半导体装置
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100365809C

    公开(公告)日:2008-01-30

    申请号:CN200510009184.9

    申请日:2005-02-05

    Abstract: 本发明涉及半导体装置。作为半导体装置的外部连接用电极的焊盘部,由形成于最上层的第1焊盘金属(61)、夹着层间绝缘膜(71)形成于第1焊盘金属(61)之下的第2焊盘金属(62)、以及贯通层间绝缘膜(71),电气连接第1焊盘金属(61)与第2焊盘金属(62)的通路(63)所构成,配置第1焊盘金属(61)的端部与第2焊盘金属(62)的端部,使沿各层的厚度方向不一致地互相偏移。采用这样的结构,可减小发生于第2焊盘金属(62)的边沿上的应力,能减少层间绝缘膜(71)等的损坏。

    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN1979860A

    公开(公告)日:2007-06-13

    申请号:CN200610166739.5

    申请日:2006-12-07

    Abstract: 本发明揭示一种半导体器件及其制造方法,通过在半导体衬底(11)的至少1个角部(16)设置与缓冲镀层膜(14)电连接的导电区(15-1),使组件封固树脂或缓冲镀层膜(14)表面积存的电荷利用导电通路流入到导电区(15-1),从而能降低组件封固树脂或缓冲镀层膜(14)表面积存的电荷密度,抑制放电。其结果,通过抑制放电,不对外部输入输出端子施加高压,IC电路不用说,连接IC电路的电路用金属布线也能防止熔断,还能防止层间绝缘膜(18)破坏。

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