公开(公告)号：CN100394561C

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200410076874.1

申请日：2004-09-08

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 松浦正纯 ,  堀部裕史 ,  松本晋 ,  滨谷毅

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明的半导体器件配备：在半导体衬底上形成的弹性模量不同的多种层间绝缘膜(5、6、9、10、13、14、17、18、3、7、11、15、19)和配置在上述多种层间绝缘膜上的金属焊区(22)，还配备：具有上述不同的弹性模量之中最小的弹性模量，在上述金属焊区(22)下面设置了开口部的低弹性模量的层间绝缘膜(3、7、11、15、19)；具有比上述低弹性模量的层间绝缘膜的弹性模量大的弹性模量，以与上述低弹性模量的层间绝缘膜连接的方式，遍及上述开口部及其外围区域连续扩展并叠层了的非低弹性模量的层间绝缘膜(5、6、9、10、13、14、17、18)；以及在上述金属焊区下面，填埋上述低弹性模量的层间绝缘膜的开口部，与上述非低弹性模量的层间绝缘膜连接而配置的金属布线层(4、8、12、16、20)。

公开(公告)号：CN1595621A

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN200410076874.1

申请日：2004-09-08

Applicant: 株式会社瑞萨科技 ,  松下电器产业株式会社

Inventor： 松浦正纯 ,  堀部裕史 ,  松本晋 ,  滨谷毅

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52

CPC classification number: H01L24/05 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/03 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05096 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2224/45099

Abstract: 本发明的半导体器件配备：在半导体衬底上形成的弹性模量不同的多种层间绝缘膜(5、6、9、10、13、14、17、18、3、7、11、15、19)和配置在上述多种层间绝缘膜上的金属焊区(22)，还配备：具有上述不同的弹性模量之中最小的弹性模量，在上述金属焊区(22)下面设置了开口部的低弹性模量的层间绝缘膜(3、7、11、15、19)；具有比上述低弹性模量的层间绝缘膜的弹性模量大的弹性模量，以与上述低弹性模量的层间绝缘膜连接的方式，遍及上述开口部及其外围区域连续扩展并叠层了的非低弹性模量的层间绝缘膜(5、6、9、10、13、14、17、18)；以及在上述金属焊区下面，填埋上述低弹性模量的层间绝缘膜的开口部，与上述非低弹性模量的层间绝缘膜连接而配置的金属布线层(4、8、12、16、20)。

公开(公告)号：CN100367495C

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN03154939.X

申请日：2003-08-22

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 汤浅宽 ,  佐竹哲郎 ,  松浦正纯 ,  后藤欣哉

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76822 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76808 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种电子器件，在设有通路孔(108)的第3绝缘膜(含碳的硅氧化膜)(106)中，密度或碳浓度在厚度方向上连续变化。从而在将含碳的硅氧化膜用做布线间绝缘膜的电子器件中可以防止布线结构等的不良。

公开(公告)号：CN1492504A

公开(公告)日：2004-04-28

申请号：CN03154939.X

申请日：2003-08-22

Applicant: 松下电器产业株式会社 ,  三菱电机株式会社

Inventor： 汤浅宽 ,  佐竹哲郎 ,  松浦正纯 ,  后藤欣哉

IPC: H01L23/532 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76822 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/76808 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种电子器件，在设有通路孔(108)的第3绝缘膜(含碳的硅氧化膜)(106)中，密度或碳浓度在厚度方向上连续变化。从而在将含碳的硅氧化膜用做布线间绝缘膜的电子器件中可以防止布线结构等的不良。

公开(公告)号：CN100539116C

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200510082522.1

申请日：2005-07-06

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 古泽健志 ,  三浦典子 ,  后藤欣哉 ,  松浦正纯

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种制造使用有机硅氧烷类绝缘膜且电特性优良的半导体装置的方法。具备在半导体衬底上形成的多层布线结构的半导体装置中，该多层布线结构具有层间绝缘膜，该层间绝缘膜至少部分具备相对介电常数小于等于3.1且硬度大于等于2.7GPa的有机硅氧烷类绝缘膜。此外，该有机硅氧烷类绝缘膜中碳原子数与硅原子数之比大于等于0.5小于等于1.0。另外，该多层布线结构在有机硅氧烷类绝缘膜的上面具有从有机硅氧烷类绝缘膜中进行脱碳并且使碳原子数与硅原子数之比小于等于0.1的绝缘层。

公开(公告)号：CN100559578C

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200510098857.2

申请日：2005-09-09

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 古泽健志 ,  三浦典子 ,  后藤欣哉 ,  松浦正纯

IPC: H01L23/52 ,  H01L27/04 ,  H01L21/768 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/53295 ,  H01L23/564 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，包含相对介电常数低于3.5的低介电常数膜，具有一个或一个以上的在平面上观察成闭环形状的水分遮挡壁，即密封环(123)，密封环(123)中的至少一个包含有在芯片角(4)附近成为向内凸形状的密封环凸部(10)。

公开(公告)号：CN101330045B

公开(公告)日：2010-08-11

申请号：CN200810145438.3

申请日：2005-07-06

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 古泽健志 ,  三浦典子 ,  后藤欣哉 ,  松浦正纯

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种制造使用有机硅氧烷类绝缘膜且电特性优良的半导体装置的方法。具备在半导体衬底上形成的多层布线结构的半导体装置中，该多层布线结构具有层间绝缘膜，该层间绝缘膜至少部分具备相对介电常数小于等于3.1且硬度大于等于2.7GPa的有机硅氧烷类绝缘膜。此外，该有机硅氧烷类绝缘膜中碳原子数与硅原子数之比大于等于0.5小于等于1.0。另外，该多层布线结构在有机硅氧烷类绝缘膜的上面具有从有机硅氧烷类绝缘膜中进行脱碳并且使碳原子数与硅原子数之比小于等于0.1的绝缘层。

公开(公告)号：CN101330045A

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：CN200810145438.3

申请日：2005-07-06

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 古泽健志 ,  三浦典子 ,  后藤欣哉 ,  松浦正纯

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L23/532

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种制造使用有机硅氧烷类绝缘膜且电特性优良的半导体装置的方法。具备在半导体衬底上形成的多层布线结构的半导体装置中，该多层布线结构具有层间绝缘膜，该层间绝缘膜至少部分具备相对介电常数小于等于3.1且硬度大于等于2.7GPa的有机硅氧烷类绝缘膜。此外，该有机硅氧烷类绝缘膜中碳原子数与硅原子数之比大于等于0.5小于等于1.0。另外，该多层布线结构在有机硅氧烷类绝缘膜的上面具有从有机硅氧烷类绝缘膜中进行脱碳并且使碳原子数与硅原子数之比小于等于0.1的绝缘层。

公开(公告)号：CN1819157A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200510138044.1

申请日：2005-11-15

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 古泽健志 ,  松本雅弘 ,  森本升 ,  松浦正纯

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/58 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L23/585 ,  H01L23/3157 ,  H01L23/564 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件，包括：在内部形成了铜布线(19)的低介电常数膜(5a～5c)；配置在低介电常数膜(5c)的上侧的氧化硅膜(6，7a)；配置在氧化硅膜(6，7a)的上侧的表面保护膜(43)；围绕电路形成区域的周围而形成的密封环(23)；平视时形成在密封环(23)的外侧的槽部(22)。槽部(22)形成为其底部位于比低介电常数膜(5c)更上侧的位置，其底部为比铜布线(19)的上端更低。

公开(公告)号：CN1728375A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200510082522.1

申请日：2005-07-06

Applicant: 株式会社瑞萨科技

Inventor： 古泽健志 ,  三浦典子 ,  后藤欣哉 ,  松浦正纯

IPC: H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/31633 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/76835 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种制造使用有机硅氧烷类绝缘膜且电特性优良的半导体装置的方法。具备在半导体衬底上形成的多层布线结构的半导体装置中，该多层布线结构具有层间绝缘膜，该层间绝缘膜至少部分具备相对介电常数小于等于3.1且硬度大于等于2.7GPa的有机硅氧烷类绝缘膜。此外，该有机硅氧烷类绝缘膜中碳原子数与硅原子数之比大于等于0.5小于等于1.0。另外，该多层布线结构在有机硅氧烷类绝缘膜的上面具有从有机硅氧烷类绝缘膜中进行脱碳并且使碳原子数与硅原子数之比小于等于0.1的绝缘层。