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公开(公告)号：CN102212799A
公开(公告)日：2011-10-12
申请号：CN201110142250.5
申请日：2011-05-30
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/34
Abstract: 本发明公开了一种高反应率反应室，包括室体，室体具有顶壁、底壁及连接顶壁与底壁的两侧壁，顶壁内侧面上设有复数上挡板，底壁内侧面上设有复数下挡板，上挡板与下挡板向内的顶端上下相互交叉，上挡板与下挡板之间平行的间隔排布，室体上连接有输入管道及输出管道。本发明通过在室体内设置若干挡板，使气体多次接触金属源表面，发生多次反应，从而提高了反应效率。
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公开(公告)号：CN105352324B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201510656861.X
申请日：2015-10-13
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: F27D1/00
Abstract: 本发明公开了一种联动可调节的隔热保温装置及使用方法，其结构特征为：主要包括内支撑杆、内杆活动连接结构、外支撑杆、外杆活动连接结构、隔热反射器、固定螺栓和嵌装圆螺母；通过调节内、外支撑杆的相对位置，结合内杆活动连接结构和外杆活动连接结构，以调整隔热反射器的方位、隔热反射面形状和隔热保温面积乃至隔热保温性能，也可调整隔热装置相对温场的位置；从而解决现有技术中隔热保温装置所存在的通用性差、安装后隔热保温面积和隔热位置距离调整困难等问题。该装置可以满足多种加热炉对不同隔热保温面积的需求，具有较好的互换性、通用性。
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公开(公告)号：CN105352324A
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201510656861.X
申请日：2015-10-13
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: F27D1/00
CPC classification number: F27D1/00
Abstract: 本发明公开了一种联动可调节的隔热保温装置及使用方法，其结构特征为：主要包括内支撑杆、内杆活动连接结构、外支撑杆、外杆活动连接结构、隔热反射器、固定螺栓和嵌装圆螺母；通过调节内、外支撑杆的相对位置，结合内杆活动连接结构和外杆活动连接结构，以调整隔热反射器的方位、隔热反射面形状和隔热保温面积乃至隔热保温性能，也可调整隔热装置相对温场的位置；从而解决现有技术中隔热保温装置所存在的通用性差、安装后隔热保温面积和隔热位置距离调整困难等问题。该装置可以满足多种加热炉对不同隔热保温面积的需求，具有较好的互换性、通用性。
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公开(公告)号：CN103094175B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201210559456.2
申请日：2012-12-21
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明公开了一种晶片专用三夹头夹具，通过夹臂减小三夹头之间的间距，三夹头仅与样品侧边缘接触而不直接接触晶面即可完成夹持操作。本发明包含有夹臂、三个夹头，夹臂末端设有夹头，其中一个夹臂上安装1或2个夹头，夹具设有3条或2条夹臂，各夹臂间相互连接，夹臂间相互连接处在夹臂中部或夹臂首端。本发明通过夹头与夹臂的巧妙组合，避免夹头与晶片正面的直接接触，从而减少晶面的接触源并避免了夹头直接施力于晶面易导致晶面被划伤、污染等问题。
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公开(公告)号：CN102797034B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201210309119.8
申请日：2012-08-27
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开一种适用于GaN材料外延产业化的托舟，解决氮化镓半导体材料外延过程中副产物生成过快，导致系统维护频率高的难题。本发明包含有托舟，托舟四周设计有高低不同凸起的侧壁，反应物被喷洒在侧壁内侧，托舟底部设有数层可拆开的分层结构，托舟底部的衬底层上设有复数用于放置衬底的衬底槽，在托舟各层设置位于流道隔壁中的流道，托舟设计有数个尾气出口，尾气出口连接对应的尾气管道。本发明实现了控制副产物生成位置，使副产物生长在托舟内部，以清理托舟方式来降低系统清理频率，有利于实现生长氮化镓材料的产业化。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102797034A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210309119.8
申请日：2012-08-27
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
Abstract: 本发明公开一种适用于GaN材料外延产业化的托舟，解决氮化镓半导体材料外延过程中副产物生成过快，导致系统维护频率高的难题。本发明包含有托舟，托舟四周设计有高低不同凸起的侧壁，反应物被喷洒在侧壁内侧，托舟底部设有数层可拆开的分层结构，托舟底部的衬底层上设有复数用于放置衬底的衬底槽，在托舟各层设置位于流道隔壁中的流道，托舟设计有数个尾气出口，尾气出口连接对应的尾气管道。本发明实现了控制副产物生成位置，使副产物生长在托舟内部，以清理托舟方式来降低系统清理频率，有利于实现生长氮化镓材料的产业化。
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公开(公告)号：CN102492938A
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201110453183.9
申请日：2011-12-30
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: C23C16/458 , C23C16/34 , C30B29/38 , C30B25/12
Abstract: 本发明提供一种单接触式自转公转基舟，解决气相沉积生长法在材料生长过程中的厚度不均匀问题。本发明包含有基舟基座，基舟基座上的小圆凹槽内设有衬底基座，基舟基座的镂空孔内设有转动轮，转动轮顶端设有C齿轮，C齿轮与衬底基座的半圈齿轮接触，转动轮底端设有B齿轮，基舟基座下面设有一个可以改变转向的马达，马达连接A齿轮，A齿轮与B齿轮啮合。本发明可实现衬底的自转与公转，提高设备性能，在一定程度上降低工艺调试难度。
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公开(公告)号：CN106321877A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201510390215.3
申请日：2015-07-03
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司
IPC: F16K3/30
CPC classification number: F16K3/30
Abstract: 本发明涉及一种真空阀门，具体的涉及一种大通道尺寸真空插板阀，包含阀体、阀舌、阀舌驱动器和压力平衡结构，当需要开启或者关闭阀门时，可以先使用压力平衡结构对阀舌两侧压力进行平衡后再操作，本发明一种大通道尺寸真空插板阀具有通道尺寸大，自身结构简单，密封性好，密封件不易磨损，寿命长等优势，适合各种真空腔体接口处使用。
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公开(公告)号：CN103103501B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201310012409.0
申请日：2013-01-14
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: C23C16/455 , C30B25/14
Abstract: 本发明公开了一种材料气相外延用扇形喷头结构，使第一前驱物、第二前驱物、各种保护性气体在大面积反应区域内充分混合后形成较为均匀的流场。本发明包含有一个以上进气管道，进气管道上设有检测并控制进气流速和流量的控制器，喷头腔体内设有一个以上扇形的独立隔离区域，隔离区域顶端密封板连接一个进气管道，隔离区域底端的出气挡板上设有一个及以上的气体喷口，喷头下面设有圆形反应腔。本发明实现Ⅲ族-氮化物半导体材料的大批量生产，提高Ⅲ族-氮化物半导体材料的生产效率。
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公开(公告)号：CN103094172B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201210559378.6
申请日：2012-12-21
Applicant: 东莞市中镓半导体科技有限公司 , 北京大学
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明公开了半导体及微电子行业耐高温防滑夹具，通过夹头与夹臂的安装组合方式，使用时施力于夹臂，用卡槽卡住所夹持晶片，有效防止夹持过程中晶片的掉落。本发明包含有第一夹臂、第二夹臂，第一夹臂另一端安装第一夹头，第二夹臂另一端安装第二夹头，第一夹头与第二夹头之间形成卡槽夹持部，通过作用第一夹臂、第二夹臂控制第一夹头、第二夹头的运动作用于样品。本发明根据使用温度的不用，夹臂和夹头可选择适当的耐高温材料制成，达到高温条件下取放晶片的目的。
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