Patent search ap:("松下电器产业株式会社") AND inv:"渡濑和美" Page 1

1.

发明授权
半导体器件及其制造方法失效

公开(公告)号：CN1242467C

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN03138122.7

申请日：2003-05-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 下石坂望 , 戒能宪幸 , 中村嘉文 , 三木启司 , 渡濑和美 , 佐原隆一

IPC: H01L23/10 , H01L23/52 , H01L23/48 , H01L21/28 , H01L21/768

CPC classification number: H01L23/3114 , H01L23/5227 , H01L2224/0401 , H01L2224/05555 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014

Abstract: 本发明是在半导体集成电路部分的绝缘性树脂膜上设置了感应元件的WL-CSP型半导体装置中，介于感应元件的绝缘性树脂膜降低泄漏损失。其解决方法是采用具有覆盖半导体晶片(11)的主面的同时，在各缓冲电极(21)上设置了具有复数个接触孔(13)的第1绝缘性树脂膜(12)；该绝缘性树脂膜(12)中形成在感应元件形成区域12a上的，其两端子介于接触孔(13)的各自与缓冲电极(21)连接的感应元件(17)。第1绝缘性树脂膜(12)上的感应元件形成区域(12a)的膜厚，制成大于接触孔(13)的形成部分的膜厚。

2.

发明公开
半导体器件及其制造方法无效

公开(公告)号：CN1979860A

公开(公告)日：2007-06-13

申请号：CN200610166739.5

申请日：2006-12-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 渡濑和美 , 滨谷毅

IPC: H01L27/04 , H01L21/822

Abstract: 本发明揭示一种半导体器件及其制造方法，通过在半导体衬底(11)的至少1个角部(16)设置与缓冲镀层膜(14)电连接的导电区(15－1)，使组件封固树脂或缓冲镀层膜(14)表面积存的电荷利用导电通路流入到导电区(15－1)，从而能降低组件封固树脂或缓冲镀层膜(14)表面积存的电荷密度，抑制放电。其结果，通过抑制放电，不对外部输入输出端子施加高压，IC电路不用说，连接IC电路的电路用金属布线也能防止熔断，还能防止层间绝缘膜(18)破坏。

3.

发明公开
半导体器件及其制造方法无效

公开(公告)号：CN1614771A

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN200410084901.X

申请日：2004-10-10

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 渡濑和美 , 中村彰男 , 藤作实 , 楢冈浩喜 , 中野高宏

IPC: H01L23/12 , H01L21/50

CPC classification number: H01L23/3114 , H01L23/544 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L2223/5448 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05147 , H01L2224/05647 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01065 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/00 , H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种在与半导体衬底尺寸相同的晶片级(wafer level)CSP半导体器件领域中，能够利用表示半导体器件的方向及产品信息的标记，来识别被切成单个的半导体器件的方向及产品信息的半导体器件及其制造方法，其中，该标记能够在与半导体器件尺寸、形状及端子数目无关，且在不增加制造工序数目的情况下形成。与金属布线21的形成工序同时形成的第1标记19的一部分，从被切割成单个的半导体器件26的相互平行的两个侧面、或者一个侧面呈矩形状露出，从而能够识别小型半导体器件中的半导体器件的方向及产品信息。

4.

发明公开
半导体器件和半导体器件的制造方法无效

公开(公告)号：CN1881587A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610095619.0

申请日：2006-06-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 渡濑和美 , 中村彰男 , 大谷克实

IPC: H01L27/04 , H01L23/522 , H01L23/544 , H01L21/822 , H01L21/768 , H01L21/66

Abstract: 本发明揭示一种半导体器件和半导体器件的制造方法。在半导体衬底上(10)不形成金属布线(13)和外部端子连接用电极(15)的区域，具有以电方式检测出金属布线(13)的开路、短路、漏电欠佳、元件电极(11)与金属布线(13)接触欠佳的检查用金属布线(14)、以及检查用电极(16)，能利用半导体晶圆状态下的电检查，在工序中高精度地检测出上述欠佳。

5.

发明公开
半导体器件及其制造方法失效

公开(公告)号：CN1463037A

公开(公告)日：2003-12-24

申请号：CN03138122.7

申请日：2003-05-27

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 下石坂望 , 戒能宪幸 , 中村嘉文 , 三木启司 , 渡濑和美 , 佐原隆一

IPC: H01L23/10 , H01L23/52 , H01L23/48 , H01L21/28 , H01L21/768

CPC classification number: H01L23/3114 , H01L23/5227 , H01L2224/0401 , H01L2224/05555 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014

Abstract: 本发明是在半导体晶片的绝缘性树脂膜上设置了感应元件的WL－CSP型半导体装置中，介于感应元件的绝缘性树脂膜降低泄漏损失。其解决方法是采用具有覆盖半导体晶片(11)的主面的同时，在各缓冲电极(21)上设置了具有复数个接触孔(13)的第1绝缘性树脂膜(12)；该绝缘性树脂膜(12)中形成在感应元件形成区域12a上的，其两端子介于接触孔(13)的各自与缓冲电极(21)连接的感应元件(17)。第1绝缘性树脂膜(12)上的感应元件形成区域(12a)的膜厚，制成大于接触孔(13)的形成部分的膜厚。