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公开(公告)号：CN102402117B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201110348752.3
申请日：2011-09-09
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料和制造方法、光掩模、光图案曝光方法和过渡金属/硅基材料膜的设计方法。本发明特别涉及一种光掩模坯料，其具有过渡金属/硅基材料的膜，该过渡金属/硅基材料包含过渡金属、硅、氧和氮，具有至少3原子％的氧含量，并满足式：4×CSi/100-6×CM/100＞1，其中CSi是以原子％计的硅含量和CM是以原子％计的过渡金属含量。
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公开(公告)号：CN103135362B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201210599017.4
申请日：2012-11-21
Applicant: 信越化学工业株式会社 , 凸版印刷株式会社
Abstract: 本发明涉及一种光图案曝光方法，光掩模及光掩模坯料。光图案曝光方法是通过光掩模向抗蚀膜照射ArF准分子激光。光掩模包括透明衬底和包含过渡金属、硅、氮和氧的材料的光学膜的图案，过渡金属、硅、氮和氧的含量在特定范围内。光掩模可被ArF准分子激光以至少10kJ/cm2的累积剂量照射过。
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公开(公告)号：CN102419510B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201110214208.X
申请日：2011-07-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F1/78 , H01J2237/004 , H01J2237/31796
Abstract: 本发明提供一种层叠有电子束用光阻膜和有机导电性膜的被加工基板，所述被加工基板上至少依序层叠有电子束用光阻膜和有机导电性膜，所述被加工基板上具有导电性无机薄膜来作为表层，其特征在于：在所述被加工基板的被加工面，具有前述有机导电性膜与前述导电性无机薄膜一部分直接接触的区域。由此，提供一种被加工基板，其可有效率地进行去除静电，并且即便进行高电流密度的电子束照射，也可稳定地形成高精度光阻图案。
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公开(公告)号：CN103424984A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310182559.6
申请日：2013-05-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/62
CPC classification number: C23C14/0641 , C23C14/0676 , C23C14/083 , C23C14/086 , C23C14/185 , C23C14/3407 , C23C14/3464 , C23C14/352 , G03F1/00 , G03F1/46 , G03F1/50 , G03F1/54 , G03F1/80 , G03F7/20 , H01J37/34 , H01J37/3426 , H01J37/3429
Abstract: 本发明涉及光掩模坯料及其制造方法、光掩模、图案转印方法及溅射装置。本发明提供光学浓度等特性的偏差小且缺陷少品质高、并且具有高蚀刻速度的功能性膜的制造技术。本发明的光掩模坯料的制造方法中，在制造透明衬底上具备至少一层功能性膜的光掩模坯料时，功能性膜由含有铬元素和与铬的混合体系成为液相的温度为400℃以下的金属元素的铬系材料构成，在形成该功能性膜的工序中，使铬靶(靶A)和以至少一种所述金属元素作为主要成分的靶(靶B)同时溅射(共溅射：Co-Sputtering)。另外，除了可以采用上述靶A和靶B各使用一个的方式以外，还可以采用其中任意一种靶使用多个的方式或两种靶都使用多个的方式。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103123442A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201210543966.0
申请日：2012-11-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G06F19/00 , G03F1/0046 , G03F1/26 , G03F1/80
Abstract: 本发明涉及图案形成膜的刻蚀条件的测评。具体地，连同光掩模坯料，其包括透明衬底、图案形成膜以及刻蚀掩模膜，通过如下方式测评所述图案形成膜的一组刻蚀条件：测量第一刻蚀完成时间(C1)，其是在施加于图案形成膜的刻蚀条件下刻蚀该刻蚀掩模膜时所花费的时间，测量第二刻蚀完成时间(C2)，其是在所述刻蚀条件下刻蚀该图案形成膜时所花费的时间，以及计算第一与第二刻蚀完成时间的比值(C1/C2)。
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公开(公告)号：CN102453862A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201110322364.8
申请日：2011-10-21
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C23C14/06 , C23C14/34 , G03F1/00 , H01L21/027
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/0036 , C23C14/0676 , C23C14/564 , G03F1/54
Abstract: 本发明涉及溅射用靶材、含硅膜的形成方法和光掩模坯。本发明提供了在溅射过程期间不易产生粒子且形成低缺陷(高品质)含硅膜的硅靶材。将室温下的比电阻为20Ω·cm以上的硅靶材用于形成该含硅膜。所述硅靶材可以为多晶或非晶的。然而，当所述硅靶材为单晶时，可以获得更稳定的放电状态。另外，其中通过FZ方法生长晶体的单晶硅是作为高纯硅靶材的优选材料，因为其氧含量低。另外，具有n型导电性且含有施主杂质的靶材是优选的，从而获得稳定的放电特性。可以将根据本发明的仅一种或多种硅靶材用于含硅膜的溅射成膜。
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公开(公告)号：CN102419510A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110214208.X
申请日：2011-07-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F1/78 , H01J2237/004 , H01J2237/31796
Abstract: 本发明提供一种层叠有电子束用光阻膜和有机导电性膜的被加工基板，所述被加工基板上至少依序层叠有电子束用光阻膜和有机导电性膜，所述被加工基板上具有导电性无机薄膜来作为表层，其特征在于：在所述被加工基板的被加工面，具有前述有机导电性膜与前述导电性无机薄膜一部分直接接触的区域。由此，提供一种被加工基板，其可有效率地进行去除静电，并且即便进行高电流密度的电子束照射，也可稳定地形成高精度光阻图案。
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公开(公告)号：CN101950125A
公开(公告)日：2011-01-19
申请号：CN201010274835.8
申请日：2010-06-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种光掩模制造方法，具体涉及一种从光掩模坯料制造光掩模的方法，该光掩模坯料包括透明衬底以及由含有过渡金属的硅基材料制成的上层和下层构成的遮光膜，上层中的O+N含量比下层中的高。在两个步骤中通过如下加工遮光膜：通过抗蚀图进行氟干法蚀刻使得上述膜的下方部分得以保留，以及含氧的氯干法蚀刻，用于移除上述膜的剩余部分。
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公开(公告)号：CN101852984A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010158168.7
申请日：2010-03-31
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F1/84 , G03F7/70783
Abstract: 本发明涉及一种检查制造光掩模基坯或其中间物、确定高能辐射量的方法。通过以下方法检查光掩模基坯，该光掩模基坯是通过在基板上沉积相移膜并且利用高能量辐射来照射相移膜以实施基板形状调节处理而制造的，该方法是：在基板形状调节处理之后测量光掩模基坯的表面形貌，从光掩模基坯移除相移膜，在移除相移膜之后测量经处理的基板的表面形貌，以及比较表面形貌，由此估计由于已经历基板形状调节处理的相移膜的应力而引起的、在移除相移膜之前和之后的翘曲改变。
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