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公开(公告)号：CN109782527B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN201811342214.1
申请日：2018-11-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明体积一种光掩模坯料和制备光掩模的方法。具体提供一种包含透明衬底和含铬膜的光掩模坯料。该含铬膜包括由含氧或者氧和氮的含碳的铬化合物组成的层。该层的碳/铬原子比是0.3以上，氮/铬原子比是0.1以下，铬含量是50at％以下且碳/氧原子比是0.8以上，或铬含量是60at％以下且碳/氧原子比是1以上。通过干法刻蚀含铬膜将光掩模坯料加工成光掩模。
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公开(公告)号：CN108415218B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201810125208.4
申请日：2018-02-08
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及制备光掩模坯料的方法、光掩模坯料，制备光掩模的方法、光掩模和金属铬靶。具体涉及一种用于制备包含透明衬底和与其邻接的含铬膜的光掩模坯料的方法，包括通过溅射具有至多1ppm的Ag含量的金属铬靶来沉积含铬膜的步骤。当从光掩模坯料制备的光掩模在图案化曝光中被重复用于ArF准分子激光照射时，在光掩模上形成的缺陷数量被最小化。
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公开(公告)号：CN107870507B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN201710900085.2
申请日：2017-09-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/32
Abstract: 本发明为半色调相移掩模坯和半色调相移掩模。提供包括透明基板和在其上的半色调相移膜的半色调相移掩模坯。所述半色调相移膜包括至少一个由硅系材料组成并且具有≤1013Ω/□的薄层电阻的层，所述硅系材料具有≤3at％的过渡金属含量，≥90at％的Si+N+O含量，30‑70at％的Si含量，30‑60at％的N+O含量，以及≤30at％的O含量。半色调相移膜在曝光于200nm以下的辐照时经历最小的图案尺寸变动劣化，并且具有耐化学品性和改进的加工性。
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公开(公告)号：CN107765508B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN201710723039.X
申请日：2017-08-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 稻月判臣
Abstract: 本发明涉及用于制备半色调相移掩模坯的方法、半色调相移掩模坯、半色调相移掩模和薄膜形成设备。通过以下步骤制备包含透明衬底和在透明衬底上的半色调相移膜的半色调相移掩模坯：通过使用含有稀有气体和氮气的溅射气体和包括至少两个硅靶的多个靶在衬底上沉积半色调相移膜，将具有不同值的电力施加至所述硅靶，进行反应性溅射，和沿衬底轴在水平方向旋转所述衬底。该半色调相移膜具有令人满意的光学性质的面内均匀性。
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公开(公告)号：CN114167679A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111052690.1
申请日：2021-09-09
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种用于EUV掩模坯料的具有多层反射膜的衬底、其制造方法以及EUV掩模坯料。具体地，提供一种用于EUV掩模坯料的具有多层反射膜的衬底，该衬底包括衬底和形成在衬底上的多层反射膜。多层反射膜包括Si/Mo层叠部和保护层，该保护层含有Ru并包括由Ru组成的下层和由含有Ru和选自除Ru以外的金属和准金属中的至少一种的材料组成的上层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106502043B
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN201610791249.8
申请日：2016-08-31
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/50
Abstract: 本发明涉及光掩模坯，其包含透明衬底和含铬膜。所述含铬膜由一个或多个铬化合物层构成，铬化合物层由包含Cr、N和可选的O的铬化合物形成，并且具有如下组成：Cr含量≥30at％，Cr+N+O总含量≥93at％，且满足式：3Cr≤2O+3N。满足第一组成的铬化合物层的厚度在所述含铬膜的总厚度的大于70％～100％的范围内，所述第一组成是：N/Cr原子比≥0.95，Cr含量≥40at％，Cr+N总含量≥80at％，O含量≤10at％。
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公开(公告)号：CN110609437A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910904266.1
申请日：2014-09-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料，所述光掩模坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜，并提供一种光掩模坯料及其制造方法，其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题，提供一种光掩膜坯料的制造方法，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩模坯料在透明基板上至少具有含有硅的含硅无机膜，并在该含硅无机膜上具有抗蚀膜，所述光掩模坯料的制造方法是在形成前述含硅无机膜后，进行硅烷化处理，然后利用涂布来形成前述抗蚀膜，所述含硅无机膜的与前述抗蚀膜接触的表面中的氧浓度为55原子％以上且75原子％以下。
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公开(公告)号：CN109782527A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811342214.1
申请日：2018-11-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明体积一种光掩模坯料和制备光掩模的方法。具体提供一种包含透明衬底和含铬膜的光掩模坯料。该含铬膜包括由含氧或者氧和氮的含碳的铬化合物组成的层。该层的碳/铬原子比是0.3以上，氮/铬原子比是0.1以下，铬含量是50at％以下且碳/氧原子比是0.8以上，或铬含量是60at％以下且碳/氧原子比是1以上。通过干法刻蚀含铬膜将光掩模坯料加工成光掩模。
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公开(公告)号：CN105301890B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201510415157.5
申请日：2015-07-15
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 二元光掩模坯料在透明衬底上具有遮光膜，所述遮光膜主要由过渡金属M和硅Si，或M、Si和N组成，并且具有3.0以上的光密度。所述遮光膜包括含M、Si和N的层，从而满足式B≤0.68×A+0.23，其中A是原子比M/Si且B是原子比N/Si，并且所述遮光膜具有47nm以下的厚度。所述二元光掩模坯料具有能够完全遮蔽曝光的光的薄遮光膜。
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