公开(公告)号：CN1901206A

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN200610106171.8

申请日：2006-07-20

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 郑在景 ,  具在本 ,  申铉秀 ,  牟然坤 ,  郑棕翰 ,  李宪贞 ,  金成珍

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/32 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/78603 ,  G02F1/13454 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/3244 ,  H01L2251/5338

Abstract: 一种有机发光显示设备，其包括柔性基片和多个在该基片上形成的薄膜晶体管(TFT)。该多个在基片上形成的TFT包括用于驱动像素的像素晶体管和用于驱动驱动器电路的驱动器电路晶体管，并且像素晶体管的沟道区的纵向与弯曲基片的方向成第一预定角度。因此，能够最小化在柔性基片上形成的TFT的电特性的变化，从而减少在TFT沟道中流动的电流量的变化。

公开(公告)号：CN1893102A

公开(公告)日：2007-01-10

申请号：CN200610003746.3

申请日：2006-02-05

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 申铉秀 ,  具在本 ,  牟然坤 ,  郑在景

IPC: H01L27/15 ,  H01L27/32 ,  H01L21/00 ,  G02F1/13

CPC classification number: H01L51/0097 ,  H01L51/5243 ,  H01L51/5246 ,  H01L51/5253 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2251/566 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 提供了一种平板显示器，其通过使用金属衬底或传导性衬底而具有增强的挠性，该衬底被保护不外部裸露。还提供了一种制造该平板显示器的方法。该平板显示器包括衬底、覆盖衬底的一个表面的第一绝缘体、设置于衬底的另一表面上的显示单元，以及覆盖衬底边缘以防止其裸露的第二绝缘体。

公开(公告)号：CN1293523C

公开(公告)日：2007-01-03

申请号：CN200310124056.X

申请日：2003-12-31

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 具在本 ,  朴志容 ,  朴商一

IPC: G09F9/30 ,  G09G3/00 ,  G02F1/136 ,  H05B33/00

CPC classification number: H01L27/1285 ,  G09F9/30 ,  H01L27/1296 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/04

Abstract: 一种平板显示器，即使当相同的驱动电压被施加时，它也能够将白色平衡调节到恰当的水平而无须改变驱动TFT有源层的尺寸。借助于将最佳电流量馈送到各个子象素，此平板显示器还能够得到适当的亮度，并防止其寿命缩短。此平板显示器包括多个象素。各个象素包括多个子象素。各个子象素具有自发光元件和驱动薄膜晶体管。各个驱动薄膜晶体管具有半导体有源层，此半导体有源层具有连接到各个自发光元件的至少一个沟道区，以便将电流馈送到各个自发光元件。半导体有源层的沟道区至少在二个子象素中沿不同的方向被排列。

公开(公告)号：CN1288715C

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN03158097.1

申请日：2003-08-01

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 具在本 ,  朴志容 ,  朴商一

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L21/02672 ,  C30B1/023 ,  C30B29/06 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/1368 ,  G02F2202/105 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种结晶方法，包括在一绝缘衬底上形成吸收外部光的黑色基质层，其中该黑色基质层的上部区域包括用于硅结晶的催化剂，构图该黑色基质层，在绝缘衬底和黑色基质层上形成一非晶硅薄膜，对非晶硅薄膜进行热处理以用于结晶。由于形成一连续的金属诱导结晶区域和一金属诱导横向结晶区域而其中没有一明确的界限，因此，使用该结晶方法形成的薄膜晶体管的特性得到改进。

公开(公告)号：CN1870235A

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200610099617.9

申请日：2006-05-26

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李宪贞 ,  徐旼彻 ,  具在本

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/105 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0541

Abstract: 一种有机薄膜晶体管(TFT)，一种制造方法和一种包括有机TFT的显示器。在TFT中，由于通过在缓冲膜中的凹槽之中形成源和漏电极，而减小或消除了基板与源和漏电极之间的台阶差异，所以不会发生沟道区域断开。制造有机TFT的方法包括在基板上形成缓冲膜，通过蚀刻缓冲膜，在缓冲膜中形成彼此分开一定距离的凹形单元，在缓冲膜上形成电极层，使用光刻工艺，通过蚀刻电极层在凹形单元内形成源和漏电极，在源和漏电极及缓冲膜上形成半导体层，在半导体层上形成栅极绝缘膜及在栅极绝缘膜上形成栅电极。

公开(公告)号：CN1855484A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610073779.5

申请日：2006-03-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 徐旼彻 ,  李宪贞 ,  牟然坤 ,  具在本

IPC: H01L27/00 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L27/3248 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136295 ,  G02F2201/50 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L51/0004 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0038 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0059 ,  H01L51/0062 ,  H01L51/0078 ,  H01L51/0081 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545

Abstract: 公开了能够避免像素电路电短路的平板显示器，以及制造该平板显示器的方法。在一个实施例中，平板显示器包括具有孔的绝缘膜、具有通过绝缘膜的孔外露部分的像素电极、在绝缘膜上形成的导体以及覆盖导体的加盖层。根据本发明的实施例，导体由传导胶形成并且导体胶的粗糙表面通过在导体上形成的加盖层钝化，因此能避免在导体和相对像素电极之间的短路。

公开(公告)号：CN1848476A

公开(公告)日：2006-10-18

申请号：CN200510137344.8

申请日：2005-11-15

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 徐旼彻 ,  具在本 ,  安泽

IPC: H01L51/05

CPC classification number: H01L27/283 ,  H01L51/0003 ,  H01L51/0021 ,  H01L51/0096 ,  H01L51/0516 ,  H01L51/0541 ,  H01L51/0545 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种具有一致特性的有机TFT和具有该有机TFT的平板显示器，其中有机TFT包括采用旋涂工艺形成的有机半导体层。该有机TFT的一个实施例包括：衬底，设置在衬底上的栅电极，覆盖该栅电极的栅极绝缘膜，设置在栅极绝缘膜上的有机半导体层，以及与有机半导体层接触的源电极和漏电极，其中多个突起部件形成于栅极绝缘膜上，且突起部件从源电极延伸向漏电极。

公开(公告)号：CN1278588C

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN02158450.8

申请日：2002-12-26

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 申东缵 ,  具在本

IPC: H05B33/12 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/5284 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/326 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5209 ,  H01L51/5234 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/5346

Abstract: 一种平板显示装置，包括导电层，该导电层具有透明的导电材料和金属材料。该导电层具有渐变的浓度梯度，并且同时用作像素电极和黑矩阵。该平板显示装置的制造方法包括：在基体上形成带有源/漏电极的薄膜晶体管；在具有薄膜晶体管的基体上形成绝缘层；形成通孔，将所述源/漏电极中的一个暴露出来；以及形成防反射层，将该防反射层连接到所述源/漏电极中暴露出来的那个上。所述防反射层用作所述平板显示装置的像素电极和黑矩阵。其中，所述防反射层包括透明材料第一组分和金属材料第二组分，该第一组分和第二组分的排布使该防反射层具有根据其厚度渐变的浓度梯度。

公开(公告)号：CN1802054A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200510125478.8

申请日：2005-11-17

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 徐旼彻 ,  具在本 ,  金慧东

IPC: H05B33/14 ,  H05B33/10 ,  H01L33/00 ,  G09G3/30

CPC classification number: H01L51/5296 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/56

Abstract: 公开了一种EL装置及其制造方法。EL装置包括：第一有机发光晶体管和第二有机发光晶体管，其中第一有机发光晶体管包括：第一源电极；与第一源电极面对的第一漏电极；包括至少一层发射层的第一中间层，该发射层位于第一源电极和第一漏电极之间；和与第一源电极、第一漏电极、和第一中间层绝缘的第一栅电极，第一栅电极包围第一中间层；并且第二有机发光晶体管包括：第二源电极；与第二源电极面对的第二漏电极；包括至少一层发射层的第二中间层，该发射层位于第二源电极和第二漏电极之间；和与第二源电极、第二漏电极、和第二中间层绝缘的第二栅电极，第二栅电极包围第二中间层并连接到第一漏电极。

公开(公告)号：CN1776932A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200510126771.6

申请日：2005-11-18

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 徐旼彻 ,  具在本 ,  李尚旻

IPC: H01L51/30 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/0545 ,  H01L51/002

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管和包括该薄膜晶体管的有机电致发光显示器。该有机电致发光显示器包括：栅极；与栅极绝缘的源、漏极；与栅极绝缘并且与源、漏极电连接的有机半导体层；使栅极和源、漏极或有机半导体层绝缘的绝缘层；以及电子提取层，该电子提取层包括位于有机半导体层和源、漏极之间的路易斯酸化合物。电荷可以很容易堆积，从而在半导体层上产生了沟道掺杂效应，因而防止能量势垒形成并且提高了注入到沟道中的载流子的数量。结果是，得到了接触电阻低、注入载流子数量大、电荷迁移率好的TFT。因此，包括上述TFT的平板显示器可靠性高并且功耗低。