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公开(公告)号：CN101303969A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200810097038.X
申请日：2008-05-12
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 月原浩一
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/324 , B23K26/00 , B23K26/06 , G02B26/10
CPC classification number: B23K26/067 , B23K26/0648 , B23K26/0665 , B23K26/0676 , B23K26/0853 , B23K2101/40 , G02F1/1303 , G02F2202/104 , H01L21/02675 , H01S5/005 , H01S5/4012 , H01S5/4025
Abstract: 本发明涉及一种照射设备，半导体装置制造设备与方法以及显示装置制造方法。该照射设备用于使用从半导体激光器发射的光束照射照射目标，其中令w为用于照射照射目标的光束半径，Δ为半导体激光器发散角度的个体差异率，而λ为半导体激光器的光束波长，夹置在半导体激光器与照射目标之间的照射光学系统的焦点位置被散焦，使得焦点位置和照射目标之间的距离z为公式1所示。
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公开(公告)号：CN102749674A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201210251466.X
申请日：2007-03-13
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G02B6/00 , G02B17/00 , G02F1/1335 , G09F9/00
CPC classification number: G02B6/0018 , G02B17/006 , G02F1/133504 , H04M1/22 , H04W52/027 , Y02D70/122
Abstract: 本发明提供了一种可以限制可视角度和提高前亮度的显示单元。该显示单元包括显示装置，和面对该显示装置的导光部，该导光部分具位于与该显示装置相对的侧上的入射面、位于该显示装置的对立侧上的发射面、以及位于该侧面上的反射面，并具有从入射面扩展到发射面的剖面。
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公开(公告)号：CN101587840A
公开(公告)日：2009-11-25
申请号：CN200910143362.5
申请日：2009-05-22
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L21/66
CPC classification number: G01N21/956 , G01N2021/9513 , H01L21/02532 , H01L21/02675 , H01L22/12 , H01L27/1285 , H01L29/66765 , H01L29/78678
Abstract: 本发明提供了一种半导体薄膜的制造方法，其包括以下步骤：在基板上形成非晶半导体薄膜；通过对非晶半导体薄膜照射激光以对非晶半导体薄膜有选择地进行加热处理，从而使被激光照射的区域中的非晶半导体薄膜结晶，由此在每个元件区域中局部地形成结晶半导体薄膜；以及检查结晶半导体薄膜的结晶度。检查的步骤包括如下步骤：通过对结晶半导体薄膜和非晶半导体薄膜照射光以确定结晶区域的亮度与未结晶区域的亮度之间的对比度，并根据所确定的对比度对结晶半导体薄膜进行筛选。由于对结晶半导体薄膜的筛选是根据结晶区域的亮度和未结晶区域的亮度之间的对比度，从而可以实现比以往更可靠的筛选。
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公开(公告)号：CN101681815B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN200880016596.7
申请日：2008-04-30
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/66765 , H01L21/02532 , H01L21/02683 , H01L27/1281 , H01L27/1285
Abstract: 在基板(1)上形成栅极绝缘膜(13)以覆盖栅极电极(11)，并且形成非晶硅膜(半导体薄膜)(15)。光吸收层(19)通过缓冲层(17)形成在非晶硅膜(15)的上部上。能量照射(Lh)从诸如半导体激光器的连续波振荡激光器施加给光吸收层(19)。根据以上构造，在仅氧化光吸收层(19)的表面侧时，非晶硅膜(15)通过在光吸收层(19)中能量照射(Lh)的热转换产生的热以及氧化反应的产生的热而结晶化以形成微晶硅膜(15a)。根据上述构造，提供了一种薄膜的结晶化方法，该方法可以在具有良好可控性的同时实现较简单的工艺和较低的成本。
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公开(公告)号：CN101539664A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910128441.9
申请日：2009-03-17
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 月原浩一
CPC classification number: G03F7/70566 , G02B27/0905 , G02B27/281 , G03F7/7005
Abstract: 本发明公开了一种照射光学系统、照射设备和半导体器件制造方法，其中，照射光学系统包括：第一投射光学系统，用于将从具有多个线性排列的发光点的激光源输出的多个光束彼此混合，并且将混合的光束分成多个光束，然后向具有彼此平行的多个狭缝的狭缝部件投射多个光束作为跨越多个狭缝延伸的线射束；以及第二投射光学系统，用于将狭缝部件的多个狭缝的图像投射到照射目标。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1735962A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200380108327.0
申请日：2003-10-24
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/268 , H01L21/20
CPC classification number: B23K26/0608 , B23K26/0604 , H01L21/268
Abstract: 本发明是一种用于激光退火装置的光照射装置，具备：将1条激光分割为n条激光的第1分割部(16)及第2分割部(20)；用来将从第1分光部(16)射出的第m(m为大于等于1小于等于n的整数)条激光与从第2分光部(20)射出的第m条光束合成的合成部(21)。第1分光部(16)与第2分割部(20)由互相相同的光学部件构成，并且配置于相互反转的位置。
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公开(公告)号：CN1735961A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200380108218.9
申请日：2003-10-24
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/268 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02675 , B23K26/064 , B23K26/0643 , B23K26/0648 , B23K26/08 , B23K26/082 , H01L21/2026 , H01L21/268
Abstract: 本发明是用于激光退火装置的光照射装置，具备控制部(9)，通过该控制部，在旋转轴(7a)的旋转从右旋向左旋变化后检测出旋转角成为+β时，使固态激光器(4)的脉冲导通，接着在检测出旋转角成为－β时，使固态激光器的脉冲截止，在旋转轴的旋转从左旋向右旋变化后检测出旋转角成为－β时使固态激光器的脉冲导通，接着在检测出旋转角成为+β时使固态激光器的脉冲截止。控制部还使可动平台(3)沿恒速移动方向恒速移动，从恒速移动方向的一端到另一端对退火对象物(2)照射光束后，使可动平台沿定距移动方向仅移动规定距离，以均匀的能量照射被照射物的整个面。
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公开(公告)号：CN101042450B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200710086327.5
申请日：2007-03-13
Applicant: 索尼株式会社
IPC: G02B6/00 , G02F1/13357 , G09F9/00 , G09F9/30 , H04M1/02
CPC classification number: G02B6/0018 , G02B17/006 , G02F1/133504 , H04M1/22 , H04W52/027 , Y02D70/122
Abstract: 本发明提供了一种可以限制可视角度和提高前亮度的显示单元。该显示单元包括显示装置，和面对该显示装置的导光部，该导光部分具位于与该显示装置相对的侧上的入射面、位于该显示装置的对立侧上的发射面、以及位于该侧面上的反射面，并具有从入射面扩展到发射面的剖面。
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公开(公告)号：CN101539664B
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN200910128441.9
申请日：2009-03-17
Applicant: 索尼株式会社
Inventor： 月原浩一
CPC classification number: G03F7/70566 , G02B27/0905 , G02B27/281 , G03F7/7005
Abstract: 本发明公开了一种照射光学系统、照射设备和半导体器件制造方法，其中，照射光学系统包括：第一投射光学系统，用于将从具有多个线性排列的发光点的激光源输出的多个光束彼此混合，并且将混合的光束分成多个光束，然后向具有彼此平行的多个狭缝的狭缝部件投射多个光束作为跨越多个狭缝延伸的线射束；以及第二投射光学系统，用于将狭缝部件的多个狭缝的图像投射到照射目标。
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公开(公告)号：CN101587840B
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN200910143362.5
申请日：2009-05-22
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/268 , H01L21/324 , H01L21/66
CPC classification number: G01N21/956 , G01N2021/9513 , H01L21/02532 , H01L21/02675 , H01L22/12 , H01L27/1285 , H01L29/66765 , H01L29/78678
Abstract: 本发明提供了一种半导体薄膜的制造方法，其包括以下步骤：在基板上形成非晶半导体薄膜；通过对非晶半导体薄膜照射激光以对非晶半导体薄膜有选择地进行加热处理，从而使被激光照射的区域中的非晶半导体薄膜结晶，由此在每个元件区域中局部地形成结晶半导体薄膜；以及检查结晶半导体薄膜的结晶度。检查的步骤包括如下步骤：通过对结晶半导体薄膜和非晶半导体薄膜照射光以确定结晶区域的亮度与未结晶区域的亮度之间的对比度，并根据所确定的对比度对结晶半导体薄膜进行筛选。由于对结晶半导体薄膜的筛选是根据结晶区域的亮度和未结晶区域的亮度之间的对比度，从而可以实现比以往更可靠的筛选。
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