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公开(公告)号：CN114381807A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011142246.4
申请日：2020-10-22
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: C30B31/06 , C30B31/16 , H01L21/223
Abstract: 本申请属于半导体制造技术领域，具体涉及一种扩散炉。本申请的扩散炉包括炉体、多个气体导出口和至少一个排气口，炉体内限定出反应腔，多个气体导出口沿炉体的轴向方向间隔设于反应腔的侧壁上，多个气体导出口与至少一个排气口相连通。根据本申请的扩散炉，通过设置与排气口相连通的多个气体导出口，且使多个气体导出口沿炉体的轴向方向间隔设置，能够使扩散炉内未参与反应的气体通过多个气体导出口及时排出，保证扩散炉内反应气体的分布均匀，防止由于炉体内的未反应气体堆积导致晶圆的扩散厚度不一致，从而有效地提高晶圆的扩散质量。
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公开(公告)号：CN114171668A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111275439.1
申请日：2021-10-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明涉及一种在半导体衬底上制作交叉线的方法。在半导体衬底上制作交叉导线的方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的上表面形成第一导电层；对第一导电层进行部分刻蚀去除，得到第一方向的导线条；对所述第一方向的导线条的表面进行氧化处理；在所述氧化处理之后，形成第二导电层，所述第二导电层覆盖所述衬底和所述第一方向的导线条的表面；对第二导电层进行部分刻蚀去除，得到第二方向的导线条，所述第二方向的导线条与所述第一方向的导线条交叉。本发明避免了转角度溅射，能便于进行大规模量产，且均匀性相比原工艺有较大提升。
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公开(公告)号：CN114171374A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111276952.2
申请日：2021-10-29
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/027 , H01L21/02 , G03F7/20
Abstract: 本发明涉及刻蚀梯形凹槽的方法及在衬底上形成金属线条的方法。刻蚀梯形凹槽的方法，包括：提供衬底；在所述衬底表面形成光刻胶；用第一掩膜板遮挡所述光刻胶，进行第一次曝光；移除第一掩膜板，用第二掩膜板遮挡所述光刻胶，进行第二次曝光；之后对所述第二次曝光的区域进行显影，得到梯形凹槽；其中，所述第二次曝光的曝光区域被所述第一次曝光的曝光区域包围，并且所述第一次曝光的剂量小于第二次曝光的剂量。本发明方法只需要形成单层光刻胶，并且在凹槽内溅射金属时不会发生覆盖光刻胶侧壁的现象，从而避免剥离不干净的问题。
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公开(公告)号：CN114068310A
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202010754924.6
申请日：2020-07-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/027 , H01L21/308
Abstract: 本发明公开一种方形排列的孔的刻蚀方法，涉及半导体技术领域，以获得尺寸和间距均符合半导体器件要求的孔结构，从而解决接触不良和漏电的问题。方形排列的孔的刻蚀方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上具有待刻蚀层；在待刻蚀层上形成双层掩膜材料层；采用两次光刻工艺对双层掩膜材料层进行处理，获得交错分布的第一图案结构和第二图案结构；在第一图案结构、第二图案结构的侧壁上形成侧墙；去除第一图案和第二图案，保留所述侧墙；以侧墙为掩膜，对待刻蚀层进行刻蚀，形成方形排列的孔。
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公开(公告)号：CN114005810A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202010739629.3
申请日：2020-07-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L23/544 , H01L21/8242 , G03F7/20
Abstract: 本公开提供一种半导体器件的套刻标记及其使用方法。其中所述套刻标记包括相对于中心呈十字对称的第一对组件和第二对组件，所述套刻标记还包括至少一对第三对组件，所述第三对组件的两个组件相对于所述中心对称分布。所述套刻标记的使用方法，包括：使用传感器检测所述套刻标记中每个组件的偏差角度和大小；根据所述偏差角度和大小计算确认所述套刻标记的整体偏差角度和大小。本公开能够减少套刻标记分析的次数，可以在早期防止品质不良发生。本公开对于套刻误差数值，禁止过补正与误补正，能够一次确认套刻标记变形的方式。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113851370A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202010596946.4
申请日：2020-06-28
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本公开提供了一种用于控制晶圆上的涂层厚度的方法。该方法包括如下的步骤：首先获取晶圆上涂层厚度与排气压力的关系，其次根据涂层厚度与排气压力的关系设定涂胶设备的排气压力，最后再控制涂胶设备在设定的排气压力下工作，同时在晶圆上涂布涂层。与现有技术完全不同，本公开的一个或多个实施例能够通过改变涂胶设备的排气压力的方式调整晶圆表面涂层的厚度，进而精准地控制晶圆边缘涂层厚度，使晶圆边缘涂层厚度按需设置；为后续刻蚀等加工工艺提供有效地支持，进而显著地提升晶圆边缘范围内半导体器件的良率，能够极大地降低半导体器件加工的成本；所以本公开适用范围很广，便于大面积的推广和应用。
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公开(公告)号：CN112017998B
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202010702482.0
申请日：2020-07-21
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本申请属于半导体清洁技术领域，具体涉及一种二氧化碳供应系统及具有其的半导体清洁系统，该二氧化碳供应系统包括存储罐、汽化装置以及连接存储罐和汽化装置的供应管，汽化装置用于将存储罐存储的液态二氧化碳汽化，二氧化碳供应系统还包括设置于供应管上的金属离子探测器和自动控制阀，金属离子探测器用于探测供应管内的金属离子，自动控制阀与金属离子探测器电连接，自动控制阀根据金属离子探测器探测到的金属离子关闭供应管。根据本申请的二氧化碳供应系统，通过金属离子探测器探测供应管内的金属离子，二氧化碳供应系统根据供应管内的金属离子通过自动控制阀关闭供应管，以此防止含有金属离子的二氧化碳供应至工厂。
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公开(公告)号：CN112090890A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010752074.6
申请日：2020-07-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种光刻胶收集杯清理方法及光刻胶收集杯清理设备，光刻胶收集杯清理方法包括预清洗步骤：启动位于光刻胶收集杯内侧的旋转片和位于旋转片下方的清洗液喷嘴，控制清洗液喷嘴向旋转片喷洒清洗液，使清洗液被旋转片溅射在光刻胶收集杯的内侧，以对光刻胶收集杯进行预清洗；以及分区域清洗步骤：控制旋转片变速旋转多次，每次旋转的初始转速不同，每次旋转使清洗液被溅射到光刻胶收集杯上的一个区域，清洗液多次溅射覆盖的区域至少包括光刻胶收集杯的待清洗部位。本实施例通过改变初始转速实现了分区域清洗，通过变速旋转实现了对每个区域进行移动清洗，提高了清洗效果，避免了光刻胶收集杯中残余光刻胶造成后续工艺缺陷。
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公开(公告)号：CN112038214A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010567101.2
申请日：2020-06-19
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种氧化锆膜及其沉积方法、应用。一种氧化锆膜ZrO2的沉积方法，包括：利用化学气相沉积法沉积氧化锆膜，并且在沉积时，供应锆源之前先供应环戊基甲基醚类溶剂。本发明利用环戊基甲基醚类溶剂为添加剂促进锆源的流动，可以避免局部过量沉积导致的膜不均匀问题。
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公开(公告)号：CN112030140A
公开(公告)日：2020-12-04
申请号：CN202010506687.1
申请日：2020-06-05
Applicant: 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明涉及一种立式化学气相沉积炉及其应用。一种立式化学气相沉积炉，包括：炉管，所述炉管内设有晶舟和喷嘴部件，所述喷嘴部件在所述晶舟的一侧沿所述晶舟的轴向分布；所述炉管内还设有一个内管，所述内管将所述晶舟和所述喷嘴部件嵌套在其内部；所述内管与所述喷嘴部件相对的一侧的侧壁上设有多个通孔或缝隙，并且所述内管上设有所述通孔的侧壁与所述炉管的内壁之间留有侧缝。本发明将气相镀膜原料以层流的方式沉积到晶圆上，解决了现有设备沉积膜厚不均匀、沉积效率低等技术问题。
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