公开(公告)号：CN100394561C

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200410076874.1

申请日：2004-09-08

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 松浦正纯 ,  堀部裕史 ,  松本晋 ,  滨谷毅

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明的半导体器件配备：在半导体衬底上形成的弹性模量不同的多种层间绝缘膜(5、6、9、10、13、14、17、18、3、7、11、15、19)和配置在上述多种层间绝缘膜上的金属焊区(22)，还配备：具有上述不同的弹性模量之中最小的弹性模量，在上述金属焊区(22)下面设置了开口部的低弹性模量的层间绝缘膜(3、7、11、15、19)；具有比上述低弹性模量的层间绝缘膜的弹性模量大的弹性模量，以与上述低弹性模量的层间绝缘膜连接的方式，遍及上述开口部及其外围区域连续扩展并叠层了的非低弹性模量的层间绝缘膜(5、6、9、10、13、14、17、18)；以及在上述金属焊区下面，填埋上述低弹性模量的层间绝缘膜的开口部，与上述非低弹性模量的层间绝缘膜连接而配置的金属布线层(4、8、12、16、20)。

公开(公告)号：CN1595621A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN200410076874.1

申请日：2004-09-08

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 松浦正纯 ,  堀部裕史 ,  松本晋 ,  滨谷毅

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明的半导体器件配备：在半导体衬底上形成的弹性模量不同的多种层间绝缘膜(5、6、9、10、13、14、17、18、3、7、11、15、19)和配置在上述多种层间绝缘膜上的金属焊区(22)，还配备：具有上述不同的弹性模量之中最小的弹性模量，在上述金属焊区(22)下面设置了开口部的低弹性模量的层间绝缘膜(3、7、11、15、19)；具有比上述低弹性模量的层间绝缘膜的弹性模量大的弹性模量，以与上述低弹性模量的层间绝缘膜连接的方式，遍及上述开口部及其外围区域连续扩展并叠层了的非低弹性模量的层间绝缘膜(5、6、9、10、13、14、17、18)；以及在上述金属焊区下面，填埋上述低弹性模量的层间绝缘膜的开口部，与上述非低弹性模量的层间绝缘膜连接而配置的金属布线层(4、8、12、16、20)。

公开(公告)号：CN1574327A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410061690.8

申请日：2004-06-24

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 秦志康 ,  高田泰纪 ,  堀部裕史 ,  英贺文昭 ,  樋口德昌 ,  铃木康仁

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/06 ,  H01L21/565 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/50 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/4912 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49179 ,  H01L2224/4943 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的课题是，在半导体封装的密封工序中，提供在金丝间不产生短路的半导体器件。在包括半导体芯片的角部、密封构件的角部及相邻的金丝的间隔比周围大的部位的部分中至少1个的部分中，进行1个电极3和与之邻接的另1电极4的电极配置，使得连接在1个电极3上、因树脂密封时的树脂的流动变位了的金丝1，和与金丝1邻接、连接在另1电极4上的金丝2之间的间隔实质上等于金丝的直径。金丝1、2也可以是由其他的金属构成的连接线。