微机电器件的制造方法、微机电器件及微机电器件基底结构

    公开(公告)号:CN106379858A

    公开(公告)日:2017-02-08

    申请号:CN201611052329.8

    申请日:2016-11-25

    Inventor: 宋焱 韩冬 马清杰

    CPC classification number: B81C1/00349 B81B7/02 B81B2201/02 B81B2201/0278

    Abstract: 本发明涉及一种微机电器件的制造方法、微机电器件及微机电器件基底结构,该微机电器件的制造方法包括如下步骤:S1:提供微机电器件基底结构,该微机电器件基底结构包括具有上表面和下表面的衬底,设置在所述衬底的上表面的至少一层停止层及设置在最上层的停止层上的器件层,其中,所述衬底与最靠近所述衬底的一层的停止层为不同材料;S2:首先干法刻蚀衬底,然后湿法腐蚀停止层。由于微机电器件的制造方法在干法刻蚀衬底时,先停留在停止层上,然后,再采用湿法腐蚀工艺腐蚀停止层,从而可在干法刻蚀时,通过停止层增强器件层的强度,避免器件层破损,进而提高成品率,同时又能够满足小尺寸器件制造。

    单体化复合传感器及其封装品

    公开(公告)号:CN103245377A

    公开(公告)日:2013-08-14

    申请号:CN201210505202.2

    申请日:2012-11-30

    Abstract: 一种单体化复合传感器及其封装品,所述封装品包含:一单体化复合传感器、一封盖及一底板。单体化复合传感器包含:一主体、一复合体、至少一连结梁及多个传感元件。复合体包括相连接的一质量块及一薄膜,两者共同界定出至少一空腔。连结梁连结主体与复合体,使复合体可相对于主体作运动。其中至少一个传感元件形成于薄膜位于空腔上的区域。封盖连接于单体化复合传感器的上表面,遮盖复合体及所述连结梁并与复合体及连结梁相间隔,且设有多个穿孔。底板连接于单体化复合传感器的下表面,与封盖位于单体化复合传感器的相反两侧,且与复合体相间隔。

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