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公开(公告)号：CN1170347C
公开(公告)日：2004-10-06
申请号：CN99810355.1
申请日：1999-09-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/30 , H01S5/323 , H01L33/00 , C30B25/14 , H01L21/205
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01S5/32341 , H01S5/34333
Abstract: 首先，将衬底温度升高到1020℃，在由蓝宝石构成的衬底(11)上顺序生长由n型Al0.1Ga0.9N组成的n型包层(14)、由n型GaN组成的n型光波导层(15)、及由n型Al0.2Ga0.8N组成的、抑制n型光波导层(15)构成原子的再蒸发的平坦性维持层(16)。接着，停止III族原料气体供给，将衬底温度降低到780℃，与此同时将运载气体由氢气更换为氮气，然后选择性导入V族源NH3、III族源TMI和TMG生长具有多量子阱结构的有源层(17)。
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公开(公告)号：CN102893081A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201180023858.4
申请日：2011-07-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G09F13/04 , G02B19/0028 , G02B19/0066 , G02B19/0071 , H01L33/005 , H01L33/50 , H01L33/58
Abstract: 本发明公开了一种配光控制装置及用该装置构成的发光装置。发光装置(100x)的配光控制装置，包括夹着透光性粘结剂(104)形成在LED(101)上且由ZnO形成的第一光学部件(113)和覆盖第一光学部件(113)的第二光学部件(112)。在第一光学部件(113)上设置有以开口面积逐渐增大的正六边形敞开口的第一凹部(1131)。在第一凹部(1131)上形成有以开口形状即六边形的一边为底边的倾斜面即内侧壁面(1132)。第一光学部件(113)的外侧形成有梯形外侧壁面(1134)。在第二光学部件(112)上设置有第二凹部(1122)，使得已通过第一光学部件(113)的光中配光特性具有环状峰的光发生全反射。
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公开(公告)号：CN101394065A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810213598.7
申请日：2008-09-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , H01S5/162 , H01S5/209 , H01S5/22 , H01S5/4087
Abstract: 本发明提供一种双波长半导体激光装置及其制造方法，其可以抑制由掺杂剂的扩散引起的不良状况的产生。本发明的双波长半导体激光装置，在化合物半导体构成的基板(10)上，堆积第1半导体激光元件(1)和第2半导体激光元件(2)，将所述第1半导体激光元件(1)的蚀刻阻止层(15)的构成材料用和第2半导体激光元件(2)的蚀刻阻止层(25)的构成材料相比杂质不易扩散的材料。
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公开(公告)号：CN1855649A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN200510138112.4
申请日：2005-12-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , B82Y20/00 , G11B7/1275 , G11B2007/0006 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/162 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/34313 , H01S5/34326 , H01S5/3436 , H01S5/4087
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光装置。目的在于：能够在将波长不同的多个半导体激光元件形成为单片(monolithic)的半导体激光装置中很容易地形成可获得高输出特性及高可靠性的端面涂敷膜。半导体激光装置，形成在由n型GaAs构成的衬底101上，具有射出第1振荡波长为λ1的激光的红色半导体激光元件1，以及射出第2振荡波长为λ2(λ2≥λ1)的激光的红外线半导体激光元件2。在各半导体激光元件1及2中的射出各激光的射出端面140上，形成对于第1振荡波长λ1和第2振荡波长λ2之间的波长λ，折射率为n1且膜厚大致为λ/8n1的第1电介质膜，在该第1电介质膜上形成有折射率为n2且膜厚大致为λ/8n2的第2电介质膜。
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公开(公告)号：CN1271767C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200410032116.X
申请日：1999-09-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S5/343 , H01L33/00 , C30B25/14 , H01L21/205
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01S5/32341 , H01S5/34333
Abstract: 首先，将衬底温度升高到1020℃，在由蓝宝石构成的衬底(11)上顺序生长由n型Al0.1Ga0.9N组成的n型包层(14)、由n型GaN组成的n型光波导层(15)、及由n型Al0.2Ga0.8N组成的、抑制n型光波导层(15)构成原子的再蒸发的平坦性维持层(16)。接着，停止III族原料气体供给，将衬底温度降低到780℃，与此同时将运载气体由氢气更换为氮气，然后选择性导入V族源NH3、III族源TMI和TMG生长具有多量子阱结构的有源层(17)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1677777A
公开(公告)日：2005-10-05
申请号：CN200410102402.9
申请日：2004-12-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/1039 , H01S5/162 , H01S5/168 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/34333 , H01S5/4031 , H01S5/4087 , H01S2301/18
Abstract: 本发明公开了一种半导体激光器1，电流阻挡层19在发光端和发光端的相对一端覆盖在光学谐振器的纵向上延伸的p－型第二覆层17和p－型覆盖层18，在光波导中形成无电流注入区。发光端上的电流阻挡层19被制作得足够大，使得从电流注入区流入的载流子不会到达发光端面，分布在发光端面的近场内的光强度被高度集中，能够扩大发出的激光束的水平发散角度。这种结构有可能优化覆层厚度和电流注入区尺寸之后，独立地扩大水平发散角度。
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公开(公告)号：CN1116724C
公开(公告)日：2003-07-30
申请号：CN95103587.8
申请日：1995-03-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01S3/16
Abstract: 半导体激光器产生TM模式的半导体激光。半导体激光用第1准直透镜变成平行光之后，使之透过布留斯特板，该板被配置为使布留斯特面的P偏振光方向与半导体激光的偏振光方向一致，并用聚光透镜将激光耦合到波长变换波导的入射面上。激光通过波长变换波导的同时由极化反转区变换为二次谐波光。从波长变换波导的出射面射出的半导体激光用输出镜反射到衍射光栅上并由该光栅进行波长调整。从波长变换波导射出的二次谐波光从输出镜输出。
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公开(公告)号：CN101394065B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200810213598.7
申请日：2008-09-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/4031 , H01S5/162 , H01S5/209 , H01S5/22 , H01S5/4087
Abstract: 本发明提供一种双波长半导体激光装置及其制造方法，其可以抑制由掺杂剂的扩散引起的不良状况的产生。本发明的双波长半导体激光装置，在化合物半导体构成的基板(10)上，堆积第1半导体激光元件(1)和第2半导体激光元件(2)，将所述第1半导体激光元件(1)的蚀刻阻止层(15)的构成材料用和第2半导体激光元件(2)的蚀刻阻止层(25)的构成材料相比杂质不易扩散的材料。
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公开(公告)号：CN101533991A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910127499.1
申请日：2009-03-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/1064 , H01S5/2231 , H01S5/3403 , H01S5/3432 , H01S5/34326 , H01S5/4087 , H01S2301/18
Abstract: 本发明提供一种拐点等级、工作电压、温度特性和水平扩散角被优化的双波长半导体激光器装置。半导体激光器装置包括第1发光部；和发光波长比它大的第2发光部。第1发光部和第2发光部分别具有用来注入载流子的条状脊构造。第1发光部的脊构造包括宽度为Wf1、距离前端面5的长度为L3的第1前端区域；宽度为Wr1、距离后端面的长度为L1的第1后端区域；和位于它们之间的长度为L2的第1锥状区域，且Wf1＞Wr1。第2发光部的脊构造包括：宽度为Wf2、距离前端面的长度为L6的第2前端区域；宽度为Wr2、距离后端面的长度为L4的第2后端区域；和位于它们之间的长度为L5的第2锥状区域，且Wf2＞Wr2。另外，L1+L2+L3＝L4+L5+L6、Wf1＜Wf2以及L1＞L4。
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公开(公告)号：CN1533002A
公开(公告)日：2004-09-29
申请号：CN200410032116.X
申请日：1999-09-16
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/02502 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01S5/32341 , H01S5/34333
Abstract: 首先，将衬底温度升高到1020℃，在由蓝宝石构成的衬底(11)上顺序生长由n型Al0.1Ga0.9N组成的n型包层(14)、由n型GaN组成的n型光波导层(15)、及由n型Al0.2Ga0.8N组成的、抑制n型光波导层(15)构成原子的再蒸发的平坦性维持层(16)。接着，停止III族原料气体供给，将衬底温度降低到780℃，与此同时将运载气体由氢气更换为氮气，然后选择性导入V族源NH3、III族源TMI和TMG生长具有多量子阱结构的有源层(17)。
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