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公开(公告)号:CN112008846A
公开(公告)日:2020-12-01
申请号:CN202010355272.9
申请日:2020-04-29
Applicant: 三星钻石工业株式会社
IPC: B28B11/14
Abstract: 本发明提供一种能够适当地分割陶瓷成型体的方法。本发明的陶瓷成型体的分割方法为将陶瓷成型体沿预先确定的预定分割位置在厚度方向分割的方法,具有:载置工序,其将陶瓷成型体水平载置于弹性体之上;裂片工序,其使裂片板从上表面侧抵接于载置在弹性体的陶瓷成型体的预定分割位置,并以作为陶瓷成型体的厚度的1/3以上且9/10以下的规定的压入量将裂片板压入,由此在预定分割位置在陶瓷成型体形成切口,进一步通过使裂纹从切口的下端朝向陶瓷成型体的厚度方向延伸,从而在预定分割位置对陶瓷成型体进行分割。
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公开(公告)号:CN111747637A
公开(公告)日:2020-10-09
申请号:CN202010139880.6
申请日:2020-03-03
Applicant: 三星钻石工业株式会社
IPC: C03B33/02 , C03B33/033 , C03B33/04 , C03B33/07 , B23K26/362 , B23K26/364 , B23K26/402
Abstract: 本发明提供一种贴合基板(W)的部分冲裁加工方法及装置,所述方法具有:通过沿第一基板(W1)的第一被冲裁部分(31)的轮廓照射激光来形成由在厚度方向整个区域形成的加工痕迹构成的第一刻划线(S1)的步骤;通过沿第二基板(W2)的第二被冲裁部分(32)的轮廓照射激光来形成以包围第一刻划线的方式形成在外侧且由在厚度方向整个区域形成的加工痕迹构成的第二刻划线(S2)的步骤;在使第一基板处于上侧的状态下通过从上方将冲裁构件(47)按压到第一基板的第一被冲裁部分来将第一基板的第一被冲裁部分和第二基板的第二被冲裁部分冲裁的步骤。在利用激光沿规定的轮廓裁掉而除去轮廓内侧部分时使加工后的产品的端面的加工精度提高。
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公开(公告)号:CN111230311A
公开(公告)日:2020-06-05
申请号:CN201911087207.6
申请日:2019-11-08
Applicant: 三星钻石工业株式会社
IPC: B23K26/362 , B23K26/70 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种基板小片的切出方法以及切出装置,在从树脂基板切出基板小片时,避免电极被意外地电连接。从形成有OLED层(d)和用于将OLED层(d)与外部连接的多个电极(d1)的树脂基板(P1)切出具有与多个电极(d1)交叉的第1边和沿OLED层(d)延伸的第2边的基板小片(SP1)的方法具备:沿第1边形成第1切割线(SL1),沿第2边形成第2切割线(SL2),从而切出基板小片(SP1)的步骤;以及在存在于基板小片(SP1)的第1边与OLED层(d)之间的多个电极(d1)形成沿与该多个电极(d1)交叉的方向延伸的无电极区域(d11)的步骤。
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公开(公告)号:CN110197811A
公开(公告)日:2019-09-03
申请号:CN201910122464.2
申请日:2019-02-18
Applicant: 三星钻石工业株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种能够在防止形成于晶片表面的Low-k膜的剥离的同时可靠地对晶片进行分割的方法。沿着预先划定的切割迹道对带有Low-k膜的晶片进行分割的方法具有:工序a,通过激光束的照射,在硅基板的内部沿着切割迹道形成变质区域;工序b,对经过工序a的带有Low-k膜的晶片的硅基板进行研磨,使变质区域作为刻划线而露出;工序c,通过从Low-k膜的一侧沿着刻划线使切断板抵接于经过工序b的带有Low-k膜的晶片,从而对带有Low-k膜的晶片进行切断;以及工序d,通过对经过工序c的带有Low-k膜的晶片进行扩展处理,从而使带有Low-k膜的晶片的被切割迹道区划的部分相互分离。
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公开(公告)号:CN110176396A
公开(公告)日:2019-08-27
申请号:CN201910087138.2
申请日:2019-01-29
Applicant: 三星钻石工业株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/78 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供一种能够对带有焊锡球的基板适合地进行切断的切断装置。本发明是将在一个主表面设置有多个焊锡球的带有焊锡球的基板沿着设置在该一个主表面的槽部切断的装置,具有:载物台,其以一个主表面一侧为上侧的方式将基板以水平姿态载置;以及,切断板,其以一个端部具有的刀刃成为下端部的垂直姿态而升降自由地设置,从使刀刃抵接于槽部的状态起,通过朝向基板压入切断板,从而在槽部的形成位置对基板进行切断,在切断板中,包含刀刃的刃部从具有规定的厚度的基部的一个端部延伸而成并且设置为比基部宽度窄,刃部的厚度比压入切断板时的槽部的剖面中心与焊锡球的距离的最小值的2倍小。
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公开(公告)号:CN109987831A
公开(公告)日:2019-07-09
申请号:CN201811627060.0
申请日:2018-12-28
Applicant: 三星钻石工业株式会社
IPC: C03B33/03 , C03B33/033 , C03B33/07
Abstract: 基板分割装置(1)具有带式输送装置(3)、第一切断杆(11)、垫板(21)。带式输送装置对在主体(106a、106b)与端部材料(107a、107b)之间形成有端部刻划线(S1、S2)的基板(100)进行输送。第一切断杆配置于带式输送装置的上方,通过下降而冲击基板来分割端部刻划线。垫板在与基板的端部材料对应的位置抵接或接近地配置在带式输送装置的上侧输送部(3a)的下表面,从而在基板的下方确保间隙(29)。通过在垫板的基板的主体侧的端面(25a)形成有与交叉刻划线(S3、S4)对应的缺口,避免在分割交叉刻划线时垫板与第二切断杆(11)发生缓冲。高精度地进行带式输送机上的基板的端部材料的分割。
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公开(公告)号:CN107662292A
公开(公告)日:2018-02-06
申请号:CN201610617914.1
申请日:2016-07-29
Applicant: 三星钻石工业株式会社
Inventor: 林弘义
CPC classification number: B28D5/022 , B28D1/225 , B28D5/0011
Abstract: 本发明提供一种刻划轮,该刻划轮对于高硬度的脆性材料基板的“切入”特性好,能够从开始刻划的位置立即产生垂直裂隙。在刻划轮的外周形成截面为V字形的由单晶金刚石或多晶金刚石构成的倾斜面,将倾斜面的算数平均粗糙度(Ra)设为0.01μm以下。在倾斜面(14a、14b)所相交的棱线(13)的部分形成不足8μm的固定节距的槽(15a、15b)。由此,能够在将金刚石作为原料的刻划轮中提高“切入”特性。
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公开(公告)号:CN107662055A
公开(公告)日:2018-02-06
申请号:CN201710168587.0
申请日:2017-03-21
Applicant: 三星钻石工业株式会社
IPC: B23K26/386 , B23K26/40 , B23K26/046
CPC classification number: B23K26/389 , B23K26/048 , B23K26/40
Abstract: 本发明提供一种脆性材料基板的激光加工方法,相比于现有技术,能够在抑制热损伤的同时缩短加工时间。在通过照射激光束从脆性材料基板的表面起在厚度方向上形成多个孔时,通过反复进行以下操作来逐渐地形成多个孔:每当在一个加工对象部位的一个高度位置上的激光束的照射结束时,在一个高度位置上切换加工对象部位,每当在一个高度位置上的全部的加工对象部位的激光束的照射结束时,使激光束的焦点从脆性材料基板的表面起在厚度方向上移动规定距离而将焦点设置在新的高度位置。
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公开(公告)号:CN107662053A
公开(公告)日:2018-02-06
申请号:CN201710168578.1
申请日:2017-03-21
Applicant: 三星钻石工业株式会社
IPC: B23K26/382 , B23K26/046
CPC classification number: B23K26/382 , B23K26/046
Abstract: 本发明提供一种脆性材料基板的激光加工方法,能够在抑制脆性材料基板的表面附近的热损伤的同时提高厚度方向上的加工深度。在通过照射激光束从脆性材料基板的表面起在厚度方向上形成孔时,一边使激光束的焦点从脆性材料基板的表面起在厚度方向上变化,并且一边随着焦点越远离脆性材料基板的表面而越增大激光束的输出,一边进行激光束对脆性材料基板的照射。
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公开(公告)号:CN107651829A
公开(公告)日:2018-02-02
申请号:CN201710560358.3
申请日:2017-07-11
Applicant: 三星钻石工业株式会社
IPC: C03B33/03 , C03B33/033
CPC classification number: C03B33/03 , C03B33/033
Abstract: 本发明提供一种基板分割装置及基板分割方法,除去端部材料而不损伤要露出的面。基板分割装置具有工作台(2)、按压装置(1)和喷气装置(3)。工作台(2)支承贴合基板(G)。按压装置(1)通过从第1基板(G1)侧按压端部从而沿刻划线(S)分割端部材料(GL)。喷气装置(3)通过产生气流(FL)从而使端部材料(GL)从第1基板(G1)的主体部剥离并使其移动。
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