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公开(公告)号：CN1799146A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200480015008.X
申请日：2004-05-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/785 , H01L29/66795 , H01L29/78687
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包括：第一绝缘层(11)；由在第一绝缘层上形成的岛状的半导体构成的第一主体部(13)；由在第一绝缘层上形成的岛状半导体构成的第二主体部(14)；在第一绝缘层上，连接第一主体部和第二主体部而形成的脊骨状的连接部(15)；由在连接部的长度方向上的至少一部分构成的通道区域(15a)；通过第二绝缘层(17)覆盖通道区域的外周而形成的栅极(18)；横跨第一主体部、和连接部的、该第一主体部与通道区域之间的部分而形成的源极区域；以及横跨第二主体部、和连接部的、该第二主体部与通道区域之间的部分而形成的漏极区域；其中，构成通道区域的半导体具有晶格应变。
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公开(公告)号：CN1253946C
公开(公告)日：2006-04-26
申请号：CN02103173.8
申请日：2002-02-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L29/93 , H01L27/0664 , H01L27/0808
Abstract: 本发明提供一种包含电容量变化范围大的变容元件的半导体装置及其制造方法。变容元件VAR具备：含可变电容区域56a的N+层56、在N+层56上由外延生长形成的由SiGe膜和Si膜组成的P+层61、以及P型电极62。NPN-HBT具备：与变容元件VAR的N+层56同时形成的集电极扩散层57、集电极层59、与变容元件的P+层21同时外延生长形成的Si/SiGe层79。因为在变容元件VAR的PN结部形成的耗尽层的延伸范围能够确保达到N+层56全部、就能抑制电容变化范围的低下。
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公开(公告)号：CN1277735A
公开(公告)日：2000-12-20
申请号：CN99801585.7
申请日：1999-09-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/205
CPC classification number: C30B29/06 , C23C16/481 , C23C16/52 , C30B25/14 , C30B25/165 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02658
Abstract: 晶体生长装置由真空容器(10)、加热灯(12)、对加热灯(12)进行控制的灯控制器(13)、气体通入口(14)、调节气体流量的流量调节器(15)、测量衬底温度的高温计(19)、将乙硅烷等气体供到真空容器(10)的供气单元(30)组成。椭圆偏振光谱测量装置由光源(20)、起偏器(21)、调制器(22)、分析器(24)、分光仪/检测单元(25)以及计算Ψ、△的分析控制装置(26)组成。在去除衬底上的化学氧化膜时,通过现场椭圆偏振光谱测量,来识别氧化膜覆盖衬底面的phase 1和衬底的一部分已经露出来的phase 2,从而向各phase适当地提供和停供气体。
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公开(公告)号：CN1267916A
公开(公告)日：2000-09-27
申请号：CN00102992.4
申请日：2000-03-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/737 , H01L27/24 , H01L21/328 , H01L21/70
CPC classification number: H01L29/66242 , H01L21/763 , H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L29/7378
Abstract: 在硅基板100内,由浅沟槽103所夹的区域里形成集电极层102,在基板上沉积第一沉积氧化膜108并开一个跨越浅沟槽的一部分的集电极开口部110。在露出于该开口部的基板上,使Si/Si1-xGex层外延生长。在基板上沉积第二沉积氧化膜112,而在Si/Si1-xGex层的中央部上形成基极开口部118;在端部形成基极结用开口部114。从该开口部114往基板内注入杂质离子,以形成导电型与外部电极相同的结漏电流防止层113。这样,使集电极开口宽度W3大于活性区宽度W2。
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公开(公告)号：CN103180948B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201280003077.3
申请日：2012-10-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: G11C11/5685 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2211/5648 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储元件，其中，在电脉冲的电压值具有V2＞V1＞0V＞V3＞V4的关系、电阻变化层的电阻值具有R3＞R2＞R4＞R1的关系的情况下，在对电极间外加电压值为V2以上的电脉冲时，电阻变化层为R2，在对电极间外加电压值为V4以下的电脉冲时，电阻变化层为R4，当电阻变化层的电阻值为R2时，在对电极间外加电压值为V3的电脉冲时，电阻变化层为R3，当电阻变化层的电阻值为R4时，在对电极间外加电压值为V1的电脉冲时，电阻变化层为R1。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103250252B
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201280004074.1
申请日：2012-10-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: G11C13/004 , G11C13/0007 , G11C13/0061 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2213/55 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146
Abstract: 非易失性存储装置具备第1电极（103）、第2电极（106）和电阻变化层（104），电阻变化层（104）具备：第1氧化物层（104a），含有第1金属的氧化物；第2氧化物层（104b），在第1氧化物层（104a）和第2电极（106）之间相接配置，含有第2金属的氧化物，与第1氧化物层（104a）相比氧不足率小；及局部区域（105），在第1氧化物层（104a）及第2氧化物层（104b）内与第2电极（106）相接配置，不与第1电极（103）相接，与第2氧化物层（104b）相比氧不足率大，氧不足率与第1氧化物层（104a）不同。
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公开(公告)号：CN103348472B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201280007159.5
申请日：2012-11-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/145 , G11C13/0002 , G11C13/0007 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 非易失性存储元件包括第1电极（103）、第2电极（106）、和夹在第1电极（103）和第2电极（106）之间的由金属的氧化物构成的电阻变化层（104），被配置在第1电极（103）上的电阻变化层（104）包括：具有ρx的电阻率的第1氧化物层（104a）；被配置在第1氧化物层（104a）上且具有ρy（其中，ρx＜ρy）的电阻率的第2氧化物层（104b）；被配置在第2氧化物层（104b）上且具有ρz（其中，ρy＜ρz）的电阻率的第3氧化物层（104c）；和在第3氧化物层和第2氧化物层（104b）内与第2电极（106）相接地配置，并不与第1氧化物层（104a）接触，电阻率比第3氧化物层（104c）低，且电阻率与第2氧化物层（104b）不同的局部区域（105）。
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公开(公告)号：CN103339681B
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201280006650.6
申请日：2012-12-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0007 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/73 , G11C2213/74 , G11C2213/79
Abstract: 一种电阻变化元件的驱动方法，具有初始过程，其在第一次写入过程之前，通过施加第一极性的初始电压脉冲使金属氧化物层的电阻值从初始状态的电阻值向其他的电阻值变化，设初始状态的电阻值为R0，写入状态的电阻值为RL，消去状态的电阻值为RH，其他的电阻值为R2，设初始电压脉冲施加时的电流的最大值为IbRL，设写入电压脉冲施加时的电流的最大值为IRL，设消去电压脉冲施加时的电流的最大值为IRH，满足R0＞RH＞R2≥RL，且满足|IRL|＞|IbRL|。
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公开(公告)号：CN102859690B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201180010408.1
申请日：2011-02-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C13/00 , H01L45/00
CPC classification number: H01L45/1226 , G11C13/0002 , G11C2213/77 , H01L27/2436 , H01L27/249 , H01L45/08 , H01L45/146 , H01L45/1633
Abstract: 工艺较简单、能够制造具有稳定的存储性能的非易失性存储装置的制造方法包括：在基板（11）上交替地层叠含有过渡金属的多个导电层（13）和由绝缘材料构成的多个层间绝缘膜（17）而形成层叠构造体的工序；形成将上述层叠构造体贯通且使导电层（13）的一部分露出的接触孔的工序；将导电层（13）的露出在上述接触孔中的部分氧化、形成电阻值基于施加的电信号可逆地变化的电阻变化层（14）的工序；以及在上述接触孔中埋入导电材料、在上述接触孔中形成与电阻变化层（14）连接的柱状电极（12）的工序。
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公开(公告)号：CN103270592A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201280004259.2
申请日：2012-10-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/145 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/15 , H01L27/101 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发明涉及非易失性存储元件以及非易失性存储装置。非易失性存储元件具备第一电极（103）、第二电极（106）以及电阻变化层（104），电阻变化层（104）包括：第一氧化物层（104a），由具有p型载流子的非化学计量组成的金属氧化物构成；第二氧化物层（104b），与第一氧化物层（104a）以及第二电极（106）之间相接地配置，由具有n型载流子的非化学计量组成的金属氧化物构成；氧储存区域（110），配置在第一氧化物层（104a）内，不与第一电极（103）相接，与第一氧化物层（104a）相比含氧率更高；以及局部区域（105），在第二氧化物层（104b）内与氧储存区域（110）相接地配置，与第二氧化物层（104b）相比含氧率更低。
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