括一个第一电路块和一个第二电路块，该第一电路块的一个块参数与该第二电路块的一个块参数不同。在该半导体装置中，该第一电路块是形成在第一半导体芯片上的，而该第二电路块是形成在第二半导体芯片上的并与该第一电路块电连接。
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公开(公告)号：CN101118516A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200710107336.8
申请日：2007-05-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F12/0804 , G06F13/1668 , G06F2212/7203 , G11C16/10
Abstract: 本发明提供一种可快速写入数据的非易失性存储装置。在非易失性存储器(130)中，数据按照单位区域写入。第1存储部(122)用于保持从存取装置(110)输入的数据，CPU部121将保持在第1存储部(122)的每一个单位区域的数据写入上述非易失性存储器，将保持在上述第1存储部的不满上述单位区域的数据保持到第2存储部，对于保持在第2存储部中的数据，也将每一个单位区域的数据写入上述非易失性存储器。
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公开(公告)号：CN101101785A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710096988.6
申请日：2007-04-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 森俊树
Abstract: 在用于对读取周期中读取位线上的剩余电荷放电的半导体存储器装置中，位线在除读取操作期间以外的全部时间均处于复位状态。当选择并且连接到用来读取的读取电路时，取消位线的复位状态并且通过所选的位线读取存储在所选存储器单元中的信息。在完成存储器单元读取后，所选位线与所述读取电路之间断开连接并复位，从而在下一周期读取操作以前完成读取位线中的剩余电荷放电。这样确保在下一读取周期的读取决定操作期间，所选的位线电势不会随着前一读取周期的位线剩余电荷放电而改变。
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